Substrato semiisolante GaN autoportante

Substrato semiisolante GaN autoportante

Il substrato semiisolante GaN (nitruro di gallio) autoportante è principalmente per dispositivi RF basati sulla struttura HEMT. PAM-XIAMEN, un produttore di substrati GaN autoportanti semiisolanti, ha costituito la tecnologia di produzione per wafer di substrati semiisolanti GaN autoportanti. Il wafer di substrato è per UHB-LED e LD. Il nostro substrato GaN cresciuto mediante epitassia in fase vapore idruro (HVPE) ha una bassa densità di difetti e una densità di macro difetti inferiore o libera. Ulteriori specifiche del substrato semiisolante GaN, vedere di seguito:

Descrizione

1. Specifiche del substrato semiisolante GaN autoportante

1.1 Substrato semiisolante per wafer GaN da 4″

Voce PAM-FS-GaN100-SI
Tipo conduzione Semiisolante
Dimensione 4″(100) +/- 1 mm
Spessore 480 +/- 50 um
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5 °
Luogo piatto primaria (10-10) +/- 0,5°
Primaria Lunghezza piatto 32 +/- 1 mm
Secondaria piatto Località (1-210) +/- 3°
Secondaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) >10^6Ω·cm
lussazione Densità <5×106cm-2
FWHM <=100 sec.arco
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidata pronta per l'epi
Superficie posteriore: 1. Molatura fine
2. Lucidato
superficie utile ≥ 90%

 

1.2 Substrato semiisolato GaN da 2″ autoportante

Voce PAM-FS-GaN50-SI
Tipo conduzione Semiisolante
Dimensione 2 "(50.8) +/- 1 millimetro
Spessore 400 +/- 50 um
Orientamento Asse C(0001) fuori angolo verso l'asse A 0,35°+/-0,15°
Luogo piatto primaria (10-10) +/- 0,5°
Primaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (1-210) +/- 3°
Secondaria Lunghezza piatto 8 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) >10^6Ω·cm
lussazione Densità <5×106cm-2
FWHM <=100 sec.arco
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Finitura superficiale Superficie frontale: Ra<=0,3 nm. Lucidato pronto per l'epi
Superficie posteriore: 1. Molatura fine
2. Lucidato.
superficie utile ≥ 90%

 

2. Curve oscillanti XRD-RAPPORTO DI PROVA sul materiale GaN

Un rapporto di prova può mostrare la qualità dei wafer e la concordanza tra la descrizione ei dati dei wafer. Dopo il processo di fabbricazione, testeremo la caratterizzazione del wafer:

* Testare la rugosità della superficie del wafer al microscopio a forza atomica;

* Tipo di conducibilità del test con strumento di spettri romani;

* Test di resistività del wafer mediante apparecchiature di test di resistività senza contatto;

* Testare la densità del microtubo del wafer al microscopio polarizzatore.

Puliamo e imballeremo i wafer in un ambiente pulito di classe 100 dopo il test. Se le qualità dei wafer non soddisfano le specifiche personalizzate, lo toglieremo dopo il test.

La mezza altezza intera larghezza (FWHM) è la larghezza della curva spettrale misurata tra quei punti sull'asse Y. Il diagramma seguente mostra le curve di oscillazione XRD del materiale GaN testato:

XRD Rocking Curves of GaN Material

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