Substrato GaN autoportante di tipo N
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Specifiche del substrato indipendente GaN di tipo N
1.1 Substrato autoportante GaN drogato di tipo N da 4″
| Voce | GANW-FS-GaN100-N+ |
| Tipo conduzione | Tipo N/Si drogato |
| Dimensione | 4″(100) +/- 1 mm |
| Spessore | 480 +/- 50 |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5 ° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | <0.05Ω · cm |
| lussazione Densità | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra <= 0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato |
| superficie utile | ≥ 90% |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| Voce | GANW-FS-GaN100-N- |
| Tipo conduzione | N type/low doped |
| Dimensione | 4″(100) +/- 1 mm |
| Spessore | 480 +/- 50 |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5 ° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | <0.5Ω · cm |
| lussazione Densità | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra <= 0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato |
| superficie utile | ≥ 90% |
1.3 Film GaN drogato con Si da 2 pollici
| Voce | GANW-FS-GaN50-N+ |
| Tipo conduzione | Tipo N/Si drogato |
| Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro |
| Spessore | 400 +/- 50 |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5 ° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | <0.05Ω · cm |
| lussazione Densità | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato |
| superficie utile | ≥ 90% |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| Voce | GANW-FS-GaN50-N- |
| Tipo conduzione | N type/low doped |
| Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro |
| Spessore | 400 +/- 50 |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5 ° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | <0.5Ω · cm |
| lussazione Densità | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato |
| superficie utile | ≥ 90% |
2. Applicazione del substrato GaN
Allo stato attuale, l'applicazione del GaN è ancora dominata dai militari e ha gradualmente iniziato a spostarsi verso campi commerciali, come veicoli senza pilota, stazioni base di comunicazione wireless, ecc. E ci sono ampie prospettive di applicazione nei LED a luce bianca, a corto raggio laser a lunghezza d'onda, rivelatori di raggi ultravioletti e dispositivi ad alta potenza ad alta temperatura. La più grande applicazione di substrati GaN (come film sottile semiisolante / tipo P / tipo N GaN) appartiene attualmente ai laser, che vengono utilizzati principalmente nella produzione di diodi laser blu. Questi prodotti sono stati utilizzati come componenti chiave nei dischi Blu-ray e negli HD-DVD. Inoltre, questi laser fabbricati su substrato GaN con contatto ohmico sono anche molto adatti per display di proiezione, stampa ad alta precisione e campi di rilevamento ottico.
Inoltre, esiste un potenziale mercato dei wafer GaN nei rivelatori ottici, che includono principalmente il rilevamento della fiamma, il monitoraggio dell'ozono, il monitoraggio dell'inquinamento, l'analisi del sangue, il monitoraggio della disinfezione delle lampade al mercurio, i rivelatori laser e altre applicazioni che richiedono le caratteristiche delle zone cieche solari.
È prevedibile che con la graduale maturità della tecnologia dei substrati GaN, si prevede che substrati GaN a basso costo e di alta qualità saranno ampiamente utilizzati nei campi dei dispositivi microelettronici a semiconduttore e dei dispositivi optoelettronici.
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
