N Jenis GaN pada Templat Nilam, Silikon atau SiC

Penerangan

1. Spesifikasi Templat GaN/Nilam Jenis N

1.1 Substrat GaN/Nilam Berdop SI 4 inci

Perkara	GANW-T-GaN-100-N
dimensi	100 ±0.1 mm
ketebalan	4.5 ±0.5 μm
Orientasi GaN	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi A 0.2 ±0.1°
Flat Orientasi GaN	(1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Jenis pengaliran	N-jenis
Kerintangan (300K)	< 0.05Ω·cm
Konsentrasi Pembawa	>1x1018cm-3(≈kepekatan doping)
Mobility	~ 200cm2 / V·s
kehelan Ketumpatan	> 5x108cm-2(dianggarkan oleh FWHM XRD)
struktur	4.5 ±0.5μm GaN/~ 50 nm lapisan penimbal uGaN/650 ±25 μm nilam
Orientasi Sapphire	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi-M 0.2 ±0.1°
Orientasi Flat of Sapphire	(11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Kekasaran permukaan:	Bahagian hadapan: Ra<0.5nm, sedia epi;
	Bahagian belakang: terukir atau digilap.
Kawasan Boleh Digunakan	> 90% (pengecualian kecacatan tepi dan makro)
Pakej	setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

1.2 Substrat GaN/Nilam Tidak Terikat 4 inci

Perkara	GANW-T-GaN-100-U
dimensi	100 ±0.1 mm
ketebalan	4.5 ±0.5 μm
Orientasi GaN	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi A 0.2 ±0.1°
Flat Orientasi GaN	(1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Jenis pengaliran	N-jenis
Kerintangan (300K)	< 0.5 Ω·cm
Konsentrasi Pembawa	<5x1017cm-3
Mobility	~ 300cm2 / V·s
kehelan Ketumpatan	< 5x108cm-2(dianggarkan oleh FWHM XRD)
struktur	4.5 ±0.5μm GaN/~ 50 nm lapisan penimbal uGaN/650 ±25 μm nilam
Orientasi Sapphire	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi-M 0.2 ±0.1°
Orientasi Flat of Sapphire	(11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Kekasaran permukaan:	Bahagian hadapan: Ra<0.5nm, sedia epi;
	Bahagian belakang: terukir atau digilap.
Kawasan Boleh Digunakan	> 90% (pengecualian kecacatan tepi dan makro)
Pakej	setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

1.3 Substrat GaN/Nilam Berdop SI 2 inci

Perkara	GANW-T-GaN-50-N
dimensi	50.8 ±0.1 mm
ketebalan	5 ±1 μm
Orientasi GaN	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi A 0.2 ±0.1°
Flat Orientasi GaN	(1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Jenis pengaliran	N-jenis
Kerintangan (300K)	< 0.05 Ω·cm
Konsentrasi Pembawa	>1x1018cm-3(≈kepekatan doping)
Mobility	~ 200cm2 / V·s
kehelan Ketumpatan	> 5x108cm-2(dianggarkan oleh FWHM XRD)
struktur	5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN lapisan penimbal/430 ±25 μm nilam
Orientasi Sapphire	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi-M 0.2 ±0.1°
Orientasi Flat of Sapphire	(11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Kekasaran permukaan:	Bahagian hadapan: Ra<0.5nm, sedia epi;
	Bahagian belakang: terukir atau digilap.
Kawasan Boleh Digunakan	> 90% (pengecualian kecacatan tepi dan makro)
Pakej	setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

1.4 2 inci Substrat GaN/Nilam Tidak Tertutup

Perkara	GANW-T-GaN-50-U
dimensi	50.8 ±0.1 mm
ketebalan	5 ±1 μm
Orientasi GaN	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi A 0.2 ±0.1°
Flat Orientasi GaN	(1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Jenis pengaliran	N-jenis
Kerintangan (300K)	< 0.5 Ω·cm
Konsentrasi Pembawa	<5X1017CM-3
Mobility	~ 300cm2 / V·s
kehelan Ketumpatan	< 5x108cm-2(dianggarkan oleh FWHM XRD)
struktur	5 ±1 μm GaN/~ 50 nm uGaN lapisan penimbal/430 ±25 μm nilam
Orientasi Sapphire	C satah (0001) luar sudut ke arah paksi-M 0.2 ±0.1°
Orientasi Flat of Sapphire	(11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 mm
Kekasaran permukaan:	Bahagian hadapan: Ra<0.5nm, sedia epi;
	Bahagian belakang: terukir atau digilap.
Kawasan Boleh Digunakan	> 90% (pengecualian kecacatan tepi dan makro)
Pakej	setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

1.5 Senarai GaN jenis-N pada Templat Silikon

Penerangan	taip	Dopant	substrat	Saiz	Ketebalan GaN	permukaan
Templat GaN pada 4″ Silicon Wafer, filem GaN	Jenis N	tidak terkopong	Si (111) substrat	4 "	2um	sebelah digilap
Templat GaN pada 4″ Silicon Wafer, filem GaN	Jenis N	Si doped	Si (111) substrat	4 "	2um	sebelah digilap
Templat GaN pada 2″ Silicon Wafer, filem GaN	Jenis N	tidak terkopong	Si (111) substrat	2 "	2um	sebelah digilap
Templat GaN pada 2″ Silicon Wafer, filem GaN	Jenis N	Si doped	Si (111) substrat	2 "	2um	sebelah digilap

 

2. Spesifikasi Perincian GaN pada Templat Silikon

2.1 4″ Dia, N Jenis GaN pada Silikon

4″ dia, GaN pada silikon (GaN pada Si)
Dimensi: 100+/-0.1mm
Ketebalan lapisan GaN: 2um
Lapisan GaN Kekonduksian: jenis n, Si doped.
Struktur:GaN pada Silikon(111).
Kepekatan doping: xxxcm-3
XRD(102)<xx arc.sec
XRD(002)<xx arc.sec
Sebelah tunggal digilap, sedia epi, Ra<0.5nm
Pakej:Dibungkus dalam persekitaran bilik bersih kelas 100, dalam bekas tunggal, di bawah suasana nitrogen.

2.2 2″ Dia, Si Doped GaN pada Silikon

GaN pada silikon, 2” dia,

Ketebalan lapisan GaN: 1.8um

Lapisan GaN: jenis n, Si doped.

Kerintangan:<0.05ohm.cm

Struktur:GaN pada Silikon(111).

XRD(102)<300arc.sec

XRD(002)<400arc.sec

Satu Sebelah Digilap, Sedia Epi, Ra<0.5nm

Kepekatan pembawa: 5E17~5E18

2.2.1 Rata utama GaN pada Silikon

3. Spesifikasi GaN pada Templat SiC

2″ atau 4” GaN pada Substrat SiC 4H atau 6H

1) Penyangga GaN yang belum diganti atau penyangga AlN tersedia;
2)jenis-n(Si doped atau undoped), lapisan epitaxial GaN jenis p atau separa penebat tersedia;
3) struktur konduktif menegak pada SiC jenis-n atau separa penebat;
4)AlGaN – tebal 20-60nm, (20%-30%Al), penimbal terdop Si;
5) Lapisan jenis-n GaN pada wafer 350µm+/-25um tebal 2” atau 4”.
6) Satu atau dua bahagian digilap, sedia epi, Ra<0.5um
7) Nilai tipikal pada XRD:
Wafer ID	ID substrat	XRD (102)	XRD (002)	ketebalan
#2153	X-70105033 (dengan AlN)	298	167	679um

 

4. Laporan FWHM dan XRD GaN pada Templat Sapphire

Laporan ujian diperlukan untuk menunjukkan pematuhan antara perihalan tersuai dan data wafer akhir kami. Kami akan menguji pencirian wafer oleh peralatan sebelum penghantaran, menguji kekasaran permukaan oleh mikroskop daya atom, jenis oleh instrumen spektrum Rom, kerintangan oleh peralatan ujian kerintangan bukan sentuhan, ketumpatan mikropip dengan mikroskop polarisasi, orientasi oleh Orientator sinar-X dsb. jika wafer memenuhi keperluan, kami akan membersihkan dan membungkusnya dalam 100 bilik bersih kelas, jika wafer tidak sepadan dengan spesifikasi tersuai, kami akan menanggalkannya.

Projek Pengujian: projek FWHM dan XRD

Lebar penuh separuh tinggi (FWHM) ialah ungkapan julat fungsi yang diberikan oleh perbezaan antara dua nilai ekstrem pembolehubah bebas yang sama dengan separuh daripada maksimumnya. Dalam erti kata lain, ia ialah lebar lengkung spektrum yang diukur antara titik tersebut pada paksi Y, iaitu separuh daripada amplitud maksimum.

Di bawah ialah contoh templat FWHM dan XRD GaN pada Sapphire:

FWHM dan XRD GaN pada templat Sapphire

5. Spektrum PL Suhu Rendah (pada 77 K) Filem GaN Ditanam pada Substrat Berbeza

Rajah 1 menunjukkan spektrum PL suhu rendah (pada 77 K) filem GaN yang ditanam pada substrat yang berbeza. Spektrum PL GaN yang ditanam pada substrat yang berbeza dikuasai oleh pelepasan tepi-dekat pada sekitar 360 nm. Lebar penuh pada separuh maksimum (FWHM) filem GaN yang dihasilkan pada sampel A (4 nm) dan B (8 nm) adalah lebih sempit daripada filem yang ditanam pada sampel C (10 nm) dan D (13 nm), menunjukkan ketumpatan kecacatan rendah dan kualiti kristal tinggi filem GaN disebabkan ketidakpadanan kekisi yang lebih rendah, yang konsisten dengan keputusan XRD. Trend yang sama bagi puncak pelepasan jalur kuning pada sampel ini juga diperhatikan (data tidak ditunjukkan di sini). Pencahayaan kuning berkaitan dengan kecacatan aras dalam dalam GaN.

Rajah 1. Spektrum photoluminescence (PL) suhu rendah (pada 77 K) filem GaN yang ditanam pada substrat yang berbeza. FWHM: lebar penuh pada separuh maksimum

 

Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!