GaN en oblea HEMT de zafiro

GaN en oblea HEMT de zafiro

Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.

Y ahora vea a continuación las especificaciones de la oblea HEMT GaN-on-Sapphire:

Descripción

1. GaN en oblea de zafiro con estructura HEMT para aplicaciones de energía

Tamaño de oblea 2”, 3”, 4”, 6”
Estructura AlGaN / GaN HEMT Consulte 1.2
Densidad de portadores 6E12~2E13cm2
Movilidad Hall / /
XRD(102)FWHM ~arco.sec
XRD(002)FWHM ~arco.sec
Resistividad de hoja / /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0.25nm
Arco (eh) <=35um
Exclusión de bordes <2 mm
capa de pasivación de SiN 0~30nm
toda la composicion 20-30%
en composición 17% para InAlN
Límite de GaN / /
Barrera AlGaN/(In)AlN / /
capa intermedia de AlN / /
canal GaN / /
Búfer de GaN dopado con C / /
Desnudacion / /
material de sustrato Sustrato de zafiro

 

2. Estructura GaN HEMT en sustrato de zafiro para aplicaciones de RF

Tamaño de oblea 2”, 3”, 4”, 6”
Estructura AlGaN / GaN HEMT Consulte 1.2
Densidad de portadores 6E12~2E13cm2
Movilidad Hall / /
XRD(102)FWHM / /
XRD(002)FWHM / /
Resistividad de hoja / /
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0.25nm
Arco (eh) <=35um
Exclusión de bordes <2 mm
capa de pasivación siN 0~30nm
capa superior de u-GaN / /
toda la composicion 20-30%
en composición 17% para InAlN
capa de barrera de AlGaN 20~30nm
espaciador AlN / /
Capa amortiguadora de GaN (um) / /
canal GaN / /
Tampón de GaN dopado con Fe / /
Desnudacion / /
material de sustrato Sustrato de zafiro

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