LED/LD Epi su substrato di silicio

LED/LD Epi su substrato di silicio

I substrati in silicio sono diventati uno dei materiali per substrati che i fornitori globali di LED/LD investono attivamente in ricerca e sviluppo. Rispetto ai substrati SiC e zaffiro, i substrati di silicio presentano due vantaggi principali: in primo luogo, i materiali in silicio sono molto più economici del carburo di silicio e dello zaffiro e sono facili da ottenere substrati di grandi dimensioni, il che ridurrà significativamente il costo della crescita epitassiale; in secondo luogo, il materiale epitassiale di illuminazione a LED GaN su silicio è molto adatto per rimuovere il percorso della tecnologia di trasferimento del film del substrato e presenta vantaggi unici per lo sviluppo di chip di illuminazione a semiconduttore ad alta efficienza e alta affidabilità.

Per quanto riguarda il GaN LD, la struttura del band gap indiretto del silicio determina che è difficile che emetta luce in modo efficiente, mentre i laser fabbricati su wafer epitassiale GaN / Si hanno un'ampia gamma di applicazioni nell'archiviazione di informazioni, display laser, fari automobilistici , comunicazioni in luce visibile, comunicazioni sottomarine e applicazioni biomediche. La crescita di laser GaN-on-Si di alta qualità non solo può ridurre notevolmente i costi di produzione dei laser a base di GaN con l'aiuto di wafer di silicio di grandi dimensioni e a basso costo e le linee di processo automatizzate, ma può anche fornire un nuovo percorso tecnico per l'integrazione di sistemi di laser e altri dispositivi optoelettronici con dispositivi elettronici a base di silicio.

Descrizione

Blue GaN on Si LED wafer and GaN LD Epi on Silicon Substrate can be provided by Ganwafer, a GaN on Si foundry, as follows:

1. Wafer epitassiale di LED GaN su silicio con emissione blu

Parametri LED Epi
Struttura Epi: LED blu
Si(111) substrati
( 1500um)
t(nm) Composizione Doping
A1% Nel% [Si] [Mg]
AIN / / / / /
tampone AIGaN / classificato
fuori uso
/ / /
GaN non drogato / / / /
N-GaN / / / 8.0E+18 /
MQW
(7 paia)
lnGaN-QW / / 15% / /
GaN-QB / / / 2.0E+17 l
p-AlGaN / 15% / / /
P-GaN / / / / /
P++ GaN / / / / /

 

Gli elettrodi del chip del substrato di silicio possono essere contattati in due modi, ovvero contatto L (contatto laterale, contatto orizzontale) e contatto V (contatto verticale), quindi la corrente all'interno del chip LED può fluire lateralmente, oppure può fluire verticalmente . Pertanto, la corrente può fluire longitudinalmente; l'area di emissione della luce del LED è aumentata, migliorando così l'efficienza di emissione della luce del LED. GaN on Si epi wafer è diventata la soluzione più potenziale ad alta efficienza ea basso costo per l'optoelettronica.
In addition, we can offer 2″ InGaN/GaN quantum well blue LD wafer on sapphire or silicon substrate (GANW-190909-GAN-LD):

2. Specifica di 440-460 nm LD Wafer con GaN su Si Superlattice

Voce Descrizioni Materiale Substrato
laser blu 440-460 nm InGaN Substrato di silicio da 2 pollici***
GaN Blue LD EPI Wafer Spec
Spec
Dimensione del wafer EPI
Crescita MOCVD
Diametro 50,8 ± 0,2 mm
Spessore 430 ± 30 um
Spessore EPI ehm
Struttura del wafer EPI
Livello di contatto tipo p GaN
Strato di rivestimento Superlattice tipo p GaN
Strato di blocco degli elettroni tipo p AlGaN
Strato guida d'onda InGaN non drogato
Livello QW e QB InGaN e GaN
Strato guida d'onda n digitare InGaN
Strato di rivestimento n tipo AlGaN
Substrato Silicio

 

Rispetto al GaN sui LED Si, la densità di corrente di lavoro dei laser fabbricati su GaN su substrato Si è di 2-3 ordini di grandezza superiore, il che richiede una maggiore qualità del materiale. Inoltre, i laser a emissione finale basati su GaN devono far crescere uno strato di guida d'onda e uno strato di confinamento del campo ottico sopra e sotto il pozzo quantico. Lo strato di confinamento del campo ottico è solitamente un materiale AlGaN a basso indice di rifrazione, che provoca ulteriore stress di trazione. Ciò rende i materiali laser coltivati ​​su GaN su wafer Si epi hanno requisiti molto più elevati rispetto ai LED in termini di controllo dello stress e controllo dei difetti e le sfide per il processo GaN su Si sono maggiori.
Le prestazioni dei nostri wafer epitassiali LD GaN su Si hanno raggiunto il livello avanzato internazionale e sono ampiamente utilizzate nelle comunicazioni 5G, radar laser, pompaggio laser, display laser e altri campi.

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