obleas de SiC
Ganwafer, un proveedor de sustratos de SiC, ofrece sustratos de obleas de SiC semiconductores, incluidos sustratos 6H-SiC y sustratos 4H-SiC en grado de producción, grado de investigación y grado ficticio para investigadores y fabricantes de la industria. Hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristales de SiC y el proceso de fabricación de obleas de carburo de silicio, establecimos una línea de producción para fabricar obleas de carburo de silicio desnudas, que se pueden aplicar en dispositivos de epitaxia de GaN, dispositivos de potencia, dispositivos de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. La fabricación de obleas de SiC tiene muchas ventajas, como alta frecuencia, alta potencia, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la radiación, antiinterferencias, tamaño pequeño y peso ligero.
Aquí se muestra la especificación detallada:
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Descripción
En cuanto al crecimiento del sustrato de SiC, el sustrato de la oblea de SiC es un material monocristalino en forma de hoja que corta, muele y pule el cristal de carburo de silicio a lo largo de una dirección específica del cristal. Como uno de los principales fabricantes de sustratos de SiC, nos dedicamos a mejorar continuamente la calidad del sustrato actual y desarrollar sustratos de SiC desnudos de gran tamaño.
1. Especificaciones de la oblea de carburo de silicio
1.1 Oblea de carburo de silicio conductor dopado con nitrógeno 4H SiC tipo N de 6″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-150-N-GANW-350 S4H-150-N-GANW-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato | |
| Politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (150 ± 0,5) milímetro | (150 ± 0,5) milímetro |
| Espesor | (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras | |
| Tipo de transportista | de tipo n | de tipo n |
| dopante | Nitrógeno | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | (0,015 - 0,028) Ω · cm | (0,015 - 0,028) Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco | |
| Densidad de Micropipe | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | < 15 μm | < 15 μm |
| Arco | < 40 μm | < 40 μm |
| Deformación | < 60 μm | < 60 μm |
| Orientación de superficie | ||
| Fuera del eje | 4 ° hacia <11-20> ± 0.5 ° | 4 ° hacia <11-20> ± 0.5 ° |
| Orientación plana primaria | <11-20> ± 5,0 ° | <11-20> ± 5,0 ° |
| longitud plana primaria | 47,50 mm ± 2,00 mm | 47,50 mm ± 2,00 mm |
| Piso secundario | Ninguno | Ninguno |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada ≤ 20 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤0.1%(CD) |
| Polytype Areas por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD) |
| Chip de borde | Ninguno (AB) | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Ninguno | - |
| Superficie útil | ≥ 90% | - |
| Exclusión de bordes | 3mm | 3mm |
1.2 4H SiC, semiaislante de alta pureza (HPSI), especificación de oblea de 6″
4H SiC, semiaislante dopado en V
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-150-SI-GANW-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato | |
| Politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (150 ± 0,5) milímetro | (150 ± 0,5) milímetro |
| Espesor | (500 ± 25) μm | (500 ± 25) μm |
| Tipo de transportista | Semiaislante | Semiaislante |
| dopante | V doped | V doped |
| Resistividad (RT) | > 1E7 Ω · cm | > 1E7 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco | |
| Densidad de Micropipe | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <15 μm | <15 μm |
| Arco | < 40 μm | < 40 μm |
| Deformación | <60 μm | <60 μm |
| Orientación de superficie | ||
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | Ninguno | Ninguno |
| Exclusión de bordes | 3mm | 3mm |
1.3 Sustrato 4H-SIC de 4 pulgadas, tipo N
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-100-N-GANW-350 S4H-100-N-GANW-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato | |
| Politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (100 ± 0,5) milímetro | (100 ± 0,5) milímetro |
| Espesor | (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras | |
| Tipo de transportista | de tipo n | de tipo n |
| dopante | Nitrógeno | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | (0,015 - 0,028) Ω · cm | (0,015 - 0,028) Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco | |
| Densidad de Micropipe | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | <10! m | <10! m |
| Arco | <25 μm | <25 μm |
| Deformación | <45 μm | <45 μm |
| Orientación de superficie | ||
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° | 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | <11-20> ± 5,0 ° | <11-20> ± 5,0 ° |
| longitud plana primaria | 32,50 mm ± 2,00 mm | 32,50 mm ± 2,00 mm |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° - | |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° - | ||
| longitud plana Secundaria | 18,00 ± 2,00 milímetro | 18,00 ± 2,00 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤0.1%(CD) |
| Polytype Areas por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD) |
| Chip de borde | Ninguno (AB) | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Ninguno | - |
| Superficie útil | ≥ 90% | - |
| Exclusión de bordes | 2mm | 2mm |
1.4 4H SiC, semiaislante de alta pureza (HPSI), especificación de oblea de 4″
4H SiC, semiaislante dopado en V, especificación de oblea de 4″
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-100-SI-GANW-350 S4H-100-SI-GANW-500 | |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato | |
| Politipo | 4H | 4H |
| Diámetro | (100 ± 0,5) milímetro | (100 ± 0,5) milímetro |
| Espesor | (350 ± 25) micras (500 ± 25) micras | |
| Tipo de transportista | Semiaislante | Semiaislante |
| dopante | V doped | V doped |
| Resistividad (RT) | > 1E7 Ω · cm | > 1E7 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) | |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco | |
| Densidad de Micropipe | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 | |
| TTV | >10 μm | >10 μm |
| Arco | >25 μm | >25 μm |
| Deformación | >45 μm | >45 μm |
| Orientación de superficie | ||
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | Ninguno | Ninguno |
| Orientación plana primaria | <11-20> ± 5,0 ° | <11-20> ± 5,0 ° |
| longitud plana primaria | 32,50 mm ± 2,00 mm | 32,50 mm ± 2,00 mm |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° - | |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° - | ||
| longitud plana Secundaria | 18,00 ± 2,00 milímetro | 18,00 ± 2,00 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de doble cara | Pulido de doble cara |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Grietas por lista de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm (CD) |
| Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤0.1%(CD) |
| Polytype Areas por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Inclusiones visuales de carbono | Área acumulada≤0.05% (AB) | Área acumulativa≤3%(CD) |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Ninguno (AB) | Longitud acumulada≤1 x diámetro de oblea (CD) |
| Chip de borde | Ninguno (AB) | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno (CD) |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Ninguno | - |
| Superficie útil | ≥ 90% | - |
| Exclusión de bordes | 2mm | 2mm |
1,5 4H tipo N SiC, especificación de oblea de 3″ (76,2 mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato |
| Politipo | 4H |
| Diámetro | (76,2 ± 0,38) milímetro |
| Espesor | (350 ± 25) micras (430 ± 25) micras |
| Tipo de transportista | de tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,015 - 0,028Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco |
| Densidad de Micropipe | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV / Arco / Urdimbre | <25 μm |
| Orientación de superficie | |
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | <11-20> ± 5,0 ° |
| longitud plana primaria | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875 ″ ± 0,125 ″ | |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° | |
| longitud plana Secundaria | 11,00 ± 1,70 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Rasguño | Ninguno |
| Superficie útil | ≥ 90% |
| Exclusión de bordes | 2mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
1.6 SiC semiaislante 4H, especificación de oblea de 3″ (76,2 mm)
(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)
| PROPIEDAD UBSTRATE | S4H-76-N-GANW-330 S4H-76-N-GANW-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato |
| Politipo | 4H |
| Diámetro | (76,2 ± 0,38) milímetro |
| Espesor | (350 ± 25) micras (430 ± 25) micras |
| Tipo de transportista | semi-aislante |
| dopante | V doped |
| Resistividad (RT) | > 1E7 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco |
| Densidad de Micropipe | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| TTV / Arco / Urdimbre | >25 μm |
| Orientación de superficie | |
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | <11-20> ± 5,0 ° |
| longitud plana primaria | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875 ″ ± 0,125 ″ | |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° | |
| longitud plana Secundaria | 11,00 ± 1,70 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Rasguño | Ninguno |
| Superficie útil | ≥ 90% |
| Exclusión de bordes | 2mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
1.7 4H tipo N SiC, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-51-N-GANW-330 S4H-51-N-GANW-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SiC Sustrato |
| Politipo | 4H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Espesor | (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras |
| Tipo de transportista | de tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,012 - 0,0028 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco |
| Densidad de Micropipe | A≤0.5cm-2 B≤2cm-2 C≤15cm-2 D≤50cm-2 |
| Orientación de superficie | |
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 4 ° u 8 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5 ° |
| longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70 mm |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° | |
| longitud plana Secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Superficie útil | ≥ 90% |
| Exclusión de bordes | 1 mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
1.8 SiC semiaislante 4H, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)
(El sustrato de SiC semiaislante de alta pureza (HPSI) está disponible)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S4H-51-SI-GANW-250 S4H-51-SI-GANW-330 S4H-51-SI-GANW-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 4H SEMI Sustrato |
| Politipo | 4H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Espesor | (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras |
| Resistividad (RT) | > 1E7 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A <30 segundos de arco B / C / D <50 segundos de arco |
| Densidad de Micropipe | A≤1cm-2 B≤5cm-2 C≤30cm-2 D≤50cm-2 |
| Orientación de superficie | |
| En el eje | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 3,5 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5 ° |
| longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70 milímetro |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° |
| Cara C: 90° a la izquierda. desde orientación plana ± 5° | |
| longitud plana Secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Superficie útil | ≥ 90% |
| Exclusión de bordes | 1 mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
1.9 6H tipo N SiC, especificación de oblea de 2″ (50,8 mm)
| PROPIEDAD DEL SUSTRATO | S6H-51-N-GANW-250 S6H-51-N-GANW-330 S6H-51-N-GANW-430 |
| Descripción | A/B Grado de producción C/D Grado de investigación D Grado ficticio 6H SiC Sustrato |
| Politipo | 6H |
| Diámetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Espesor | (250 ± 25) micras (330 ± 25) micras (430 ± 25) micras |
| Tipo de transportista | de tipo n |
| dopante | Nitrógeno |
| Resistividad (RT) | 0,02 ~ 0,1 Ω · cm |
| Rugosidad de la superficie | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (pulido óptico de cara C) |
| FWHM | A<30 segundos de arco &n 1 mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | <0001> ± 0,5 ° |
| Fuera del eje | 3,5 ° hacia <11-20> ± 0,5 ° |
| Orientación plana primaria | Paralelo {1-100} ± 5 ° |
| longitud plana primaria | 16,00 ± 1,70 milímetro |
| Orientación plana secundaria | Si-cara: 90 ° Cw. desde la orientación plana ± 5 ° |
| Cara C: 90 ° ccw. desde la orientación plana ± 5 ° | |
| longitud plana Secundaria | 8,00 ± 1,70 milímetro |
| Acabado de la superficie | Pulido de una o dos caras |
| Embalaje | Caja de obleas individual o caja de múltiples obleas |
| Superficie útil | ≥ 90% |
| Exclusión de bordes | 1 mm |
| Virutas de borde por iluminación difusa (máx.) | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Grietas por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Área acumulativa de inclusiones visuales de carbono | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Arañazos por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
| Contaminación por luz de alta intensidad | Consulte con nuestro equipo de ingenieros |
Oblea de cristal semilla 1.10 SiC
| Artículo | Tamaño | Tipo | Orientación | Espesor | MPD | Condición de pulido |
| No.1 | 105mm | 4H, tipo N | C (0001) 4 grados apagado | 500 +/- 50um | <= 1 / cm-2 | - |
| No.2 | 153 mm | 4H, tipo N | C (0001) 4 grados apagado | 350+/-50um | <= 1 / cm-2 | - |
1.11 Especificaciones de la oblea de SiC semiaislante o tipo N 4H
Tamaño: 5 mm * 5 mm, 10 mm * 10 mm, 15 mm * 15 mm, 20 mm * 20 mm;
Grosor: 330 μm/430 μm.
1.12 Especificaciones de la oblea de SiC a-plane
Tamaño: 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm;
6H/4H Tipo N Espesor: 330 μm/430 μm o personalizado;
Espesor semiaislante 6H/4H: 330 μm/430 μm o personalizado.
2. Propiedades del material de carburo de silicio
| PROPIEDADES DEL MATERIAL DE CARBURO DE SILICIO | ||
| Politipo | Cristal único 4H | Cristal único 6H |
| Parámetros de celosía | a = 3,076 Å | a = 3,073 Å |
| c = 10.053 Å | c = 15,117 Å | |
| Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
| Band-gap | 3,26 eV | 3,03 eV |
| Densidad | 3,21 · 103 kg / m3 | 3,21 · 103 kg / m3 |
| Termia. Coeficiente de expansión | 4-5 × 10-6 / K | 4-5 × 10-6 / K |
| Índice de refracción | no = 2.719 | no = 2.707 |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| Constante dieléctrica | 9.6 | 9.66 |
| Conductividad térmica | 490 W / mK | 490 W / mK |
| Campo eléctrico averiado | 2-4 · 108 V / m | 2-4 · 108 V / m |
| Velocidad de deriva de saturación | 2,0 · 105 m / s | 2,0 · 105 m / s |
| Movilidad de electrones | 800 cm2 / V · S | 400 cm2 / V · S |
| movilidad del agujero | 115 cm2 / V · S | 90 cm2 / V · S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
3. Preguntas y respuestas sobre la oblea de SiC
3.1 ¿Cuál es la barrera de que la oblea de SiC se convierta en una aplicación amplia al igual que la oblea de silicio?
Debido a la estabilidad física y química, el crecimiento de cristales de SiC es extremadamente difícil. Por lo tanto, dificulta seriamente el desarrollo de sustratos de obleas de SiC en dispositivos semiconductores y aplicaciones electrónicas.
Hay muchos tipos de cristales de carburo de silicio como las diferentes secuencias de apilamiento, que también se denomina polimorfismo. Los polimorfos del carburo de silicio incluyen 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC, etc. Por lo tanto, es difícil cultivar cristales de carburo de silicio de grado electrónico.
3.2 ¿Qué tipo de oblea de SiC ofrecen?
La oblea de carburo de silicio que necesita pertenece a la fase cúbica. Las hay cúbicas (C), hexagonales (H) y rómbicas (R). Lo que tenemos son hexagonales, como 4H-SiC y 6H-SiC. C es cúbico, como el carburo de silicio 3C.
