Un substrato GaN autoportante per il viso
We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2o A <5 cm-2. Nel 2011 abbiamo un grande miglioramento: per le grandi dimensioni (2”), possiamo controllarle con macro difetti (0-2) cm-2. La specifica del substrato GaN a-plane (11-20) è la seguente:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Substrato di cristallo GaN facciale drogato con Si
| Voce | GANW-FS-GAN A-N |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate
| Voce | GANW-FS-GAN A-U |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
3. Substrato GaN semi-isolante autoportante A-Plane
| Voce | GANW-FS-GAN A-SI |
| Dimensione | 5 x 10 mm2 |
| Spessore | 350 ±25 µm 430±25 µm |
| Orientamento | Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse M 0 ±0,5° |
| Un piano (11-20) fuori angolo verso l'asse C -1 ±0,2° | |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Resistività (300K) | > 10 6Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 micron |
| ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,2 nm, pronto per l'epi; |
| Lato posteriore: rettificato fine o lucidato. | |
| lussazione Densità | Da 1 x 105 a 5 x 106 cm-2 |
| Densità dei difetti macro | 0 cm-2 |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
