Substrato GaN autoportante di tipo N

Descrizione

1. Specifiche del substrato indipendente GaN di tipo N

1.1 Substrato autoportante GaN drogato di tipo N da 4″

1.2 4″ GaN non drogato, tipo N

1.3 Film GaN drogato con Si da 2 pollici

Film sottile GaN di tipo N da 1,4 2″ non drogato

2. Applicazione del substrato GaN

Allo stato attuale, l'applicazione del GaN è ancora dominata dai militari e ha gradualmente iniziato a spostarsi verso campi commerciali, come veicoli senza pilota, stazioni base di comunicazione wireless, ecc. E ci sono ampie prospettive di applicazione nei LED a luce bianca, a corto raggio laser a lunghezza d'onda, rivelatori di raggi ultravioletti e dispositivi ad alta potenza ad alta temperatura. La più grande applicazione di substrati GaN (come film sottile semiisolante / tipo P / tipo N GaN) appartiene attualmente ai laser, che vengono utilizzati principalmente nella produzione di diodi laser blu. Questi prodotti sono stati utilizzati come componenti chiave nei dischi Blu-ray e negli HD-DVD. Inoltre, questi laser fabbricati su substrato GaN con contatto ohmico sono anche molto adatti per display di proiezione, stampa ad alta precisione e campi di rilevamento ottico.

Inoltre, esiste un potenziale mercato dei wafer GaN nei rivelatori ottici, che includono principalmente il rilevamento della fiamma, il monitoraggio dell'ozono, il monitoraggio dell'inquinamento, l'analisi del sangue, il monitoraggio della disinfezione delle lampade al mercurio, i rivelatori laser e altre applicazioni che richiedono le caratteristiche delle zone cieche solari.

È prevedibile che con la graduale maturità della tecnologia dei substrati GaN, si prevede che substrati GaN a basso costo e di alta qualità saranno ampiamente utilizzati nei campi dei dispositivi microelettronici a semiconduttore e dei dispositivi optoelettronici.