Substrat GaN autoportant semi-isolant
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
- La description
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Description
1. Spécification du substrat GaN autoportant semi-isolant
Substrat de plaquette de GaN semi-isolant 1.1 4″
| Article | GANW-FS-GaN100-SI |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Taille | 4″(100)+/-1mm |
| Épaisseur | 480+/-50um |
| Orientation | C-axe (0001) +/- 0,5 ° |
| Emplacement plat principal | (10-10)+/-0.5° |
| Plat Longueur primaire | 32+/-1mm |
| Location Appartement secondaire | (1-210)+/-3° |
| Plat Longueur secondaire | 16 +/- 1mm |
| Résistivité (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densité de Dislocation | <5 × 106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| ARC | <=+/-30um |
| Finition de surface | Surface avant : Ra<=0.3nm.Epi-ready poli |
| - | Surface arrière : 1. Sol fin |
| - | 2. Poli |
| Surface utile | ≥ 90% |
Substrat autonome GaN semi-isolé 1.2 2″
| Article | GANW-FS-GaN50-SI |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Taille | 2 "(50,8) +/- 1mm |
| Épaisseur | 400+/-50um |
| Orientation | Axe C (0001) hors angle vers l'axe A 0,35°+/-0,15° |
| Emplacement plat principal | (10-10)+/-0.5° |
| Plat Longueur primaire | 16 +/- 1mm |
| Location Appartement secondaire | (1-210)+/-3° |
| Plat Longueur secondaire | 8 +/- 1mm |
| Résistivité (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densité de Dislocation | <5 × 106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <= 15UM |
| ARC | <=+/-20um |
| Finition de surface | Surface avant : Ra<=0,3 nm. Epi-ready poli |
| - | Surface arrière : 1. Sol fin |
| - | 2. Poli. |
| Surface utile | ≥ 90% |
2. XRD Rocking Curves-GaN Material-TEST REPORT
Un rapport de test peut montrer la qualité de la tranche et la concordance entre la description et les données des tranches. Après le processus de fabrication, nous testerons la caractérisation du wafer :
* Tester la rugosité de la surface de la plaquette au microscope à force atomique ;
* Type de conductivité d'essai par l'instrument romain de spectres ;
* Tester la résistivité des tranches à l'aide d'un équipement de test de résistivité sans contact ;
* Tester la densité de microtuyaux de la plaquette au microscope polarisant.
Nous allons nettoyer et emballer les plaquettes dans un environnement propre de classe 100 après les tests. Si les qualités des plaquettes ne répondent pas aux spécifications personnalisées, nous les retirerons après les tests.
La pleine largeur à mi-hauteur (FWHM) est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe Y. Le diagramme suivant montre les courbes de bascule XRD du matériau GaN testé :
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
