Un substrat de GaN autoportant
We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2ou grade A <5 cm-2. En 2011, nous avons une grande amélioration : pour les grandes tailles (2"), nous pouvons les contrôler avec des macro défauts (0-2) cm-2. La spécification du substrat GaN plan a (11-20) est la suivante :
- La description
- Demande
Description
1. Substrat de cristal de GaN à face A dopé au Si
| Article | GANW-FS-GAN A-N |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430±25µm |
| Orientation | Un plan (11-20) hors angle vers l'axe M 0 ±0,5° |
| Un plan (11-20) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface: | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105 à 5 x 106 cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate
| Article | GANW-FS-GAN A-U |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430±25µm |
| Orientation | Un plan (11-20) hors angle vers l'axe M 0 ±0,5° |
| Un plan (11-20) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface: | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105 à 5 x 106 cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
3. Substrat de GaN A-Plane semi-isolant autoportant
| Article | GANW-FS-GAN A-SI |
| Dimension | 5 x 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430±25µm |
| Orientation | Un plan (11-20) hors angle vers l'axe M 0 ±0,5° |
| Un plan (11-20) hors angle vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Résistivité (300K) | > 10 6Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface: | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | A partir de 1 x 105 à 5 x 106 cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
