AlN en zafiro/silicio
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Descripción
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Descripción
1. Lista de obleas para plantillas AlN
Plantilla de AlN sin dopar sobre zafiro, 2″, capa de AlN de 2 um o 4 um: pulido de un lado o pulido de dos lados
Plantilla de AlN sin dopar sobre silicio, 2″, capa de AlN de 1um, pulido por una cara
Plantilla de AlN sin dopar sobre zafiro, 4″, capa de AlN1um: pulido de un solo lado o pulido de dos lados
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25nm AlN en (111) Si
6″ 25nm AlN en (111) Si
Plantilla de AlN sin dopar en silicio de 4″ (Si <111>, tipo P, dopado con B) 4″x 500 nm
2. Especificaciones de AlN sobre sustrato de zafiro
2.1 Sustrato de zafiro recubierto de AlN tamaño 2″
| Artículo | GANW-AlNT-SI |
| Diámetro | 50,8 mm ± 1 mm |
| Espesor AlN: | 2um o 4um |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 1 ° |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <150 segundos de arco. |
| XRD FWHM de (10-12) | <450 segundos de arco. |
| Estructura | 1-5um AlN/tampón AlN/zafiro |
| Sustrato: | zafiro, 430+/-25um |
| Exclusión de borde | ≤2,5 mm |
| a través de la grieta | Ninguno |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Superficie | Pulido por una cara, Epi-ready |
| Empaque: bajo atmósfera de nitrógeno, en ambiente de 100 cuartos limpios. | |
2.2 4″ Tamaño AlN en sustrato de oblea de zafiro
| Artículo | GANW-AlNT-S 190822 |
| Diámetro | Diámetro 100 mm ± 1 mm |
| Tipo de conducción | Semiaislante |
| Espesor: | 1um |
| Sustrato: | Sapphire |
| Orientacion: | Eje C (0001) +/- 1 ° |
| Orientación Plano | Un avion |
| XRD FWHM de (0002) | <1000 segundos de arco. |
| Rugosidad de la superficie | <2nm |
| Área de la superficie utilizable | ≥90% |
| Condición polaca | Pulido de un solo lado o pulido de dos lados. |
| Paquete | Envase de oblea individual, bajo atmósfera de nitrógeno, en un entorno de sala limpia de clase 100. |
3. crecimiento epitaxial de AlN en zafiro
Hasta ahora, debido a su alta transparencia y rentabilidad en la región UV, el sustrato de zafiro sigue siendo la primera opción para AlN heteroepitaxial. Sin embargo, el desajuste de la red de AlN/zafiro y el desajuste del coeficiente de expansión térmica son serios, por lo que el AlN en la densidad de dislocación del zafiro, especialmente la densidad de dislocación de roscado (TDD), es un gran desafío que debemos superar.
Se han propuesto muchas tecnologías y se han logrado grandes avances en la reducción de la TDD de AlN en el crecimiento del zafiro, como (MOCVD) y MOCVD mejorado por migración (MEMOCVD). Además, la tecnología de sobrecrecimiento lateral epitaxial (ELO) en zafiro con diseño de microbanda o plantilla de AlN/zafiro también ha atraído una atención generalizada, lo que ha reducido significativamente el TDD.
4. Plantilla de AlN sobre Silicio por Recubrimiento
4-1 2″ 25nm AlN en (111) Si
4-2 6″ 25nm AlN en (111) Si
4-3 Plantilla de AlN sin dopar en silicio de 2″ (tipo Si <111> N) 2″x 500 nm
4-4 Especificación detallada de la plantilla AlN en silicio
Espesor nominal de AlN: 500 nm ±10 %, película de AlN sin dopar recubierta por un lado
Superficie trasera: tipo N de silicona
Orientación AlN: plano C (0001)
Base de oblea: Silicio [111] tipo N, 2″ de diámetro x 0,5 mm, un lado pulido
Plantilla de AlN sin dopar en silicio de 4″ (Si <111>, tipo P, dopado con B) 4″x 500 nm
Tenga en cuenta:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.
