Sustrato de GaN independiente semiaislante
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
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Descripción
1. Especificación del sustrato de GaN independiente semiaislante
1.1 Sustrato de oblea de GaN semiaislante de 4″
| Artículo | GANW-FS-GaN100-SI |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Tamaño | 4 ″ (100) +/- 1 mm |
| Espesor | 480+/-50um |
| Orientación | Eje C (0001) +/- 0,5 ° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 32 +/- 1 mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 16 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | > 10 ^ 6Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5×106cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 30um |
| ARCO | <= + / - 30um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra<=0.3nm.Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido |
| Superficie útil | ≥ 90% |
Sustrato independiente de GaN semiaislado de 1.2 2″
| Artículo | GANW-FS-GaN50-SI |
| Tipo de conducción | Semi-aislante |
| Tamaño | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| Espesor | 400+/-50um |
| Orientación | Ángulo fuera del eje C (0001) hacia el eje A 0,35°+/-0,15° |
| Localización plana primaria | (10-10)+/-0,5° |
| Longitud plana primaria | 16 +/- 1mm |
| Ubicación secundaria plana | (1-210)+/-3° |
| Secundaria plana Longitud | 8 +/- 1mm |
| Resistividad (300K) | > 10 ^ 6Ω · cm |
| densidad de dislocaciones | <5×106cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.seg |
| TTV | <= 15 uM |
| ARCO | <= + / - 20um |
| Acabado de la superficie | Superficie frontal: Ra<=0.3nm. Epi-ready pulido |
| - | Superficie posterior: 1. Rectificado fino |
| - | 2. Pulido. |
| Superficie útil | ≥ 90% |
2. XRD Rocking Curves-GaN Material-INFORME DE PRUEBA
Un informe de prueba puede mostrar la calidad de la oblea y la concordancia entre la descripción y los datos de las obleas. Después del proceso de fabricación, probaremos la caracterización de la oblea:
* Pruebe la rugosidad de la superficie de la oblea con un microscopio de fuerza atómica;
* Tipo de conductividad de prueba por instrumento de espectros romanos;
* Pruebe la resistividad de la oblea con equipos de prueba de resistividad sin contacto;
* Pruebe la densidad del microtubo de la oblea con un microscopio polarizador.
Limpiaremos y empaquetaremos las obleas en un entorno limpio de clase 100 después de la prueba. Si las cualidades de las obleas no cumplen con las especificaciones personalizadas, las quitaremos después de la prueba.
El ancho completo de media altura (FWHM) es el ancho de la curva espectral medido entre esos puntos en el eje Y. El siguiente diagrama muestra las curvas oscilantes XRD del material GaN probado:
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
