SiCHEMTウェーハ上のGaN
Ganwafer は、GaN on SiC (炭化ケイ素) HEMT ウエハーおよび GaN on SiC エピタキシー テンプレートを提供しています。
炭化ケイ素の熱伝導率は、GaN、Si、サファイアの熱伝導率よりもはるかに高いため、SiCとGaNの格子不整合は非常に小さくなります。 SiC基板は、熱放散特性を改善し、デバイスの接合部温度を下げることができます。 しかし、GaNとSiCの湿潤性が悪いため、SiC基板上に滑らかなGaNエピタキシャル成長を得るのは困難です。 SiCマトリックス上でのAlNの移動活性は小さく、SiCマトリックスとの湿潤性は良好です。 したがって、AlNは通常、SiCウェーハ上のGaNの核形成層として使用され、AlN核形成層の成長条件を最適化することによってGaN結晶の品質を向上させます。 格子不整合が小さいため、濡れ層と亀裂の問題がGaN on SiCプロセス技術によって解決されると、炭化ケイ素基板上のGaNの品質は、Siおよびサファイア基板上のGaNよりも優れています。 したがって、SiC基板上のGaNヘテロ構造2DEGの輸送性能は優れています。
SiC HEMTウェーハ上のGaNの仕様:
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説明
1.RFアプリケーション用のAlGaN / GaN-on-SiCHEMTウェーハ
ウェーハサイズ | 2インチ、3インチ、4インチ、6インチ |
AlGaN / GaNHEMT構造 | 1.2を参照 |
キャリア密度 | 6E12〜2E13 cm2 |
ホールモビリティ | 1300〜2200 cm2v-1s-1 |
XRD(102)FWHM | <300arc.sec |
XRD(002)FWHM | <260arc.sec |
シート抵抗率 | 200〜450オーム/平方 |
5x5um2のAFMRMS(nm) | <0.25nm |
弓(ええと) | <= 35um |
エッジの除外 | <2mm |
SiNパッシベーション層 | 0〜30nm |
GaNキャップ層 | 2nm |
Al組成 | 20〜30% |
作曲中 | InAlNの場合は17% |
AlGaN | / |
AlN中間層 | / |
GaNチャネル | / |
FeをドープしたGaNバッファ | 1.6um |
AlNバッファ層 | / |
基板材料 | SiC基板 |
2.SiCテンプレート上のGaNの仕様
4Hまたは6HSiC基板上の2インチまたは4インチのGaN
1)ドープされていないGaNバッファまたはAlNバッファが利用可能です。 | ||||
2)利用可能なn型(Siドープまたは非ドープ)、p型または半絶縁性GaNエピタキシャル層。 | ||||
3)n型または半絶縁性SiC上の垂直導電性構造。 | ||||
4)AlGaN –厚さ20〜60 nm、(20%〜30%Al)、Siドープバッファ。 | ||||
5)厚さ350µm +/- 25umの2インチまたは4インチのウェーハ上のGaNn型層。 | ||||
6)片面または両面研磨、エピ対応、Ra <0.5um | ||||
7)XRDの標準値: | ||||
ウェハID | 基板ID | XRD(102) | XRD(002) | 厚さ |
#2153 | X-70105033(AlN付き) | 298 | 167 | 679um |
述べる:
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料(GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど)およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。