Un substrato GaN autoportante per il viso
Offriamo un substrato GaN autoportante a piano compreso uno drogato con Si, non drogato e semi-isolante. Per il GaN indipendente, abbiamo una storia per controllare i macro difetti. Prima del 2000, abbiamo dedicato la ricerca del materiale GaN. Nel 2007 offriamo FS GaN su piccole quantità. Nel 2009 offriamo substrato GaN FS per la produzione in serie e classifichiamo la densità dei macro difetti: grado B: (5-10) cm-2o A <5 cm-2. Nel 2011 abbiamo un grande miglioramento: per le grandi dimensioni (2”), possiamo controllarle con macro difetti (0-2) cm-2. La specifica del substrato GaN a-plane (11-20) è la seguente:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato di cristallo GaN facciale drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN A-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Substrato GaN aereo autoportante non drogato
| Voce | GANW-FS-GAN A-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semi-isolante autoportante A-Plane
| Voce | GANW-FS-GAN A-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | > 10 6Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
