Oblea GaN en SiC HEMT
Ganwafer ofrece oblea HEMT de GaN sobre SiC (carburo de silicio) y plantilla de epitaxia de GaN sobre SiC.
Debido a que la conductividad térmica del carburo de silicio es mucho más alta que la del GaN, el Si y el zafiro, el desajuste de la red entre el SiC y el GaN es muy pequeño. El sustrato SiC puede mejorar las características de disipación de calor y reducir la temperatura de unión del dispositivo. Sin embargo, la humectabilidad de GaN y SiC es pobre, por lo que es difícil obtener un crecimiento epitaxial suave de GaN en el sustrato de SiC. La actividad de migración de AlN en la matriz de SiC es pequeña y la humectabilidad con la matriz de SiC es buena. Por lo tanto, AlN generalmente se usa como capa de nucleación de GaN en una oblea de SiC para mejorar la calidad del cristal de GaN al optimizar las condiciones de crecimiento de la capa de nucleación de AlN. Debido al pequeño desajuste de la red, una vez que la capa de humectación y los problemas de grietas se resuelven con nuestra tecnología de proceso de GaN en SiC, la calidad de GaN en el sustrato de carburo de silicio es mejor que en el sustrato de zafiro y Si. Por lo tanto, el rendimiento de transporte de la heteroestructura de GaN 2DEG en el sustrato de SiC es mejor.
Especificación de la oblea GaN en SiC HEMT:
- Descripción
- Consulta
Descripción
1. Oblea HEMT AlGaN / GaN-on-SiC para aplicaciones de RF
| Tamaño de oblea | 2”, 3”, 4”, 6” |
| Estructura AlGaN/GaN HEMT | Consulte 1.2 |
| Densidad de portadores | 6E12~2E13 cm2 |
| Movilidad de pasillo | 1300~2200cm2v-1s-1 |
| XRD(102)FWHM | <300arc.seg |
| XRD(002)FWHM | <260arc.seg |
| Resistividad de hoja | 200~450 ohmios/cuadrado |
| AFM RMS (nm) de 5x5um2 | <0.25nm |
| Arco (eh) | <=35um |
| Exclusión de bordes | <2 mm |
| capa de pasivación de SiN | 0~30nm |
| Capa de cobertura de GaN | 2 nm |
| toda la composicion | 20-30% |
| en composición | 17% para InAlN |
| AlGaN | / |
| capa intermedia de AlN | / |
| canal GaN | / |
| Tampón de GaN dopado con Fe | 1.6um |
| capa amortiguadora de AlN | / |
| material de sustrato | Sustrato de SiC |
2. Especificación de plantilla de GaN en SiC
2″ o 4” GaN en sustrato 4H o 6H SiC
| 1) El tampón de GaN sin dopar o el tampón de AlN están disponibles; | ||||
| 2) capas epitaxiales de GaN semiaislantes o de tipo n (si dopadas o sin dopar), disponibles; | ||||
| 3) Estructuras conductoras verticales sobre SiC tipo n o semiaislante; | ||||
| 4) AlGaN – 20-60nm de espesor, (20%-30%Al), tampón dopado con Si; | ||||
| 5) Capa tipo n de GaN en una oblea de 2” o 4” de 350 µm+/-25 um de espesor. | ||||
| 6) Cara simple o doble pulida, lista para epi, Ra <0.5um | ||||
| 7) Valor típico en XRD: | ||||
| ID de oblea | ID de sustrato | XRD (102) | XRD (002) | Espesor |
| #2153 | X-70105033 (con AlN) | 298 | 167 | 679um |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!
