AlN em Safira/Silício

AlN em Safira/Silício

High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:

Descrição

1. Lista de Wafer para Modelos AlN

Modelo AlN não dopado em Safira, 2″, camada AlN 2um ou 4um – lado único polido ou lado duplo polido
Modelo AlN não dopado em silicone, 2″, camada AlN 1um – lado único polido
Modelo AlN não dopado em Sapphire, 4″, AlN layer1um – lado único polido ou polido duplo lado
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)

2″ 25nm AlN em (111) Si
6″ 25nm AlN em (111) Si
Modelo AlN não dopado em silício de 4" (Si <111>, tipo P, dopado B) 4" x 500 nm

2. Especificações de AlN em Substrato de Safira

Substrato de safira revestido com AlN de tamanho 2,1 2″

Item GANW-AlNT-SI
Diâmetro 50,8 mm ± 1 mm
AlN Espessura: 2um ou 4um
Tipo de condução Semi-isolante
Orientação C-eixo (0001) +/- 1 °
Orientação Plano Um avião
DRX FWHM de (0002) <150 segundos de arco.
XRD FWHM de (10-12) <450 segundos de arco.
Estrutura 1-5um AlN/AlN buffer/Safira
Substrato: safira, 430+/-25um
Exclusão de borda ≤2,5 mm
Através da rachadura Nenhum
Área de superfície utilizável ≥90%
Superfície Lado único polido, Epi-ready
Embalagem: sob atmosfera de nitrogênio, em ambiente de 100 salas limpas.

 

2,2 4 "Tamanho AlN em substrato de wafer de safira

Item GANW-AlNT-S  190822
Diâmetro Diâmetro 100mm ± 1mm
Tipo de condução Semi-isolante
Espessura: 1um
Substrato: Sapphire
Orientação: C-eixo (0001) +/- 1 °
Orientação Plano Um avião
DRX FWHM de (0002) <1000 segundos de arco.
Rigidez da superfície <2nm
Área de superfície utilizável ≥90%
Condição polonesa Polido de um lado ou polido de dois lados.
Pacote Recipiente de wafer único, sob atmosfera de nitrogênio, em ambiente de sala limpa classe 100.

 

3. Crescimento epitaxial de AlN em Safira

Até agora, devido à sua alta transparência e custo-benefício na região UV, o substrato de safira ainda é a primeira escolha para AlN heteroepitaxial. No entanto, a incompatibilidade de rede AlN/safira e a incompatibilidade do coeficiente de expansão térmica são sérias, de modo que o AlN na densidade de discordância de safira, especialmente a densidade de discordância de rosca (TDD), é um grande desafio para superarmos.

Muitas tecnologias foram propostas e grande progresso foi feito na redução do TDD de AlN no crescimento de safira, como (MOCVD) e MOCVD aprimorado por migração (MEMOCVD). Além disso, a tecnologia de supercrescimento lateral epitaxial (ELO) em safira com padrão de micro-faixa ou modelo AlN/safira também atraiu ampla atenção, o que reduziu significativamente o TDD.

4. Modelo de AlN em Silício por Revestimento

4-1 2″ 25nm AlN em (111) Si
4-2 6" 25nm AlN em (111) Si
4-3 Modelo de AlN não dopado em silício de 2″ (Si <111> tipo N) 2″x 500 nm
4-4 Especificação detalhada do modelo AlN em silício
Espessura nominal de AlN: 500nm ±10%, um lado revestido, filme de AlN não dopado
Superfície traseira: tipo N de silicone
Orientação AlN: Plano C (0001)
Base de wafer: Silicone [111] tipo N, 2″ diâmetro x 0,5 mm, um lado polido
Modelo AlN não dopado em silício de 4" (Si <111>, tipo P, dopado B) 4" x 500 nm

Observe:

For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.

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