Um substrato de GaN autoportante de rosto
We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2ou A grau <5 cm-2. Em 2011, temos uma grande melhoria: para tamanho grande (2”), podemos controlá-los com macro defeitos (0-2) cm-2. A especificação do substrato GaN plano (11-20) é a seguinte:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Substrato de cristal Face GaN dopado com Si
Item | GANW-FS-GAN A-N |
Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
Espessura | 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm |
Orientação | Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5° |
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,05 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate
Item | GANW-FS-GAN A-U |
Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
Espessura | 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm |
Orientação | Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5° |
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | N-tipo |
Resistividade (300K) | < 0,1 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
3. Substrato de GaN de plano A semi-isolante independente
Item | GANW-FS-GAN A-SI |
Dimensão | 5 x 10 milímetros2 |
Espessura | 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm |
Orientação | Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5° |
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2° | |
Tipo de condução | Semi-isolante |
Resistividade (300K) | > 10 6Ω·cm |
TTV | ≤ 10 µm |
ARCO | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
Rigidez da superfície: | Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi; |
Verso: Moído fino ou polido. | |
Densidade deslocamento | De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2 |
Densidade de Defeito Macro | 0 cm-2 |
Área útil | > 90% (exclusão de borda) |
Pacote | cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100 |
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!