Sustrato de GaN independiente semiaislante

Sustrato de GaN independiente semiaislante

El sustrato semiaislante independiente de GaN (nitruro de galio) es principalmente para dispositivos de RF basados ​​en la estructura HEMT. PAM-XIAMEN, un fabricante de sustrato de GaN independiente semiaislante, ha formado la tecnología de fabricación para la oblea de sustrato semiaislante de GaN independiente. La oblea de sustrato es para UHB-LED y LD. Nuestro sustrato de GaN cultivado por epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE) tiene una densidad de defectos baja y una densidad de macrodefectos menor o libre. Más especificaciones del sustrato semiaislante de GaN, consulte a continuación:

Descripción

1. Especificación del sustrato de GaN independiente semiaislante

1.1 Sustrato de oblea de GaN semiaislante de 4″

Artículo PAM-FS-GaN100-SI
Tipo de conducción Semi-aislante
Tamaño 4 ″ (100) +/- 1 mm
Espesor 480+/-50um
Orientación Eje C (0001) +/- 0,5 °
Localización plana primaria (10-10)+/-0,5°
Longitud plana primaria 32 +/- 1 mm
Ubicación secundaria plana (1-210)+/-3°
Secundaria plana Longitud 16 +/- 1mm
Resistividad (300K) > 10 ^ 6Ω · cm
densidad de dislocaciones <5×106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 30um
ARCO <= + / - 30um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra<=0.3nm.Epi-ready pulido
- Superficie posterior: 1. Rectificado fino
- 2. Pulido
Superficie útil ≥ 90%

 

Sustrato independiente de GaN semiaislado de 1.2 2″

Artículo PAM-FS-GaN50-SI
Tipo de conducción Semi-aislante
Tamaño 2 "(50.8) +/- 1mm
Espesor 400+/-50um
Orientación Ángulo fuera del eje C (0001) hacia el eje A 0,35°+/-0,15°
Localización plana primaria (10-10)+/-0,5°
Longitud plana primaria 16 +/- 1mm
Ubicación secundaria plana (1-210)+/-3°
Secundaria plana Longitud 8 +/- 1mm
Resistividad (300K) > 10 ^ 6Ω · cm
densidad de dislocaciones <5×106cm-2
FWHM <= 100arc.seg
TTV <= 15 uM
ARCO <= + / - 20um
Acabado de la superficie Superficie frontal: Ra<=0.3nm. Epi-ready pulido
- Superficie posterior: 1. Rectificado fino
- 2. Pulido.
Superficie útil ≥ 90%

 

2. XRD Rocking Curves-GaN Material-INFORME DE PRUEBA

Un informe de prueba puede mostrar la calidad de la oblea y la concordancia entre la descripción y los datos de las obleas. Después del proceso de fabricación, probaremos la caracterización de la oblea:

* Pruebe la rugosidad de la superficie de la oblea con un microscopio de fuerza atómica;

* Tipo de conductividad de prueba por instrumento de espectros romanos;

* Pruebe la resistividad de la oblea con equipos de prueba de resistividad sin contacto;

* Pruebe la densidad del microtubo de la oblea con un microscopio polarizador.

Limpiaremos y empaquetaremos las obleas en un entorno limpio de clase 100 después de la prueba. Si las cualidades de las obleas no cumplen con las especificaciones personalizadas, las quitaremos después de la prueba.

El ancho completo de media altura (FWHM) es el ancho de la curva espectral medido entre esos puntos en el eje Y. El siguiente diagrama muestra las curvas oscilantes XRD del material GaN probado:

XRD Rocking Curves of GaN Material

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