GaN sur SiC HEMT Wafer

GaN sur SiC HEMT Wafer

Ganwafer offers GaN on SiC (Silicon Carbide) HEMT Wafer and GaN on SiC epitaxy template.

Étant donné que la conductivité thermique du carbure de silicium est bien supérieure à celle du GaN, du Si et du saphir, le décalage de réseau entre le SiC et le GaN est très faible. Le substrat SiC peut améliorer les caractéristiques de dissipation thermique et réduire la température de jonction du dispositif. Cependant, la mouillabilité de GaN et de SiC est médiocre, il est donc difficile d'obtenir une croissance épitaxiale régulière de GaN sur un substrat de SiC. L'activité de migration de l'AlN sur la matrice SiC est faible et la mouillabilité avec la matrice SiC est bonne. Par conséquent, l'AlN est généralement utilisé comme couche de nucléation de GaN sur une plaquette de SiC pour améliorer la qualité cristalline de GaN en optimisant les conditions de croissance de la couche de nucléation d'AlN. En raison du faible décalage de réseau, une fois que les problèmes de couche de mouillage et de fissures sont résolus par notre technologie de procédé GaN sur SiC, la qualité de GaN sur substrat de carbure de silicium est meilleure que celle sur Si et substrat de saphir. Par conséquent, les performances de transport de l'hétérostructure GaN 2DEG sur substrat SiC sont meilleures.

GaN sur plaquette HEMT SiC :

Description

1. Plaquette HEMT AlGaN / GaN-sur-SiC pour application RF

Taille de plaquette 2", 3", 4", 6"
Structure HEMT AlGaN/GaN Voir 1.2
Densité de porteurs 6E12~2E13 cm2
Mobilité de salle 1300~2200 cm2v-1s-1
DRX(102)FWHM <300arc.sec
DRX(002)FWHM <260arc.sec
Résistivité de feuille 200 ~ 450 ohms/carré
AFM RMS (nm) de 5x5um2 <0.25nm
Arc (euh) <=35um
Exclusion de bord <2mm
Couche de passivation SiN 0~30nm
Couche de couverture GaN 2nm
Al composition 20-30%
En composition 17% pour InAlN
AlGaN /
Intercalaire AlN /
Canal GaN /
Tampon GaN dopé Fe 1.6um
Couche tampon AlN /
Matériau du substrat Substrat SiC

 

2. Spécification du GaN sur le modèle SiC

GaN 2″ ou 4″ sur substrat SiC 4H ou 6H

1) Un tampon GaN non dopé ou un tampon AlN sont disponibles ;
2) Couches épitaxiales GaN de type n (dopées ou non dopées Si), de type p ou semi-isolantes disponibles ;
3) Structures conductrices verticales sur SiC de type n ou semi-isolant ;
4) AlGaN - 20-60nm d'épaisseur, (20%-30%Al), tampon dopé Si ;
5) Couche GaN de type n sur tranche de 2" ou 4" de 350 µm +/-25 µm d'épaisseur.
6) poli simple ou double face, prêt pour l'épi, Ra<0.5um
7) Valeur typique sur XRD :
 ID wafer  ID du support  XRD (102)  XRD (002) Épaisseur
#2153 X-70105033 (avec AIN) 298 167 679um

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