LED Epi su Zaffiro

LED Epi su Zaffiro

GaN LED epitaxy wafer is offered by LED Epi on Sapphire Manufacturer – Ganwafer for LED and laser diodes (LD) application, such as for micro LED or UV LED researches. Epitaxy wafer for LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.


Specifiche GaN su Al2O3 – 2” epi wafer (LED epitassiale wafer):

UV: 365 +/- 5 nm

UV: 405 +/- 5 nm

Bianco: 445-460 nm

Blu: 465-475 nm

Verde: 510-530 nm

1. LED blu o verde Epi su Sapphire Wafer

1.1 Struttura di Micro LED Epitaxy su Sapphire Wafer

strati di struttura Spessore (micron)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (area attiva) 0.2
n-GaN 2.5
u-GaN 3.5
Al2O3 (substrato)


1.2 Specifica del wafer Epi a LED blu o verde su substrato di zaffiro

Voce Requisito gamma
Tecnologia di crescita MOCVD
Wafer Diametro 2″ o 4″(prendere 4″esempio sotto)
Materiale del substrato di wafer Substrato in zaffiro piatto o Substrato in zaffiro modellato
Diametro del substrato 100 millimetri +/- 0,25 mm
Spessore del substrato 650um +/- 25 um
c-plane(0001),angolo di sfalsamento verso m-plane 0,2 gradi +/-0,1 gradi
singola lunghezza primaria piatta 30 millimetri +/- 1 mm
Orientamento piatto un aereo
Lunghezza d'onda di emissione PL 450-460 nm (blu)
520-530 nm (verde)
Lunghezza d'onda PL FWHM 17-18 (blu)
30-35 (verde)
Curva oscillante XRD (002) =<200 +/-20
Curva oscillante XRD (102) =<200 +/-20
Superficie laterale anteriore, AFM (5*5 um2) Ra <0,5 nm
wafer inchinandosi <45 +/-10
Spessore totale del LED 5,5 um +/- 0,2 um
Variazione di spessore totale 3%
Densità del difetto (macroscopico) <5E8/cm-2


1.3 Dati di prova dell'epitassia LED

002 102 In_comp InGaN_THK GaN_THK Coppia_THK
178.6 193.2 9.48 41.7 82.5 124.2


WLP_Media WLP_Std PI_Media PI_Std WLD_Media WLD_Std INT_media INT_Std
448.34 3.729 1.673 0.494 454.999 2.747 117.883 0.167


HW_Media HW_Std TH_Media TH_Std PR_Media PR_Std LOP_Media LOP_Std
16.387 6.1 0.092 290.56 7.176 136.312 0.874 2060


2. Epi LED UV su zaffiro

Struttura del wafer, 365 nm o 405 nm:



Falciatrici AlGaN/InGaN



AlGaN non drogato

substrato di zaffiro


The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!

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