oblea de gas
Gallium antimonide (GaSb) material from Ganwafer a gallium antimonide wafer supplier is an important substrate material for manufacturing 2~4um lasers, infrared light-emitting tubes and high-speed low-noise avalanche photodiodes. Its three- and quaternary compound epitaxial growth has good lattice matching, and it is one of the ideal light source materials for manufacturing optical communication devices. Device manufacturing on single crystal GaSb substrate requires the preparation of a stable oxide layer with low interface density, high resistivity, high breakdown voltage and suitable for high-temperature processes. More about GaSb (Gallium Antimonide) crystal substrates please contact us.
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Descripción
As one of important III–V compound semiconductor materials, gallium antimonide is applied in optoelectronic devices. Because of the gallium antimonide properties, such as high quantum efficiency, high hole mobility, and super lattices with customized optical and transport characteristics, devices fabricated on GaSb substrate is ideal for the mid-infrared (2-5um and 8-14um wavelength) applications, like imaging sensors for fire detection, surveillance system and environmental pollution monitors.
1. Especificación de oblea GaSb lista para epitaxia de 4″
| Artículo | Especificaciones | ||
| dopante | bajo dopado | Zinc | Telurio |
| Tipo de conducción | Tipo P | Tipo P | N-tipo |
| Diámetro de la oblea | 4 " | ||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | ||
| Espesor de la oblea | 800±25um | ||
| Longitud plana primaria | 32,5±2,5 mm | ||
| Secundaria plana Longitud | 18±1mm | ||
| concentración de portadores | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| Movilidad | 600-700cm2/V | 200-500cm2/V | 2000-3500cm2/V |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <15um | ||
| ARCO | <15um | ||
| DEFORMACIÓN | <20um | ||
| marcado por láser | a pedido | ||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | ||
| Epi listo | sí | ||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | ||
2. Especificación de oblea de antimonuro de galio de 3″
| Artículo | Especificaciones | ||
| Tipo de conducción | Tipo P | Tipo P | N-tipo |
| dopante | bajo dopado | Zinc | Telurio |
| Diámetro de la oblea | 3 " | ||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | ||
| Espesor de la oblea | 600±25um | ||
| Longitud plana primaria | 22 ± 2 mm | ||
| Secundaria plana Longitud | 11±1mm | ||
| concentración de portadores | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| Movilidad | 600-700cm2/V | 200-500cm2/V | 2000-3500cm2/V |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <12um | ||
| ARCO | <12um | ||
| DEFORMACIÓN | <15um | ||
| marcado por láser | a pedido | ||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | ||
| Epi listo | sí | ||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | ||
3. Especificación de sustrato de oblea de GaSb (antimoniuro de galio) de 2″
| Artículo | Especificaciones | ||
| dopante | bajo dopado | Zinc | Telurio |
| Tipo de conducción | Tipo P | Tipo P | N-tipo |
| Diámetro de la oblea | 2 " | ||
| oblea de Orientación | (100) ± 0,5 ° | ||
| Espesor de la oblea | 500±25um | ||
| Longitud plana primaria | 16±2 mm | ||
| Secundaria plana Longitud | 8±1mm | ||
| concentración de portadores | (1-2)x1017cm-3 | (5-100)x1017cm-3 | (1-20)x1017cm-3 |
| Movilidad | 600-700cm2/V | 200-500cm2/V | 2000-3500cm2/V |
| EPD | <2×103cm-2 | ||
| TTV | <10um | ||
| ARCO | <10um | ||
| DEFORMACIÓN | <12um | ||
| Marcado láser | a pedido | ||
| Acabado de la superficie | P / E, P / P | ||
| Epi listo | sí | ||
| Paquete | Recipiente o casete de una oblea | ||
Muchas características de los dispositivos semiconductores están estrechamente relacionadas con las características de la superficie del semiconductor. Vale la pena señalar que la oblea de GaSb de cristal único es fácil de oxidar con óxidos superficiales naturales formados por oxígeno atmosférico con unos pocos nanómetros de espesor, ya que tiene una superficie químicamente reactiva muy alta.
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
