Um substrato de GaN autônomo de rosto

Um substrato de GaN autoportante de rosto

We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2ou A grau <5 cm-2. Em 2011, temos uma grande melhoria: para tamanho grande (2”), podemos controlá-los com macro defeitos (0-2) cm-2. A especificação do substrato GaN plano (11-20) é a seguinte:

Descrição

1. Substrato de cristal Face GaN dopado com Si

Item GANW-FS-GAN A-N
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate

Item GANW-FS-GAN A-U
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

3. Substrato de GaN de plano A semi-isolante independente

Item GANW-FS-GAN A-SI
Dimensão 5 x 10 milímetros2
Espessura 350 ± 25 µm 430 ± 25 µm
Orientação Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo M 0 ± 0,5°
Um plano (11-20) fora do ângulo em direção ao eixo C -1 ±0,2°
Tipo de condução Semi-isolante
Resistividade (300K) > 10 6Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARCO -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rigidez da superfície: Parte frontal: Ra<0,2 nm, pronto para epi;
Verso: Moído fino ou polido.
Densidade deslocamento De 1 x 105 para 5 x 106 cm-2
Densidade de Defeito Macro 0 cm-2
Área útil > 90% (exclusão de borda)
Pacote cada um em um único recipiente de wafer, sob atmosfera de nitrogênio, embalado em sala limpa classe 100

 

Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados ​​para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!

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