InCome Wafer

InCome Wafer

Compound semiconductor indium arsenide (InAs) wafer for sale is composed of indium and arsenic III-V elements grown by LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Ganwafer offers indium arsenide substrate in epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientations as terahertz radiation source.

Il semiconduttore composto di arseniuro di indio è un materiale a bandgap diretto, simile all'arseniuro di gallio (GaAs). A volte, InAs viene utilizzato con InP. InAs è legato con GaAs formando arseniuro di indio gallio. Altre specifiche del wafer di arseniuro di indio si prega di vedere quanto segue:

Descrizione

1. Specifiche di InAs Wafer

1.1. Specifiche del wafer di arseniuro di indio da 4″

Voce Specificazioni
drogante non drogato Stanno Zolfo Zinco
Tipo conduzione Tipo N Tipo N Tipo N Di tipo P
Wafer Diametro 4 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 900 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 16±2 mm
Secondaria Lunghezza piatto 8±1 mm
Concentrazione Carrier 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilità ≥2×104cm2/Vs 7000-20000 cm2/Vs 6000-20000 cm2/Vs 100-400 cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
ORDITO <20um
marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P

 

1.2. Specifiche del substrato di arseniuro di indio da 3″

Voce Specificazioni
drogante non drogato Stanno Zolfo Zinco
Tipo conduzione Tipo N Tipo N Tipo N Di tipo P
Wafer Diametro 3 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 600 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 22 ± 2 mm
Secondaria Lunghezza piatto 11±1 mm
Concentrazione Carrier 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilità ≥2×104cm2/Vs 7000-20000 cm2/Vs 6000-20000 cm2/Vs 100-400 cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
ORDITO <15um
marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

1.3. Specifiche del wafer InAs a semiconduttore composto da 2″

Voce Specificazioni
drogante non drogato Stanno Zolfo Zinco
Tipo conduzione Tipo N Tipo N Tipo N Di tipo P
Wafer Diametro 2 "
Orientamento dei wafer (100) ± 0.5 °
Wafer Spessore 500 ± 25 um
Primaria Lunghezza piatto 16±2 mm
Secondaria Lunghezza piatto 8±1 mm
Concentrazione Carrier 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
Mobilità ≥2×104cm2/Vs 7000-20000 cm2/Vs 6000-20000 cm2/Vs 100-400 cm2/Vs
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
ORDITO <12um
marcatura laser su richiesta
Finitura superficiale P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

2. Mappa della planarità cucita di InAs Wafer:

Stitched Flatness Map of InAs Wafer

3. Applicazioni di arseniuro di indio

Il cristallo di arseniuro di indio ha un'elevata mobilità degli elettroni e un rapporto di mobilità (μe/μh = 70), un basso effetto di magneto-resistenza e un basso coefficiente di resistenza alla temperatura. Pertanto, la soluzione di arseniuro di indio è ideale per la produzione di dispositivi Hall e dispositivi magnetoresistivi.

Il substrato InAs a cristallo singolo può far crescere InAsSb/InAsPSb, InAsPSb e altri materiali eterostrutturali per produrre dispositivi a emissione di luce infrarossa con una lunghezza d'onda di 2-12 um.

I substrati a cristallo singolo di arsenidi di indio possono anche essere utilizzati per far crescere epitassialmente materiali strutturali a superreticolo InAsPSb per produrre laser a cascata quantistica nel medio infrarosso. Questi dispositivi a infrarossi hanno buone prospettive applicative nei campi del rilevamento di gas e della comunicazione in fibra ottica a basse perdite.

4. Influenza del processo di ricottura sugli strati di accumulo di elettroni superficiali di InAs Wafer

Utilizzare la spettroscopia Raman per studiare l'effetto della temperatura di ricottura sulle proprietà ottiche degli strati di accumulo di elettroni della superficie del wafer di arseniuro di indio di tipo n (100). Il risultato mostra che i picchi Raman causati da fononi LO non schermati scompariranno all'aumentare della temperatura. Possiamo anche vedere che lo strato di accumulo di elettroni sulla superficie dell'arseniuro di indio viene eliminato mediante ricottura. Il meccanismo analizzato mediante diffrazione di raggi X, spettroscopia fotoelettronica a raggi X e microcopia elettronica a trasmissione ad alta risoluzione mostra fasi In2O3 e As2O3 amorfe accumulate sul substrato di wafer InAs durante il processo di ricottura; un sottile cristallino Come film sottile formato all'interfaccia tra lo strato di ossido e il substrato del wafer, portando a una diminuzione dello spessore dello strato di elettroni superficiale.

    è stato aggiunto al tuo carrello:
    Cassa