Plaquette de silicium FZ

Plaquette de silicium FZ

La taille des tranches de silicium (Si) à zone flottante (FZ) à vendre est principalement de 8 pouces et 6 pouces. Par rapport aux tranches de silicium fabriquées par la méthode Czochralski (CZ), la plus grande caractéristique de la tranche de zone flottante est que la résistivité est relativement élevée, la pureté est plus élevée et elle peut supporter une haute tension. Cependant, il est difficile de produire des tranches de silicium FZ de grande taille et les propriétés mécaniques sont médiocres. Par conséquent, il existe peu de tranches de silicium à croissance de zone flottante utilisées dans les circuits intégrés. La plaquette FZ est préparée par un processus de zone flottante. En raison de l'absence de creuset pendant la croissance des cristaux de silicium de la zone flottante, la pollution du creuset est évitée et la fusion de la zone de suspension peut être utilisée pour de multiples purifications, de sorte que la pureté du lingot de silicium FZ est élevée et la conductivité du substrat FZ-silicium peut atteindre 1000 Ω-cm ou plus.

Description

Les plaquettes FZ Si produites par les fournisseurs de plaquettes FZ sont utilisées pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance, de photodiodes, de détecteurs de rayons, de détecteurs infrarouges, etc. La teneur en oxygène de la plaquette de silicium FZ est inférieure de 2 à 3 ordres de grandeur à celle du silicium CZ. Puisqu'il n'y a pas de dépôt formé par l'oxygène, la résistance mécanique de la plaquette de silicium à zone flottante n'est pas aussi bonne que celle de la plaquette de silicium CZ développée. De plus, le gauchissement et les défauts sont faciles à générer pendant le processus de fabrication. L'ajout d'azote est une solution pour améliorer la résistance de la plaquette pendant la croissance des cristaux de silicium de la zone flottante. Les spécifications supplémentaires du silicium monocristallin FZ sont les suivantes :

1. Plaquette de silicium à zone flottante à haute résistivité de 8 pouces avec SSP ou DSP

Plaquette de silicium FZ de 8 pouces avec SSP ou DSP et résistivité élevée
Article Paramètres
Matériel Silicium monocristallin
Qualité Qualité supérieure
Procédé de croissance FZ
Diamètre 8″(200.0±0.2mm)
Type de conductivité Type N Type N Type P
dopant Phosphore Phosphore Bore
Orientation [100]±0,5°
Épaisseur 625+/- 5µm 725±25μm 725±25μm
Résistivité >8,000-14,000Ωcm >10,000Ωcm 5,000-10,000Ωcm
RRV <40% (ASTM F81 Plan C)
Encoche SEMI STD Encoche SEMI STD
Finition de surface 1SP, SSP
Un côté-Epi-Ready-Poli
Verso gravé
Bord arrondi Selon la norme SEMI
Exclusion des bords métrologiques (lpd, paramètres mécaniques) 3 mm
Particule LPD >= 0,30 µm (dont COP) <=25
LPD >= 0,20 µm (dont COP) <=30
LPD >= 0,16 µm (dont COP) <=60
Rugosité <0,5 nm
TTV <1.5um <10um <6um
Bow / chaîne <35um Arc<40µm, Chaîne<60µm <40um
TIR <5µm
Contient de l'oxygène 11-15 PPMA
La teneur en carbone <2E16/cm3
Planéité du site SFQD 20X20mm : 0.40um
Durée de vie du CM >1 000 μs >1 000 μs >1 000 μs
Contamination métallique de surface
(Al, Ca, Cu, Fe, Ni, Zn, Cr, Na)
≤5E10 atomes/cm2 (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) Max 5E10/cm2
Densité de Dislocation SEMI STD SEMI STD 500 maxi/cm2
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination Tous Aucun
laser Mark SEMI STD Option laser sérialisé :
Laser peu profond
Le long de l'appartement
Sur le devant

 

2. Plaquette de silicium FZ de 6 pouces

Plaquette de silicium FZ de 6 pouces
Article Paramètres
Matériel Silicium monocristallin
Qualité Qualité supérieure
Procédé de croissance FZ
Diamètre 6″(150 ± 0,5 mm)
Type de conductivité Intrinsèque Type N Type P
dopant low doped Phosphore Bore
Orientation <100>±0,5° [100]±0,5° (111)±0.5°
Épaisseur 625±15μm 675±10μm
1 000 ± 25 µm
875±25μm
1 000 ± 25 µm
Résistivité >20 000Ωcm 6,000-10,000 5,000-10,000Ωcm
RRV <40% (ASTM F81 Plan C)
plat principal Un SEMI plat (57,5 mm) SEMI STD SEMI encoche à 110 ± 1°
plat secondaire N / A SEMI STD N / A
Finition de surface Finition de la face avant Poli miroir
Finition de la face arrière Poli miroir
Finition de la face avant Poli miroir
Finition de la face arrière Poli miroir
Un côté poli
Dos gravé à l'acide
Bord arrondi Selon la norme SEMI
Particule <20 comptes à 0,3 μm
Rugosité <0,5 nm
TTV <10um <10um <12um
Bow / chaîne <30um <40um <60um
TIR <5µm
Contient de l'oxygène <2E16/cm3
La teneur en carbone <2E16/cm3
OISF <50/cm²
REMUER (15x15mm) <1.5µm
Durée de vie du CM >1 000 μs
Contamination métallique de surface
Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn
≤5E10 atomes/cm2
Densité de Dislocation 500 maxi/cm2
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination Ternir, peau d'orange, contamination, brume, micro-rayures, éclats, éclats de bord, fissure, pattes d'oie, trou d'épingle, fosses, bosses, ondulations, taches et cicatrices à l'arrière : tous aucun
laser Mark Le long de l'appartement
Sur la face avant, option Laser sérialisé :
Laser peu profond

 

3. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec durée de vie des porteurs minoritaires 300 μs

Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec durée de vie des porteurs minoritaires 300 μs
Description Exigences
Caractéristiques générales
Méthode de culture Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons      FZ+NTD
Orientation <111> +/- 1 degré
Type de conductivité N
Substance d'impureté P
Zone de contrôle 3 mm du bord d'une plaquette ne sont pas surveillés
Les caractéristiques électriques
Constante de résistivité 100 Ohm.cm ±8%
Dispersion radiale de
constante de résistivité
Pas plus de 4 %
Porteur minoritaire
Durée de vie min
300 mc
Les caractéristiques chimiques
Teneur en oxygène 0,2 ppma
Teneur en carbone 0,2 ppma
Perfection de la structure
Contenu de luxation gratuit
Densité de défauts de l'emballage Pas plus de 1*102 1/cm2
Densité de microdéfauts Pas plus de 1*104 1/cm2
Tourbillons gratuit
Caractéristique de la préparation des plaquettes
face arrière Rodage et gravure
Géométrie
Diamètre 152,4+1mm
Étendue de la coupe primaire 30-35 millimètres
Largeur de facette Production de 0,1-0,25 mm sur un «ancien»
Épaisseur 625 um
Polyépaisseur (TTV) pas plus de 5 um
Déformation Pas plus de 35 um
Variation de plan Pas plus de 5 um
Surface de l'état de travail Brillant
Rayures Carence
Microrayure (risque) Longueur totale pas plus de 0,5 diamètre d'une plaquette
Contamination Carence
ternir BRUME≤5 ppm
Croutes Carence
épluchure d'orange Carence
Défaut de lame de scie Carence
Surface de non état de marche Au sol, gravé
Bordure de croûtes Carence
Crack telle "griffe de corbeau" Carence
Contamination Carence
Défaut de lame de scie Carence
Rayures Longueur totale pas plus de 0,5 diamètre d'une plaquette
Speck de gravure non uniforme Carence

 

4. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec orientation (111) et épaisseur 625 μm

Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec orientation (111) et épaisseur 625 μm
Description Unité Valeur Norme de méthode de contrôle
Méthode ZF+NTD
Type N
dopant P ( Phosphore)
Orientation - <111> +/- 1 degré ASTM F 26
Diamètre mm 152,4±1 Calibre
Épaisseur, mini um 625 -
Résistivité Ohm*cm 100 Sonde 4 points ASTM F 84
Variation de résistivité radiale, max % 8 ASTM F 81 Plan C
Durée de vie des porteurs minoritaires, min mcs 300 ASTM F1535-94
Teneur en carbone, max ppma 0.2 ASTM F 1391-93
Contient de l'oxygène/ ppma 0.2 ASTM F 1188-93a
Face avant Brillant
face arrière Au sol, gravé
Tourbillons - aucun F47
Luxations - aucun F47

 

5. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec une épaisseur de 300 μm

Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec une épaisseur de 300 μm
Description Exigences
Diamètre 150mm±0.5mm
Épaisseur 300um
Méthode de croissance ZF+NTD
Orientation (100)
Tapez : N N
dopant P
Résistivité 85 Ohms*cm ±4%
Finition de surface côté lustrés
Appartements 1, SEMI-Std, longueur 30-35mm
TTV ≤5UM
Chaîne ≤35um
Arc ≤5UM
Contient de l'oxygène ≤1.0*10^18cm-3
La teneur en carbone ≤5.0*10^16cm-3
Luxations Aucun
Caleçon Aucun
Brume Aucun
Rayures Aucun
Jetons de bord Aucun
Fossettes Aucun
Orange Peel Aucun
Fissures/fractures Aucun

 

6. Lingot de sol en silicone FZ + NTD de 6 pouces

Lingot de sol en silicium FZ + NTD de 6 pouces
Paramètre Unité Valeur Norme de méthode de contrôle
Méthode ZF+NTD
Type N
dopant P ( Phosphore)
Orientation - <111> +/- 1 degré ASTM F 26
Diamètre mm 150.0+0.5 Calibre
Résistivité Ohm*cm 170 Sonde 4 points ASTM F 84
Variation de résistivité radiale, max % 8 ASTM F 81 Plan C
Durée de vie des porteurs minoritaires, min mcs 300 ASTM F1535-94
Teneur en carbone, max ppma 0.2 ASTM F 1391-93
Contient de l'oxygène ppma 22 ASTM F 1188-93a
Tourbillons - aucun F47
Luxations - aucun F47

 

7. Plaquette de silicium FZ de 4 pouces

Plaquette de silicium FZ de 4 pouces
Article Paramètres
Matériel Silicium monocristallin
Qualité Qualité supérieure
Procédé de croissance FZ
Diamètre 4″(100±0.4mm)
Type de conductivité Intrinsèque Type N Type P
dopant low doped Phosphore Bore
Orientation <111>±0,5° [110]±0,5° (100)±1°
Épaisseur 500±25μm
Résistivité >10,000Ωcm >5,000Ωcm 5,000-10,000Ωcm
RRV <40% (ASTM F81 Plan C)
plat principal Appartements SEMI STD
plat secondaire Appartements SEMI STD
Finition de surface Un côté-Epi-Ready-Poli,
Verso gravé
Bord arrondi Selon la norme SEMI
Particule <20 comptes à 0,3 μm
Rugosité <0,5 nm
TTV <10um
Bow / chaîne <40um
TIR <5µm
Contient de l'oxygène <2E16/cm3
La teneur en carbone <2E16/cm3
OISF <50/cm²
REMUER (15x15mm) <1.5µm
Durée de vie du CM >1 000 μs
Contamination métallique de surface Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr ≤5E10 atomes/cm2
Densité de Dislocation 500 maxi/cm2
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination Tous Aucun
laser Mark Along The Flat

Sur la face avant,

Option laser sérialisé :

Laser peu profond

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