Wafer InSb

Wafer InSb

Indium antimonide (InSb) has the highest electron mobility and saturation speed among all semiconductors, so it can be used in low power consumption and extremely high frequency devices. As a manufacturer of compound semiconductor InSb wafer, Ganwafer provide LEC grown III-V group indium antimonide substrates

Esistono molte potenziali applicazioni del wafer composto di antimonide di indio a causa della sua bassa temperatura di cristallizzazione, gap di banda stretto, elevata mobilità del vettore, processo a cristallo singolo di antimonide di indio di elevata purezza relativamente semplice, struttura cristallina di antimonide di indio completa e buona uniformità dei parametri elettrici. Il wafer di antimonide di indio è attualmente utilizzato nei transistor a effetto di campo (FET), rendendo il dispositivo digitale a basso consumo energetico e risposta rapida. Maggiori informazioni sul wafer di antimonio indio non esitate a contattarci.

Descrizione

I wafer di antimonide di indio pronti per l'epi-cristallo sono ancora uno dei principali semiconduttori utilizzati per la fabbricazione di componenti elettronici per l'elettronica a stato solido. Il wafer InSb viene utilizzato per la fabbricazione di fotocellule lineari e array azionate nella lunghezza d'onda di 3–5 mm e utilizzate come elementi fotosensibili nei sistemi di visione del calore.

Inoltre, gli array focali basati su film sottili di antimonide di indio vengono utilizzati come dispositivi speciali per la navigazione aerea e sistemi di puntamento di precisione, teste di tracciamento a infrarossi antiaerei, rivelatori a infrarossi marini e così via.

1. Specifiche del wafer InSb

Voce Specificazioni
Wafer Diametro 2″50,5±0,5mm
3″76,2±0,4 mm
4″1000.0±0.5mm
cristallo Orientamento 2″(111)AoB±0,1°
3″(111)AoB±0,1°
4″(111)AoB±0,1°
Spessore 2″625±25um
3″ 800 o 900 ± 25 um
4″1000±25um
Lunghezza piatta primaria 2″16±2mm
3″22±2mm
4″ 32,5 ± 2,5 mm
Lunghezza piatta secondaria 2″8±1mm
3″11±1mm
4″18±1mm
Finitura superficiale P/E, P/P
Pacchetto Epi-Ready, contenitore per wafer singolo o cassetta CF

 

2.Parametri elettrici e doping di wafer di antimonide di indio di tipo N e di tipo P

Tipo conduzione tipo n tipo n tipo n tipo n tipo p
drogante non drogato Tellurio Tellurio basso Tellurio alto Genmanio
EPD cm-2 2″3″4″≤50 2″≤100
Mobilità cm² V-1s-1 ≥4*105 ≥2,5*104 ≥2,5*105 Non specificato 8000-4000
Concentrazione vettore cm-3 5*1013-3*1014 (1-7)*1017 4*1014-2*1015 ≥1*1018 5*1014-3*1015

3. Ricerca sulla Lucidatura Chimica di InSb Wafer

La lucidatura meccanica causerà danni meccanici alla superficie del wafer InSb in una certa misura, aumenterà la rugosità superficiale del wafer e influirà sulle prestazioni del dispositivo finale. La lucidatura chimica può rimuovere i graffi superficiali del supporto InSb e ridurre la rugosità superficiale. Il substrato di antimonide di indio di tipo n o p viene lucidato meccanicamente e ulteriormente lucidato con una soluzione di Br_2-MeOH a bassa concentrazione. Confrontando la topografia, la variazione di spessore totale (TTV), la rugosità, la composizione superficiale e le impurità dei wafer InSb lucidati e non lucidati, i risultati mostrano che quando si lucidano i wafer InSb con una bassa concentrazione di soluzione di Br_2-MeOH, il tasso di corrosione è stabile, facile da controllo e può rimuovere efficacemente i graffi superficiali e ottenere una superficie a specchio liscia. La rugosità superficiale del wafer dopo la lucidatura chimica è di 6,443 nm, il TTV è di 3,4 μm e il rapporto atomico di In/Sb è vicino a 1. Rispetto alle tradizionali soluzioni di incisione CP4-A e CP4-B, la bassa concentrazione di Br_2- La soluzione MeOH è più adatta per la lucidatura chimica dei wafer InSb.

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