Um substrato de GaN autônomo de rosto

Um substrato de GaN autoportante de rosto

Oferecemos Substrato de GaN autônomo de plano, incluindo um dopado com Si, não dopado e semi-isolante. Para GaN autônomo, temos um histórico para controlar defeitos de macro. Antes de 2000, dedicamos a pesquisa de material GaN. Em 2007, oferecemos FS GaN em pequenas quantidades. Em 2009, oferecemos substrato FS GaN na produção em massa e classificamos a densidade de macrodefeitos: Grau B: (5-10) cm-2ou A grau <5 cm-2. Em 2011, temos uma grande melhoria: para tamanho grande (2”), podemos controlá-los com macro defeitos (0-2) cm-2. A especificação do substrato GaN plano (11-20) é a seguinte:

Descrição

1. Substrato de cristal Face GaN dopado com Si

Item GANW-FS-GAN A-N
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

2. Substrato de GaN de plano autônomo não dopado

Item GANW-FS-GAN A-U
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

3. Substrato de GaN de plano A semi-isolante independente

Item GANW-FS-GAN A-SI
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução Semi-isolante
Resistividade (300K) > 10 6Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

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