Plaquette de silicium FZ
La taille des tranches de silicium (Si) à zone flottante (FZ) à vendre est principalement de 8 pouces et 6 pouces. Par rapport aux tranches de silicium fabriquées par la méthode Czochralski (CZ), la plus grande caractéristique de la tranche de zone flottante est que la résistivité est relativement élevée, la pureté est plus élevée et elle peut supporter une haute tension. Cependant, il est difficile de produire des tranches de silicium FZ de grande taille et les propriétés mécaniques sont médiocres. Par conséquent, il existe peu de tranches de silicium à croissance de zone flottante utilisées dans les circuits intégrés. La plaquette FZ est préparée par un processus de zone flottante. En raison de l'absence de creuset pendant la croissance des cristaux de silicium de la zone flottante, la pollution du creuset est évitée et la fusion de la zone de suspension peut être utilisée pour de multiples purifications, de sorte que la pureté du lingot de silicium FZ est élevée et la conductivité du substrat FZ-silicium peut atteindre 1000 Ω-cm ou plus.
- La description
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Description
Les plaquettes FZ Si produites par les fournisseurs de plaquettes FZ sont utilisées pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance, de photodiodes, de détecteurs de rayons, de détecteurs infrarouges, etc. La teneur en oxygène de la plaquette de silicium FZ est inférieure de 2 à 3 ordres de grandeur à celle du silicium CZ. Puisqu'il n'y a pas de dépôt formé par l'oxygène, la résistance mécanique de la plaquette de silicium à zone flottante n'est pas aussi bonne que celle de la plaquette de silicium CZ développée. De plus, le gauchissement et les défauts sont faciles à générer pendant le processus de fabrication. L'ajout d'azote est une solution pour améliorer la résistance de la plaquette pendant la croissance des cristaux de silicium de la zone flottante. Les spécifications supplémentaires du silicium monocristallin FZ sont les suivantes :
1. Plaquette de silicium à zone flottante à haute résistivité de 8 pouces avec SSP ou DSP
Plaquette de silicium FZ de 8 pouces avec SSP ou DSP et résistivité élevée | |||
Article | Paramètres | ||
Matériel | Silicium monocristallin | ||
Qualité | Qualité supérieure | ||
Procédé de croissance | FZ | ||
Diamètre | 8″(200.0±0.2mm) | ||
Type de conductivité | Type N | Type N | Type P |
dopant | Phosphore | Phosphore | Bore |
Orientation | [100]±0,5° | ||
Épaisseur | 625+/- 5µm | 725±25μm | 725±25μm |
Résistivité | >8,000-14,000Ωcm | >10,000Ωcm | 5,000-10,000Ωcm |
RRV | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
Encoche SEMI STD | Encoche SEMI STD | ||
Finition de surface | 1SP, SSP Un côté-Epi-Ready-Poli Verso gravé |
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Bord arrondi | Selon la norme SEMI Exclusion des bords métrologiques (lpd, paramètres mécaniques) 3 mm |
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Particule | LPD >= 0,30 µm (dont COP) <=25 LPD >= 0,20 µm (dont COP) <=30 LPD >= 0,16 µm (dont COP) <=60 |
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Rugosité | <0,5 nm | ||
TTV | <1.5um | <10um | <6um |
Bow / chaîne | <35um | Arc<40µm, Chaîne<60µm | <40um |
TIR | <5µm | ||
Contient de l'oxygène | 11-15 PPMA | ||
La teneur en carbone | <2E16/cm3 | ||
Planéité du site | SFQD 20X20mm : 0.40um | ||
Durée de vie du CM | >1 000 μs | >1 000 μs | >1 000 μs |
Contamination métallique de surface (Al, Ca, Cu, Fe, Ni, Zn, Cr, Na) |
≤5E10 atomes/cm2 (Al,Ca,Cu,Fe,Ni,Zn,Cr,Na) Max 5E10/cm2 | ||
Densité de Dislocation | SEMI STD | SEMI STD | 500 maxi/cm2 |
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination | Tous Aucun | ||
laser Mark | SEMI STD | Option laser sérialisé : Laser peu profond |
Le long de l'appartement Sur le devant |
2. Plaquette de silicium FZ de 6 pouces
Plaquette de silicium FZ de 6 pouces | |||
Article | Paramètres | ||
Matériel | Silicium monocristallin | ||
Qualité | Qualité supérieure | ||
Procédé de croissance | FZ | ||
Diamètre | 6″(150 ± 0,5 mm) | ||
Type de conductivité | Intrinsèque | Type N | Type P |
dopant | faiblement dopé | Phosphore | Bore |
Orientation | <100>±0,5° | [100]±0,5° | (111)±0.5° |
Épaisseur | 625±15μm | 675±10μm 1 000 ± 25 µm |
875±25μm 1 000 ± 25 µm |
Résistivité | >20 000Ωcm | 6,000-10,000 | 5,000-10,000Ωcm |
RRV | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
plat principal | Un SEMI plat (57,5 mm) | SEMI STD | SEMI encoche à 110 ± 1° |
plat secondaire | N / A | SEMI STD | N / A |
Finition de surface | Finition de la face avant Poli miroir Finition de la face arrière Poli miroir |
Finition de la face avant Poli miroir Finition de la face arrière Poli miroir |
Un côté poli Dos gravé à l'acide |
Bord arrondi | Selon la norme SEMI | ||
Particule | <20 comptes à 0,3 μm | ||
Rugosité | <0,5 nm | ||
TTV | <10um | <10um | <12um |
Bow / chaîne | <30um | <40um | <60um |
TIR | <5µm | ||
Contient de l'oxygène | <2E16/cm3 | ||
La teneur en carbone | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
REMUER (15x15mm) | <1.5µm | ||
Durée de vie du CM | >1 000 μs | ||
Contamination métallique de surface Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 atomes/cm2 | ||
Densité de Dislocation | 500 maxi/cm2 | ||
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination | Ternir, peau d'orange, contamination, brume, micro-rayures, éclats, éclats de bord, fissure, pattes d'oie, trou d'épingle, fosses, bosses, ondulations, taches et cicatrices à l'arrière : tous aucun | ||
laser Mark | Le long de l'appartement Sur la face avant, option Laser sérialisé : Laser peu profond |
3. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec durée de vie des porteurs minoritaires 300 μs
Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec durée de vie des porteurs minoritaires 300 μs | |
Description | Exigences |
Caractéristiques générales | |
Méthode de culture | Grown by irradiating low doped Float Zone silicon with neutrons FZ+NTD |
Orientation | <111> +/- 1 degré |
Type de conductivité | N |
Substance d'impureté | P |
Zone de contrôle | 3 mm du bord d'une plaquette ne sont pas surveillés |
Les caractéristiques électriques | |
Constante de résistivité | 100 Ohm.cm ±8% |
Dispersion radiale de constante de résistivité |
Pas plus de 4 % |
Porteur minoritaire Durée de vie min |
300 mc |
Les caractéristiques chimiques | |
Teneur en oxygène | 0,2 ppma |
Teneur en carbone | 0,2 ppma |
Perfection de la structure | |
Contenu de luxation | gratuit |
Densité de défauts de l'emballage | Pas plus de 1*102 1/cm2 |
Densité de microdéfauts | Pas plus de 1*104 1/cm2 |
Tourbillons | gratuit |
Caractéristique de la préparation des plaquettes | |
face arrière | Rodage et gravure |
Géométrie | |
Diamètre | 152,4+1mm |
Étendue de la coupe primaire | 30-35 millimètres |
Largeur de facette | Production de 0,1-0,25 mm sur un «ancien» |
Épaisseur | 625 um |
Polyépaisseur (TTV) | pas plus de 5 um |
Déformation | Pas plus de 35 um |
Variation de plan | Pas plus de 5 um |
Surface de l'état de travail | Brillant |
Rayures | Carence |
Microrayure (risque) | Longueur totale pas plus de 0,5 diamètre d'une plaquette |
Contamination | Carence |
ternir | BRUME≤5 ppm |
Croutes | Carence |
épluchure d'orange | Carence |
Défaut de lame de scie | Carence |
Surface de non état de marche | Au sol, gravé |
Bordure de croûtes | Carence |
Crack telle "griffe de corbeau" | Carence |
Contamination | Carence |
Défaut de lame de scie | Carence |
Rayures | Longueur totale pas plus de 0,5 diamètre d'une plaquette |
Speck de gravure non uniforme | Carence |
4. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec orientation (111) et épaisseur 625 μm
Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec orientation (111) et épaisseur 625 μm | |||
Description | Unité | Valeur | Norme de méthode de contrôle |
Méthode | ZF+NTD | ||
Type | N | ||
dopant | P ( Phosphore) | ||
Orientation | - | <111> +/- 1 degré | ASTM F 26 |
Diamètre | mm | 152,4±1 | Calibre |
Épaisseur, mini | um | 625 | - |
Résistivité | Ohm*cm | 100 | Sonde 4 points ASTM F 84 |
Variation de résistivité radiale, max | % | 8 | ASTM F 81 Plan C |
Durée de vie des porteurs minoritaires, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
Teneur en carbone, max | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
Contient de l'oxygène/ | ppma | 0.2 | ASTM F 1188-93a |
Face avant | Brillant | ||
face arrière | Au sol, gravé | ||
Tourbillons | - | aucun | F47 |
Luxations | - | aucun | F47 |
5. Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec une épaisseur de 300 μm
Plaquette de silicium FZ + NTD de 6 pouces avec une épaisseur de 300 μm | |
Description | Exigences |
Diamètre | 150mm±0.5mm |
Épaisseur | 300um |
Méthode de croissance | ZF+NTD |
Orientation | (100) |
Tapez : N | N |
dopant | P |
Résistivité | 85 Ohms*cm ±4% |
Finition de surface | côté lustrés |
Appartements | 1, SEMI-Std, longueur 30-35mm |
TTV | ≤5UM |
Chaîne | ≤35um |
Arc | ≤5UM |
Contient de l'oxygène | ≤1.0*10^18cm-3 |
La teneur en carbone | ≤5.0*10^16cm-3 |
Luxations | Aucun |
Caleçon | Aucun |
Brume | Aucun |
Rayures | Aucun |
Jetons de bord | Aucun |
Fossettes | Aucun |
Orange Peel | Aucun |
Fissures/fractures | Aucun |
6. Lingot de sol en silicone FZ + NTD de 6 pouces
Lingot de sol en silicium FZ + NTD de 6 pouces | |||
Paramètre | Unité | Valeur | Norme de méthode de contrôle |
Méthode | ZF+NTD | ||
Type | N | ||
dopant | P ( Phosphore) | ||
Orientation | - | <111> +/- 1 degré | ASTM F 26 |
Diamètre | mm | 150.0+0.5 | Calibre |
Résistivité | Ohm*cm | 170 | Sonde 4 points ASTM F 84 |
Variation de résistivité radiale, max | % | 8 | ASTM F 81 Plan C |
Durée de vie des porteurs minoritaires, min | mcs | 300 | ASTM F1535-94 |
Teneur en carbone, max | ppma | 0.2 | ASTM F 1391-93 |
Contient de l'oxygène | ppma | 22 | ASTM F 1188-93a |
Tourbillons | - | aucun | F47 |
Luxations | - | aucun | F47 |
7. Plaquette de silicium FZ de 4 pouces
Plaquette de silicium FZ de 4 pouces | |||
Article | Paramètres | ||
Matériel | Silicium monocristallin | ||
Qualité | Qualité supérieure | ||
Procédé de croissance | FZ | ||
Diamètre | 4″(100±0.4mm) | ||
Type de conductivité | Intrinsèque | Type N | Type P |
dopant | faiblement dopé | Phosphore | Bore |
Orientation | <111>±0,5° | [110]±0,5° | (100)±1° |
Épaisseur | 500±25μm | ||
Résistivité | >10,000Ωcm | >5,000Ωcm | 5,000-10,000Ωcm |
RRV | <40% (ASTM F81 Plan C) | ||
plat principal | Appartements SEMI STD | ||
plat secondaire | Appartements SEMI STD | ||
Finition de surface | Un côté-Epi-Ready-Poli, Verso gravé |
||
Bord arrondi | Selon la norme SEMI | ||
Particule | <20 comptes à 0,3 μm | ||
Rugosité | <0,5 nm | ||
TTV | <10um | ||
Bow / chaîne | <40um | ||
TIR | <5µm | ||
Contient de l'oxygène | <2E16/cm3 | ||
La teneur en carbone | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
REMUER (15x15mm) | <1.5µm | ||
Durée de vie du CM | >1 000 μs | ||
Contamination métallique de surface Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr | ≤5E10 atomes/cm2 | ||
Densité de Dislocation | 500 maxi/cm2 | ||
Éclats, rayures, bosses, voile, marques de contact, peau d'orange, piqûres, fissures, saleté, contamination | Tous Aucun | ||
laser Mark | Along The Flat
Sur la face avant, Option laser sérialisé : Laser peu profond |