obleas de SiC

obleas de SiC

Ganwafer, un proveedor de sustratos de SiC, ofrece sustratos de obleas de SiC semiconductores, incluidos sustratos 6H-SiC y sustratos 4H-SiC en grado de producción, grado de investigación y grado ficticio para investigadores y fabricantes de la industria. Hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristales de SiC y el proceso de fabricación de obleas de carburo de silicio, establecimos una línea de producción para fabricar obleas de carburo de silicio desnudas, que se pueden aplicar en dispositivos de epitaxia de GaN, dispositivos de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. La fabricación de obleas de SiC tiene muchas ventajas, como alta frecuencia, alta potencia, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la radiación, antiinterferencias, tamaño pequeño y peso ligero.

Aquí se muestra la especificación detallada:

Descripción

En cuanto al crecimiento del sustrato de SiC, el sustrato de la oblea de SiC es un material monocristalino en forma de hoja que corta, muele y pule el cristal de carburo de silicio a lo largo de una dirección específica del cristal. Como uno de los principales fabricantes de sustratos de SiC, nos dedicamos a mejorar continuamente la calidad del sustrato actual y desarrollar sustratos de SiC desnudos de gran tamaño.

1. Especificaciones de la oblea de carburo de silicio

1.1 Oblea de carburo de silicio conductor dopado con nitrógeno 4H SiC tipo N de 6″

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-150-N-GANW-350 S4H-150-N-GANW-500
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H 4H
Diámetro (150 ± 0,5) milímetro (150 ± 0,5) milímetro
Espesor (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras
Tipo de transportista de tipo n de tipo n
dopante Nitrógeno Nitrógeno
Resistividad (RT) (0,015 - 0,028) Ω · cm (0,015 - 0,028) Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV < 15 μm < 15 μm
Arco < 40 μm < 40 μm
Deformación < 60 μm < 60 μm
Orientación de superficie
Fuera del eje 4 ° hacia <11-20> ± 0.5 ° 4 ° hacia <11-20> ± 0.5 °
Orientación plana primaria <11-20> ± 5,0 ° <11-20> ± 5,0 °
longitud plana primaria 47,50 mm ± 2,00 mm 47,50 mm ± 2,00 mm
Piso secundario Ninguno Ninguno
Acabado de la superficie Pulido de doble cara Pulido de doble cara
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Grietas por lista de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD)
Placas hexagonales por luz de alta intensidad Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤0.1%(CD)
Polytype Areas por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Inclusiones visuales de carbono Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Arañazos por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD)
Chip de borde Ninguno (AB) 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD)
Contaminación por luz de alta intensidad Ninguno -
Superficie útil ≥ 90% -
Exclusión de bordes 3mm 3mm

1.2 4H SiC, semiaislante de alta pureza (HPSI), especificación de oblea de 6″

4H SiC, semiaislante dopado en V

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-150-SI-GANW-500
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H 4H
Diámetro (150 ± 0,5) milímetro (150 ± 0,5) milímetro
Espesor (500 ± 25) μm (500 ± 25) μm
Tipo de transportista Semiaislante Semiaislante
dopante V dopado V dopado
Resistividad (RT) > 1E7 Ω · cm > 1E7 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV <15 μm <15 μm
Arco < 40 μm < 40 μm
Deformación <60 μm <60 μm
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje Ninguno Ninguno
Exclusión de bordes 3mm 3mm

 

1.3 Sustrato 4H-SIC de 4 pulgadas, tipo N

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-100-N-GANW-350 S4H-100-N-GANW-500
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H 4H
Diámetro (100 ± 0,5) milímetro (100 ± 0,5) milímetro
Espesor (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras
Tipo de transportista de tipo n de tipo n
dopante Nitrógeno Nitrógeno
Resistividad (RT) (0,015 - 0,028) Ω · cm (0,015 - 0,028) Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV <10! m <10! m
Arco <25 μm <25 μm
Deformación <45 μm <45 μm
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria <11-20> ± 5,0 ° <11-20> ± 5,0 °
longitud plana primaria 32,50 mm ± 2,00 mm 32,50 mm ± 2,00 mm
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° -
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° -
longitud plana Secundaria 18,00 ± 2,00 milímetro 18,00 ± 2,00 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de doble cara Pulido de doble cara
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Grietas por lista de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD)
Placas hexagonales por luz de alta intensidad Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤0.1%(CD)
Polytype Areas por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Inclusiones visuales de carbono Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Arañazos por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD)
Chip de borde Ninguno (AB) 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD)
Contaminación por luz de alta intensidad Ninguno -
Superficie útil ≥ 90% -
Exclusión de bordes 2mm 2mm

1.4 4H SiC, semiaislante de alta pureza (HPSI), especificación de oblea de 4″

4H SiC, semiaislante dopado en V, especificación de oblea de 4″

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-100-SI-GANW-350 S4H-100-SI-GANW-500
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H 4H
Diámetro (100 ± 0,5) milímetro (100 ± 0,5) milímetro
Espesor (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras
Tipo de transportista Semiaislante Semiaislante
dopante V dopado V dopado
Resistividad (RT) > 1E7 Ω · cm > 1E7 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV >10 μm >10 μm
Arco >25 μm >25 μm
Deformación >45 μm >45 μm
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 ° <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje Ninguno Ninguno
Orientación plana primaria <11-20> ± 5,0 ° <11-20> ± 5,0 °
longitud plana primaria 32,50 mm ± 2,00 mm 32,50 mm ± 2,00 mm
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° -
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° -
longitud plana Secundaria 18,00 ± 2,00 milímetro 18,00 ± 2,00 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de doble cara Pulido de doble cara
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Grietas por lista de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD)
Placas hexagonales por luz de alta intensidad Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤0.1%(CD)
Polytype Areas por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Inclusiones visuales de carbono Área acumulada≤0.05% (AB) Área acumulativa≤3%(CD)
Arañazos por luz de alta intensidad Ninguno (AB) Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD)
Chip de borde Ninguno (AB) 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD)
Contaminación por luz de alta intensidad Ninguno -
Superficie útil ≥ 90% -
Exclusión de bordes 2mm 2mm

1,5 4H tipo N SiC, especificación de oblea de 3″ (76,2 mm)

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H
Diámetro (76,2 ± 0,38) milímetro
Espesor (350 ± 25) micras (430 ± 25) micras
Tipo de transportista de tipo n
dopante Nitrógeno
Resistividad (RT) 0,015 - 0,028Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
TTV / Arco / Urdimbre <25 μm
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria <11-20> ± 5,0 °
longitud plana primaria 22,22 mm ± 3,17 mm
0,875 ″ ± 0,125 ″
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 °
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 °
longitud plana Secundaria 11,00 ± 1,70 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Rasguño Ninguno
Superficie útil ≥ 90%
Exclusión de bordes 2mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Arañazos por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Contaminación por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros

 

1.6 SiC semiaislante 4H, especificación de oblea de 3″ (76,2 mm)

(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)

PROPIEDAD UBSTRATE S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H
Diámetro (76,2 ± 0,38) milímetro
Espesor (350 ± 25) micras (430 ± 25) micras
Tipo de transportista semi-aislante
dopante V dopado
Resistividad (RT) > 1E7 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
TTV / Arco / Urdimbre >25 μm
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria <11-20> ± 5,0 °
longitud plana primaria 22,22 mm ± 3,17 mm
0,875 ″ ± 0,125 ″
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 °
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 °
longitud plana Secundaria 11,00 ± 1,70 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Rasguño Ninguno
Superficie útil ≥ 90%
Exclusión de bordes 2mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Arañazos por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Contaminación por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros

 

1.7 4H tipo N SiC, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-51-N-GANW-330 S4H-51-N-GANW-430
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato
Politipo 4H
Diámetro (50,8 ± 0,38) milímetro
Espesor (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras
Tipo de transportista de tipo n
dopante Nitrógeno
Resistividad (RT) 0,012 - 0,0028 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria Paralelo {1-100} ± 5 °
longitud plana primaria 16,00 ± 1,70 mm
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 °
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 °
longitud plana Secundaria 8,00 ± 1,70 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Superficie útil ≥ 90%
Exclusión de bordes 1 mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Arañazos por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Contaminación por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros

 

1.8 SiC semiaislante 4H, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)

(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S4H-51-SI-GANW-250 S4H-51-SI-GANW-330 S4H-51-SI-GANW-430
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SEMI Sustrato
Politipo 4H
Diámetro (50,8 ± 0,38) milímetro
Espesor (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras
Resistividad (RT) > 1E7 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco
Densidad de Micropipe A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2
Orientación de superficie
En el eje <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 3,5 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria Paralelo {1-100} ± 5 °
longitud plana primaria 16,00 ± 1,70 milímetro
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 °
Cara C: 90° a la izquierda. desde orientación plana ± 5°
longitud plana Secundaria 8,00 ± 1,70 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Superficie útil ≥ 90%
Exclusión de bordes 1 mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Arañazos por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Contaminación por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros

 

1.9 6H tipo N SiC, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)

PROPIEDAD DEL SUSTRATO S6H-51-N-GANW-250 S6H-51-N-GANW-330 S6H-51-N-GANW-430
Descripción A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 6H SiC Sustrato
Politipo 6H
Diámetro (50,8 ± 0,38) milímetro
Espesor (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras
Tipo de transportista de tipo n
dopante Nitrógeno
Resistividad (RT) 0,02 ~ 0,1 Ω · cm
Rugosidad de la superficie < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C)
FWHM A<30 segundos de arco &n 1 mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono <0001> ± 0,5 °
Fuera del eje 3,5 ° hacia <11-20> ± 0,5 °
Orientación plana primaria Paralelo {1-100} ± 5 °
longitud plana primaria 16,00 ± 1,70 milímetro
Orientación plana secundaria Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 °
Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 °
longitud plana Secundaria 8,00 ± 1,70 milímetro
Acabado de la superficie Pulido de una o dos caras
Embalaje Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas
Superficie útil ≥ 90%
Exclusión de bordes 1 mm
Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Grietas por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Arañazos por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros
Contaminación por luz de alta intensidad Consulte con nuestro equipo de ingenieros

 

Oblea de cristal semilla 1.10 SiC

Artículo Tamaño Tipo Orientación Espesor MPD Condición de pulido
No.1 105mm 4H, tipo N C (0001) 4 grados apagado 500 +/- 50um <= 1 / cm-2 -
No.2 153 mm 4H, tipo N C (0001) 4 grados apagado 350+/-50um <= 1 / cm-2 -

 

1.11 Especificaciones de la oblea de SiC semiaislante o tipo N 4H

Tamaño: 5 mm * 5 mm, 10 mm * 10 mm, 15 mm * 15 mm, 20 mm * 20 mm;

Grosor: 330 μm/430 μm.

1.12 Especificaciones de la oblea de SiC a-plane

Tamaño: 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm;

6H/4H Tipo N Espesor: 330 μm/430 μm o personalizado;

Espesor semiaislante 6H/4H: 330 μm/430 μm o personalizado.

2. Propiedades del material de carburo de silicio

PROPIEDADES DEL MATERIAL DE CARBURO DE SILICIO
Politipo Cristal único 4H Cristal único 6H
Parámetros de celosía a = 3,076 Å a = 3,073 Å
c = 10.053 Å c = 15,117 Å
Secuencia de apilamiento ABCB ABCACB
Band-gap 3,26 eV 3,03 eV
Densidad 3,21 · 103 kg / m3 3,21 · 103 kg / m3
Termia. Coeficiente de expansión 4-5 × 10-6 / K 4-5 × 10-6 / K
Índice de refracción no = 2.719 no = 2.707
ne = 2.777 ne = 2.755
Constante dieléctrica 9.6 9.66
Conductividad térmica 490 W / mK 490 W / mK
Campo eléctrico averiado 2-4 · 108 V / m 2-4 · 108 V / m
Velocidad de deriva de saturación 2,0 · 105 m / s 2,0 · 105 m / s
Movilidad de electrones 800 cm2 / V · S 400 cm2 / V · S
movilidad del agujero 115 cm2 / V · S 90 cm2 / V · S
Dureza de Mohs ~9 ~9

 

3. Preguntas y respuestas sobre la oblea de SiC

3.1 ¿Cuál es la barrera de que la oblea de SiC se convierta en una aplicación amplia al igual que la oblea de silicio?

Debido a la estabilidad física y química, el crecimiento de cristales de SiC es extremadamente difícil. Por lo tanto, dificulta seriamente el desarrollo de sustratos de obleas de SiC en dispositivos semiconductores y aplicaciones electrónicas.

Hay muchos tipos de cristales de carburo de silicio como las diferentes secuencias de apilamiento, que también se denomina polimorfismo. Los polimorfos del carburo de silicio incluyen 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC, etc. Por lo tanto, es difícil cultivar cristales de carburo de silicio de grado electrónico.

3.2 ¿Qué tipo de oblea de SiC ofrecen?

La oblea de carburo de silicio que necesita pertenece a la fase cúbica. Las hay cúbicas (C), hexagonales (H) y rómbicas (R). Lo que tenemos son hexagonales, como 4H-SiC y 6H-SiC. C es cúbico, como el carburo de silicio 3C.

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