Tipo N GaN su zaffiro, silicio o modello SiC
I prodotti modello di Ganwafer sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (GaN), che viene depositato su substrati di zaffiro. I prodotti modello di Ganwafer consentono tempi di ciclo epitassiale più brevi del 20-50% e strati di dispositivi epitassiali di qualità superiore, con una migliore qualità strutturale e una maggiore conduttività termica, che possono migliorare i dispositivi in termini di costo, resa e prestazioni
I modelli GaN su zaffiro di Ganwafer sono disponibili in diametri da 2″ fino a 6″ e sono costituiti da un sottile strato di GaN cristallino cresciuto su un substrato di zaffiro. Modelli pronti per Epi ora disponibili.
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Specifica del modello GaN/zaffiro di tipo N
1.1 Substrati GaN/zaffiro drogati con SI da 4 pollici
| Voce | GANW-T-GaN-100-N |
| Dimensione | 100 ± 0,1 mm |
| Spessore | 4,5 ± 0,5 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | >1x1018cm-3(≈concentrazione di drogante) |
| Mobilità | ~ 200 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | > 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 4,5 ± 0,5 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/650 ± 25 μm zaffiro |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
1.2 Substrati GaN/zaffiro non drogati da 4 pollici
| Voce | GANW-T-GaN-100-U |
| Dimensione | 100 ± 0,1 mm |
| Spessore | 4,5 ± 0,5 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,5 Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | <5x1017cm-3 |
| Mobilità | ~ 300 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 4,5 ± 0,5 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/650 ± 25 μm zaffiro |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
Substrati GaN/zaffiro drogati con SI da 1,3 2 pollici
| Voce | GANW-T-GaN-50-N |
| Dimensione | 50,8 ±0,1 mm |
| Spessore | 5 ±1 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | >1x1018cm-3(≈concentrazione di drogante) |
| Mobilità | ~ 200 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | > 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/430 ±25 μm zaffiro |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
Substrati GaN/zaffiro da 1,4 2 pollici non drogati
| Voce | GANW-T-GaN-50-U |
| Dimensione | 50,8 ±0,1 mm |
| Spessore | 5 ±1 micron |
| Orientamento del GaN | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Tipo conduzione | Tipo N |
| Resistività (300K) | < 0,5 Ω·cm |
| Concentrazione Carrier | <5X1017CM-3 |
| Mobilità | ~ 300 cm2 / V·s |
| lussazione Densità | < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD) |
| Struttura | 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/430 ±25 μm zaffiro |
| Orientamento dello zaffiro | Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1° |
| Orientamento Piatto di Zaffiro | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Ruvidezza della superficie: | Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi; |
| Retro: acidato o lucidato. | |
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione bordi e macro difetti) |
| Pacchetto | ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100 |
1.5 Elenco di GaN di tipo N sul modello di silicio
| Descrizione | Tipo | drogante | Substrato | Dimensione | Spessore GaN | Superficie |
| Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN | Tipo N. | non drogato | Si (111) substrati | 4 " | 2um | lucidato su un lato |
| Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN | Tipo N. | Si drogato | Si (111) substrati | 4 " | 2um | lucidato su un lato |
| Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN | Tipo N. | non drogato | Si (111) substrati | 2 " | 2um | lucidato su un lato |
| Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN | Tipo N. | Si drogato | Si (111) substrati | 2 " | 2um | lucidato su un lato |
2. Specifica di dettaglio di GaN sul modello di silicio
2.1 4″ Dia, tipo N GaN su silicio
4″ di diametro, GaN su silicio (GaN su Si)
Dimensioni: 100 +/- 0,1 mm
Spessore strato GaN: 2um
Strato GaN Conducibilità: tipo n, drogato con Si.
Struttura:GaN su silicio(111).
Concentrazione di doping: xxxcm-3
XRD(102)<xx sec.arco
XRD(002)<xx sec.arco
Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra<0,5 nm
Confezione: Imballato in ambiente di camera bianca di classe 100, in un unico contenitore, in atmosfera di azoto.
2.2 2″ Dia, Si drogato GaN su silicio
GaN su silicio,2” diam,
Spessore dello strato GaN: 1,8 um
Strato GaN: tipo n, drogato con Si.
Resistività: <0,05ohm.cm
Struttura:GaN su silicio(111).
XRD(102)<300sec.arco
XRD(002)<400sec.arco
Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra <0,5 nm
Concentrazione del vettore: 5E17~5E18
2.2.1 Piatto primario di GaN su silicio
3. Specifica del GaN su SiC Template
GaN da 2″ o 4″ su substrato SiC 4H o 6H
| 1) Sono disponibili buffer GaN non protetti o buffer AlN; | ||||
| 2) disponibili strati epitassiali di tipo n (Si drogato o non drogato), di tipo p o semi-isolanti in GaN; | ||||
| 3)strutture conduttive verticali su SiC di tipo n o semiisolante; | ||||
| 4) AlGaN – 20-60 nm di spessore, (20% -30% Al), tampone drogato con Si; | ||||
| 5) Strato GaN di tipo n su wafer da 350µm +/- 25um di spessore da 2” o 4”. | ||||
| 6) Singolo o doppio lato lucido, pronto per l'epilazione, Ra<0.5um | ||||
| 7) Valore tipico su XRD: | ||||
| ID wafer | ID substrato | XRD (102) | XRD (002) | Spessore |
| #2153 | X-70105033 (con AlN) | 298 | 167 | 679um |
4. Report FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire
È necessario un rapporto di prova per dimostrare la conformità tra la descrizione personalizzata e i dati finali dei nostri wafer. Testeremo la caratterizzazione del wafer mediante apparecchiature prima della spedizione, test della rugosità superficiale mediante microscopio a forza atomica, tipo mediante strumento di spettri romani, resistività mediante apparecchiature per prove di resistività senza contatto, densità del microtubo mediante microscopio polarizzatore, orientamento mediante orientatore a raggi X ecc. se il i wafer soddisfano il requisito, li puliremo e li imballeremo in una stanza bianca di 100 classi, se i wafer non corrispondono alle specifiche personalizzate, lo toglieremo.
Progetto di test: progetto FWHM e XRD
La mezza altezza intera larghezza (FWHM) è un'espressione dell'intervallo di funzioni dato dalla differenza tra due valori estremi della variabile indipendente pari alla metà del suo massimo. In altre parole, è la larghezza della curva spettrale misurata tra quei punti sull'asse Y, che è metà dell'ampiezza massima.
Di seguito è riportato un esempio di FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire:
FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire
5. Spettri PL a bassa temperatura (a 77 K) di pellicole GaN cresciute su diversi substrati
La Figura 1 mostra uno spettro PL a bassa temperatura (a 77 K) di film GaN cresciuti su diversi substrati. Gli spettri PL di GaN cresciuti su diversi substrati sono dominati dall'emissione vicino al bordo della banda a circa 360 nm. L'intera larghezza a metà massimo (FWHM) dei film GaN prodotti sui campioni A (4 nm) e B (8 nm) è più stretta di quella dei film cresciuti sui campioni C (10 nm) e D (13 nm), indicando la bassa densità di difetti e l'elevata qualità cristallina dei film GaN a causa del loro disadattamento del reticolo inferiore, che è coerente con i risultati XRD. Sono state osservate anche tendenze simili del picco di emissione della banda gialla su questi campioni (dati non mostrati qui). La luminescenza gialla è correlata a difetti di livello profondo in GaN.
Figura 1. Spettri di fotoluminescenza (PL) a bassa temperatura (a 77 K) di film GaN cresciuti su diversi substrati. FWHM: larghezza intera a metà massimo
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. From August 1, 2023 on, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding!
