Oblea Epi de silicio
La oblea epi de silicio (Si) se refiere al crecimiento epitaxial de una o más capas sobre un sustrato de oblea pulido mediante deposición química de vapor (CVD) u otros métodos epitaxiales. El tipo de dopaje, la resistividad, el grosor, la estructura reticular, etc. de la oblea epitaxial de silicio cumplen todos los requisitos de los dispositivos específicos. El crecimiento epitaxial de silicio se utiliza para reducir los defectos causados por el crecimiento monocristalino de la oblea de silicio, de modo que la oblea epi de silicio tiene una densidad de defectos y un contenido de oxígeno más bajos, y luego se utiliza para fabricar varios dispositivos semiconductores discretos y productos de circuitos integrados.
Ganwafer offer Silicon Epitaxial Wafer as follows:
Diámetros: 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm y 300 mm*;
Orientación de la oblea: <100>, <111>, <110>;
Espesor EPI: 1 µm a 150 µm.
También ofrecemos servicios de personalización epitaxial.
- Descripción
- Consulta
Descripción
Los principales parámetros técnicos de la película de silicio epitaxial incluyen el tipo de conductividad, la resistividad y la uniformidad, el espesor y la uniformidad, el espesor de la capa de transición, la distorsión del patrón epitaxial enterrado y la deriva del patrón, la planitud de la superficie, la densidad de dislocación, las líneas de deslizamiento de la superficie, la niebla de la superficie, las fallas de apilamiento y los pozos. etc. Entre ellos, el grosor y la resistividad de la oblea Si epi son dos elementos de inspección importantes después del crecimiento epitaxial de silicio.
1. Especificación de obleas Epi de silicio de 6″ (150 mm)
| Artículo | Especificaciones | |
| Sustrato | Subespecificación No. | |
| método de crecimiento de lingotes | CZ | |
| Tipo de conductividad | norte | |
| dopante | Como | |
| Orientación | (100) ± 0,5 ° | |
| Resistividad | ≤0.005Ohm.cm | |
| RRG | ≤15% | |
| [Oi] Contenido | 8~18 ppma | |
| Diámetro | 150±0,2 mm | |
| Longitud plana primaria | 55~60mm | |
| Localización plana primaria | {110}±1° | |
| En segundo lugar longitud plana | semi | |
| Segunda ubicación plana | semi | |
| Espesor | 625±15 um | |
| Características de la parte trasera: | ||
| 1. BSD/Poli-Si(A) | 1. DBS | |
| 2. SIO2 | 2. LTO: 5000±500 A | |
| 3. Exclusión de bordes | 3 EE: 0,6mm | |
| Marcado láser | NINGUNA | |
| superficie frontal | Pulido espejo | |
| Epi | Estructura | N/N+ |
| dopante | Fos | |
| Espesor | 3±0,2 um | |
| Uniformidad de espesor | ≤5 % | |
| Posición de medición | Centro (1 pt) 10 mm desde el borde (4 pts a 90 grados) | |
| Cálculo | [Tmax-Tmin]÷[[Tmax+Tmin]X100% | |
| Resistividad | 2,5±0,2 ohmios.cm | |
| Res.Uniformidad | ≤5 % | |
| Posición de medición | Centro (1 pt) 10 mm desde el borde (4 pts a 90 grados) | |
| Cálculo | [Rmax-Rmin]÷[[Rmax+Rmin]X100% | |
| Densidad de fallo de pila | ≤2 (ea/cm2) | |
| Calina | NINGUNA | |
| Arañazos | NINGUNA | |
| Cráteres, Piel De Naranja | NINGUNA | |
| Corona de borde | ≤1/3 espesor Epi | |
| Deslizamiento (mm) | Longitud total ≤ 1 de diámetro | |
| Asunto extranjero | NINGUNA | |
| Contaminación de la superficie posterior | NINGUNA | |
| Defectos de puntos totales (partículas) | ≤30@0.3um |
2. Aplicación del proceso Epi de silicio
Las obleas epi de silicio se han utilizado con éxito en la fabricación de transistores de alta potencia y alta frecuencia, y las aplicaciones de la epitaxia de silicio se han vuelto cada vez más extensas. En el dispositivo bipolar, ya sea la fabricación de transistores, válvulas de potencia, circuitos integrados lineales y circuitos integrados digitales, todos estos no pueden prescindir de las obleas epitaxiales de silicio. Para los dispositivos MOS, las obleas epitaxiales de Si se han utilizado ampliamente debido a la solución del efecto latch-up en los circuitos CMOS. Actualmente, los circuitos BiCMOS también se fabrican utilizando una oblea de epitaxia de Si. Algunos dispositivos acoplados por carga (CCD) se han fabricado en obleas epitaxiales de silicio.
3. ¿Cómo mejorar la consistencia de los parámetros técnicos epitaxiales de la oblea Epi de silicio?
El problema central que acompaña a la producción en masa es la estabilidad, consistencia y uniformidad del control de parámetros del producto. Solo mejorando la consistencia de las obleas de silicio en cada lote se puede mejorar la calidad y el rendimiento de las obleas epitaxiales. Los fabricantes de obleas epitaxiales, incluidos nosotros, optimizan la temperatura de reacción de la capa epitaxial, la tasa de flujo del gas epitaxial, el gradiente de temperatura en el centro y el borde en el proceso de oblea epi, se logra una oblea de silicio epitaxial de alta calidad.
Por ejemplo, según las características del campo de flujo de gas epitaxial de silicio y el mecanismo de reacción CVD, el crecimiento epitaxial de Si se produce en la capa de retención (intercambio de sustancias por difusión). Cuanto mayor sea la posición de la interfaz de reacción en la capa de retención, mayor será la tasa de difusión, mayor será la tasa de crecimiento correspondiente y mayor será el espesor en el mismo tiempo de proceso. Por lo tanto, al ajustar la distribución de altura de la oblea de silicio en el campo de flujo de aire, se puede obtener la tasa de crecimiento epitaxial en diferentes obleas de silicio, se puede lograr el ajuste del espesor epitaxial y se puede lograr una buena consistencia del espesor.
