Substrato semiisolante GaN autoportante
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Specifiche del substrato semiisolante GaN autoportante
1.1 Substrato semiisolante per wafer GaN da 4″
| Voce | GANW-FS-GaN100-SI |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Dimensione | 4″(100) +/- 1 mm |
| Spessore | 480 +/- 50 um |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5 ° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | >10^6Ω·cm |
| lussazione Densità | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidata pronta per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato |
| superficie utile | ≥ 90% |
1.2 Substrato semiisolato GaN da 2″ autoportante
| Voce | GANW-FS-GaN50-SI |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro |
| Spessore | 400 +/- 50 um |
| Orientamento | Asse C(0001) fuori angolo verso l'asse A 0,35°+/-0,15° |
| Luogo piatto primaria | (10-10) +/- 0,5° |
| Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro |
| Secondaria piatto Località | (1-210) +/- 3° |
| Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro |
| Resistività (300K) | >10^6Ω·cm |
| lussazione Densità | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100 sec.arco |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Finitura superficiale | Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi |
| — | Superficie posteriore: 1. Molatura fine |
| — | 2. Lucidato. |
| superficie utile | ≥ 90% |
2. Curve oscillanti XRD-RAPPORTO DI PROVA sul materiale GaN
Un rapporto di prova può mostrare la qualità dei wafer e la concordanza tra la descrizione ei dati dei wafer. Dopo il processo di fabbricazione, testeremo la caratterizzazione del wafer:
* Testare la rugosità della superficie del wafer al microscopio a forza atomica;
* Tipo di conducibilità del test con strumento di spettri romani;
* Test di resistività del wafer mediante apparecchiature di test di resistività senza contatto;
* Testare la densità del microtubo del wafer al microscopio polarizzatore.
Puliamo e imballeremo i wafer in un ambiente pulito di classe 100 dopo il test. Se le qualità dei wafer non soddisfano le specifiche personalizzate, lo toglieremo dopo il test.
La mezza altezza intera larghezza (FWHM) è la larghezza della curva spettrale misurata tra quei punti sull'asse Y. Il diagramma seguente mostra le curve di oscillazione XRD del materiale GaN testato:
