GaN en oblea HEMT de zafiro
Ganwafer offers GaN on Sapphire wafers with HEMT structure and GaN template on Sapphire substrate for power or RF devices. The epitaxial layers of GaN based materials and devices are mainly grown on sapphire substrates. Why epitaxial GaN growth on Sapphire? Reasons are that sapphire substrate has many advantages: firstly, sapphire substrate has mature production technology and good device quality; secondly, sapphire has good stability and can be used in high temperature growth process; finally, sapphire has high mechanical strength and is easy to handle and clean. Therefore, most of the GaN HEMT wafer processes are based on sapphire. However, using sapphire as substrate also has some problems, such as lattice mismatch and thermal stress mismatch, which will produce a large number of defects in the GaN / Sapphire epitaxial layer and cause difficulties in the subsequent device processing.
Y ahora vea a continuación las especificaciones de la oblea HEMT GaN-on-Sapphire:
- Descripción
- Consulta
Descripción
1. GaN en oblea de zafiro con estructura HEMT para aplicaciones de energía
Tamaño de oblea | 2”, 3”, 4”, 6” |
Estructura AlGaN / GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidad de portadores | 6E12~2E13cm2 |
Movilidad Hall | / / |
XRD(102)FWHM | ~arco.sec |
XRD(002)FWHM | ~arco.sec |
Resistividad de hoja | / / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arco (eh) | <=35um |
Exclusión de bordes | <2 mm |
capa de pasivación de SiN | 0~30nm |
toda la composicion | 20-30% |
en composición | 17% para InAlN |
Límite de GaN | / / |
Barrera AlGaN/(In)AlN | / / |
capa intermedia de AlN | / / |
canal GaN | / / |
Búfer de GaN dopado con C | / / |
Desnudacion | / / |
material de sustrato | Sustrato de zafiro |
2. Estructura GaN HEMT en sustrato de zafiro para aplicaciones de RF
Tamaño de oblea | 2”, 3”, 4”, 6” |
Estructura AlGaN / GaN HEMT | Consulte 1.2 |
Densidad de portadores | 6E12~2E13cm2 |
Movilidad Hall | / / |
XRD(102)FWHM | / / |
XRD(002)FWHM | / / |
Resistividad de hoja | / / |
AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
Arco (eh) | <=35um |
Exclusión de bordes | <2 mm |
capa de pasivación siN | 0~30nm |
capa superior de u-GaN | / / |
toda la composicion | 20-30% |
en composición | 17% para InAlN |
capa de barrera de AlGaN | 20~30nm |
espaciador AlN | / / |
Capa amortiguadora de GaN (um) | / / |
canal GaN | / / |
Tampón de GaN dopado con Fe | / / |
Desnudacion | / / |
material de sustrato | Sustrato de zafiro |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!