Substrat GaN autoportant semi-isolant

Substrat GaN autoportant semi-isolant

Le substrat autoportant semi-isolant GaN (nitrure de gallium) est principalement destiné aux appareils RF basés sur la structure HEMT. PAM-XIAMEN, un fabricant de substrats GaN autoportants semi-isolants, a mis au point la technologie de fabrication de la plaquette de substrat semi-isolant GaN autoportante. La plaquette de substrat est pour UHB-LED et LD. Notre substrat GaN développé par épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE) a une faible densité de défauts et une densité de macro-défauts moindre ou libre. Plus de spécifications du substrat semi-isolant GaN, veuillez voir ci-dessous :

Description

1. Spécification du substrat GaN autoportant semi-isolant

Substrat de plaquette de GaN semi-isolant 1.1 4″

Article PAM-FS-GaN100-SI
Type de Conduction Semi-isolant
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50um
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) >10^6Ω·cm
Densité de Dislocation <5 × 106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0.3nm.Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli
Surface utile ≥ 90%

 

Substrat autonome GaN semi-isolé 1.2 2″

Article PAM-FS-GaN50-SI
Type de Conduction Semi-isolant
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50um
Orientation Axe C (0001) hors angle vers l'axe A 0,35°+/-0,15°
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) >10^6Ω·cm
Densité de Dislocation <5 × 106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0,3 nm. Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli.
Surface utile ≥ 90%

 

2. XRD Rocking Curves-GaN Material-TEST REPORT

Un rapport de test peut montrer la qualité de la tranche et la concordance entre la description et les données des tranches. Après le processus de fabrication, nous testerons la caractérisation du wafer :

* Tester la rugosité de la surface de la plaquette au microscope à force atomique ;

* Type de conductivité d'essai par l'instrument romain de spectres ;

* Tester la résistivité des tranches à l'aide d'un équipement de test de résistivité sans contact ;

* Tester la densité de microtuyaux de la plaquette au microscope polarisant.

Nous allons nettoyer et emballer les plaquettes dans un environnement propre de classe 100 après les tests. Si les qualités des plaquettes ne répondent pas aux spécifications personnalisées, nous les retirerons après les tests.

La pleine largeur à mi-hauteur (FWHM) est la largeur de la courbe spectrale mesurée entre ces points sur l'axe Y. Le diagramme suivant montre les courbes de bascule XRD du matériau GaN testé :

XRD Rocking Curves of GaN Material

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