AlN em Safira/Silício
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Lista de Wafer para Modelos AlN
Modelo AlN não dopado em Safira, 2″, camada AlN 2um ou 4um – lado único polido ou lado duplo polido
Modelo AlN não dopado em silicone, 2″, camada AlN 1um – lado único polido
Modelo AlN não dopado em Sapphire, 4″, AlN layer1um – lado único polido ou polido duplo lado
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25nm AlN em (111) Si
6″ 25nm AlN em (111) Si
Modelo AlN não dopado em silício de 4" (Si <111>, tipo P, dopado B) 4" x 500 nm
2. Especificações de AlN em Substrato de Safira
Substrato de safira revestido com AlN de tamanho 2,1 2″
Item | GANW-AlNT-SI |
Diâmetro | 50,8 mm ± 1 mm |
AlN Espessura: | 2um ou 4um |
Tipo de condução | Semi-isolante |
Orientação | C-eixo (0001) +/- 1 ° |
Orientação Plano | Um avião |
DRX FWHM de (0002) | <150 segundos de arco. |
XRD FWHM de (10-12) | <450 segundos de arco. |
Estrutura | 1-5um AlN/AlN buffer/Safira |
Substrato: | safira, 430+/-25um |
Exclusão de borda | ≤2,5 mm |
Através da rachadura | Nenhum |
Área de superfície utilizável | ≥90% |
Superfície | Lado único polido, Epi-ready |
Embalagem: sob atmosfera de nitrogênio, em ambiente de 100 salas limpas. |
2,2 4 "Tamanho AlN em substrato de wafer de safira
Item | GANW-AlNT-S 190822 |
Diâmetro | Diâmetro 100mm ± 1mm |
Tipo de condução | Semi-isolante |
Espessura: | 1um |
Substrato: | Sapphire |
Orientação: | C-eixo (0001) +/- 1 ° |
Orientação Plano | Um avião |
DRX FWHM de (0002) | <1000 segundos de arco. |
Rigidez da superfície | <2nm |
Área de superfície utilizável | ≥90% |
Condição polonesa | Polido de um lado ou polido de dois lados. |
Pacote | Recipiente de wafer único, sob atmosfera de nitrogênio, em ambiente de sala limpa classe 100. |
3. Crescimento epitaxial de AlN em Safira
Até agora, devido à sua alta transparência e custo-benefício na região UV, o substrato de safira ainda é a primeira escolha para AlN heteroepitaxial. No entanto, a incompatibilidade de rede AlN/safira e a incompatibilidade do coeficiente de expansão térmica são sérias, de modo que o AlN na densidade de discordância de safira, especialmente a densidade de discordância de rosca (TDD), é um grande desafio para superarmos.
Muitas tecnologias foram propostas e grande progresso foi feito na redução do TDD de AlN no crescimento de safira, como (MOCVD) e MOCVD aprimorado por migração (MEMOCVD). Além disso, a tecnologia de supercrescimento lateral epitaxial (ELO) em safira com padrão de micro-faixa ou modelo AlN/safira também atraiu ampla atenção, o que reduziu significativamente o TDD.
4. Modelo de AlN em Silício por Revestimento
4-1 2″ 25nm AlN em (111) Si
4-2 6" 25nm AlN em (111) Si
4-3 Modelo de AlN não dopado em silício de 2″ (Si <111> tipo N) 2″x 500 nm
4-4 Especificação detalhada do modelo AlN em silício
Espessura nominal de AlN: 500nm ±10%, um lado revestido, filme de AlN não dopado
Superfície traseira: tipo N de silicone
Orientação AlN: Plano C (0001)
Base de wafer: Silicone [111] tipo N, 2″ diâmetro x 0,5 mm, um lado polido
Modelo AlN não dopado em silício de 4" (Si <111>, tipo P, dopado B) 4" x 500 nm
Observe:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.