Tipo N GaN su zaffiro, silicio o modello SiC

Tipo N GaN su zaffiro, silicio o modello SiC

I Template Products di PAM-XIAMEN sono costituiti da strati cristallini di nitruro di gallio (GaN), che si deposita su substrati di zaffiro. I prodotti modello di PAM-XIAMEN consentono tempi di ciclo epitassiali più brevi del 20-50% e strati di dispositivi epitassiali di qualità superiore, con una migliore qualità strutturale e una maggiore conduttività termica, che possono migliorare i dispositivi in ​​termini di costi, resa e prestazioni

I modelli GaN su zaffiro di PAM-XIAMEN sono disponibili in diametri da 2″ fino a 6″ e sono costituiti da un sottile strato di GaN cristallino cresciuto su un substrato di zaffiro. Modelli pronti per l'Epi ora disponibili.

Descrizione

1. Specifica del modello GaN/zaffiro di tipo N

1.1 Substrati GaN/zaffiro drogati con SI da 4 pollici

Voce PAM-T-GaN-100-N
Dimensione 100 ± 0,1 mm
Spessore 4,5 ± 0,5 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,05Ω·cm
Concentrazione Carrier >1x1018cm-3(≈concentrazione di drogante)
Mobilità ~ 200 cm2 / V·s
lussazione Densità > 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 4,5 ± 0,5 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/650 ± 25 μm zaffiro
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

1.2 Substrati GaN/zaffiro non drogati da 4 pollici

Voce PAM-T-GaN-100-U
Dimensione 100 ± 0,1 mm
Spessore 4,5 ± 0,5 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,5 Ω·cm
Concentrazione Carrier <5x1017cm-3
Mobilità ~ 300 cm2 / V·s
lussazione Densità < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 4,5 ± 0,5 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/650 ± 25 μm zaffiro
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

Substrati GaN/zaffiro drogati con SI da 1,3 2 pollici

Voce PAM-T-GaN-50-N
Dimensione 50,8 ±0,1 mm
Spessore 5 ±1 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,05 Ω·cm
Concentrazione Carrier >1x1018cm-3(≈concentrazione di drogante)
Mobilità ~ 200 cm2 / V·s
lussazione Densità > 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/430 ±25 μm zaffiro
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

Substrati GaN/zaffiro da 1,4 2 pollici non drogati

Voce PAM-T-GaN-50-U
Dimensione 50,8 ±0,1 mm
Spessore 5 ±1 micron
Orientamento del GaN Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse A 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di GaN (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Tipo conduzione Tipo N
Resistività (300K) < 0,5 Ω·cm
Concentrazione Carrier <5X1017CM-3
Mobilità ~ 300 cm2 / V·s
lussazione Densità < 5x108 cm-2 (stimato da FWHM di XRD)
Struttura 5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN strato tampone/430 ±25 μm zaffiro
Orientamento dello zaffiro Piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M 0,2 ±0,1°
Orientamento Piatto di Zaffiro (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm
Ruvidezza della superficie: Lato anteriore: Ra<0,5 nm, pronto per l'epi;
Retro: acidato o lucidato.
Area utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)
Pacchetto ciascuno in contenitore a cialda singola, in atmosfera di azoto, confezionato in camera bianca classe 100

 

1.5 Elenco di GaN di tipo N sul modello di silicio

Descrizione Tipo drogante Substrato Dimensione Spessore GaN Superficie
Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN Tipo N. non drogato Si (111) substrati 4 " 2um lucidato su un lato
Modello GaN su wafer di silicio da 4″, film GaN Tipo N. Si drogato Si (111) substrati 4 " 2um lucidato su un lato
Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN Tipo N. non drogato Si (111) substrati 2 " 2um lucidato su un lato
Modello GaN su wafer di silicio da 2″, film GaN Tipo N. Si drogato Si (111) substrati 2 " 2um lucidato su un lato

 

2. Specifica di dettaglio di GaN sul modello di silicio

2.1 4″ Dia, tipo N GaN su silicio

4″ di diametro, GaN su silicio (GaN su Si)
Dimensioni: 100 +/- 0,1 mm
Spessore strato GaN: 2um
Strato GaN Conducibilità: tipo n, drogato con Si.
Struttura:GaN su silicio(111).
Concentrazione di doping: xxxcm-3
XRD(102)<xx sec.arco
XRD(002)<xx sec.arco
Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra<0,5 nm
Confezione: Imballato in ambiente di camera bianca di classe 100, in un unico contenitore, in atmosfera di azoto.

2.2 2″ Dia, Si drogato GaN su silicio

GaN su silicio,2” diam,

Spessore dello strato GaN: 1,8 um

Strato GaN: tipo n, drogato con Si.

Resistività: <0,05ohm.cm

Struttura:GaN su silicio(111).

XRD(102)<300sec.arco

XRD(002)<400sec.arco

Lucidato su un lato, pronto per l'epi, Ra <0,5 nm

Concentrazione del vettore: 5E17~5E18

2.2.1 Piatto primario di GaN su silicio

3. Specifica del GaN su SiC Template

GaN da 2″ o 4″ su substrato SiC 4H o 6H

1) Sono disponibili buffer GaN non protetti o buffer AlN;
2) disponibili strati epitassiali di tipo n (Si drogato o non drogato), di tipo p o semi-isolanti in GaN;
3)strutture conduttive verticali su SiC di tipo n o semiisolante;
4) AlGaN – 20-60 nm di spessore, (20% -30% Al), tampone drogato con Si;
5) Strato GaN di tipo n su wafer da 350µm +/- 25um di spessore da 2” o 4”.
6) Singolo o doppio lato lucido, pronto per l'epilazione, Ra<0.5um
7) Valore tipico su XRD:
ID wafer ID substrato XRD (102) XRD (002) Spessore
#2153 X-70105033 (con AlN) 298 167 679um

 

4. Report FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire

È necessario un rapporto di prova per dimostrare la conformità tra la descrizione personalizzata e i dati finali dei nostri wafer. Testeremo la caratterizzazione del wafer mediante apparecchiature prima della spedizione, test della rugosità superficiale mediante microscopio a forza atomica, tipo mediante strumento di spettri romani, resistività mediante apparecchiature per prove di resistività senza contatto, densità del microtubo mediante microscopio polarizzatore, orientamento mediante orientatore a raggi X ecc. se il i wafer soddisfano il requisito, li puliremo e li imballeremo in una stanza bianca di 100 classi, se i wafer non corrispondono alle specifiche personalizzate, lo toglieremo.

Progetto di test: progetto FWHM e XRD

La mezza altezza intera larghezza (FWHM) è un'espressione dell'intervallo di funzioni dato dalla differenza tra due valori estremi della variabile indipendente pari alla metà del suo massimo. In altre parole, è la larghezza della curva spettrale misurata tra quei punti sull'asse Y, che è metà dell'ampiezza massima.

Di seguito è riportato un esempio di FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire:

FWHM e XRD di GaN su modello Sapphire

5. Spettri PL a bassa temperatura (a 77 K) di pellicole GaN cresciute su diversi substrati

La Figura 1 mostra uno spettro PL a bassa temperatura (a 77 K) di film GaN cresciuti su diversi substrati. Gli spettri PL di GaN cresciuti su diversi substrati sono dominati dall'emissione vicino al bordo della banda a circa 360 nm. L'intera larghezza a metà massimo (FWHM) dei film GaN prodotti sui campioni A (4 nm) e B (8 nm) è più stretta di quella dei film cresciuti sui campioni C (10 nm) e D (13 nm), indicando la bassa densità di difetti e l'elevata qualità cristallina dei film GaN a causa del loro disadattamento del reticolo inferiore, che è coerente con i risultati XRD. Sono state osservate anche tendenze simili del picco di emissione della banda gialla su questi campioni (dati non mostrati qui). La luminescenza gialla è correlata a difetti di livello profondo in GaN.

Figura 1. Spettri di fotoluminescenza (PL) a bassa temperatura (a 77 K) di film GaN cresciuti su diversi substrati. FWHM: larghezza intera a metà massimo

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