AlN su Zaffiro/Silicio
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Descrizione
- Inchiesta
Descrizione
1. Elenco wafer per modelli AlN
Sagoma AlN non drogata su zaffiro, 2″, strato AlN 2um o 4um – lucidato su un lato o lucidato su entrambi i lati
Sagoma AlN non drogata su silicone, 2″, strato AlN 1um – lucidato su un lato
Sagoma AlN non drogata su Sapphire, 4″, AlN layer1um – lucidato su un lato o lucidato su entrambi i lati
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25nm AlN su (111) Si
6″ 25nm AlN su (111) Si
Modello AlN non drogato su silicio da 4″ (Si <111>, tipo P, drogato B) 4″x 500 nm
2. Specifiche di AlN su substrato di zaffiro
2.1 Substrato in zaffiro con rivestimento AlN da 2″
| Voce | GANW-AlNT-SI |
| Diametro | 50,8 mm ± 1 mm |
| Spessore AlN: | 2um o 4um |
| Tipo conduzione | Semiisolante |
| Orientamento | Asse C (0001) +/- 1 ° |
| Orientamento piatto | Un aereo |
| XRD FWHM di (0002) | <150 sec. |
| XRD FWHM di (10-12) | <450 sec. |
| Struttura | Tampone AlN/AlN 1-5um/Zaffiro |
| Substrato: | zaffiro, 430 +/- 25 um |
| Esclusione del bordo | ≤2,5 mm |
| Attraverso Crack | Nessuno |
| Superficie utilizzabile | ≥90% |
| Superficie | Lucidato su un lato, pronto per l'Epi |
| Imballaggio: in atmosfera di azoto, in ambiente da 100 camere bianche. | |
2.2 4″ Dimensioni AlN su substrato di wafer in zaffiro
| Voce | GANW-AlNT-S 190822 |
| Diametro | Dia.100mm ± 1mm |
| Tipo conduzione | Semi-isolante |
| Spessore: | 1um |
| Substrato: | Zaffiro |
| Orientamento: | Asse C (0001) +/- 1 ° |
| Orientamento piatto | Un aereo |
| XRD FWHM di (0002) | <1000 sec. |
| Ruvidezza della superficie | <2 miglia nautiche |
| Superficie utilizzabile | ≥90% |
| Condizione polacca | Lucidato su un lato o lucidato su entrambi i lati. |
| Pacchetto | Contenitore singolo wafer, in atmosfera di azoto, in ambiente clean room di classe 100. |
3. Crescita epitassiale di AlN su zaffiro
Finora, a causa della sua elevata trasparenza ed economico nella regione UV, il substrato di zaffiro è ancora la prima scelta per l'eteroepitassiale AlN. Tuttavia, la mancata corrispondenza del reticolo AlN/zaffiro e la mancata corrispondenza del coefficiente di espansione termica sono gravi, quindi l'AlN sulla densità di dislocazione dello zaffiro, in particolare la densità di dislocazione della filettatura (TDD), è una grande sfida da superare per noi.
Sono state proposte molte tecnologie e sono stati compiuti grandi progressi nella riduzione del TDD di AlN sulla crescita dello zaffiro, come (MOCVD) e MOCVD potenziato dalla migrazione (MEMOCVD). Inoltre, anche la tecnologia ELO (Epitassial Lateral Overgrowth) su zaffiro con motivo a microstrisce o modello AlN/zaffiro ha attirato un'attenzione diffusa, che ha ridotto significativamente il TDD.
4. Sagoma di AlN su silicio mediante rivestimento
4-1 2″ 25nm AlN su (111) Si
4-2 6″ 25nm AlN su (111) Si
4-3 Modello AlN non drogato su silicio da 2″ (tipo Si <111> N) 2″x 500 nm
4-4 Specifica di dettaglio del modello AlN su silicio
Spessore nominale AlN: 500 nm ±10%, pellicola AlN non drogata con rivestimento su un lato
Superficie posteriore: silicone tipo N
Orientamento AlN: piano C (0001)
Base del wafer: silicone [111] tipo N, 2″ di diametro x 0,5 mm, un lato lucidato
Modello AlN non drogato su silicio da 4″ (Si <111>, tipo P, drogato B) 4″x 500 nm
Nota:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.
