Substrat GaN Berdiri Bebas Muka

Substrat GaN Berdiri Bebas Muka

Kami menawarkan Substrat GaN Berdiri Bebas satah termasuk yang terdop Si, tidak didop dan separa penebat. Untuk Freestanding GaN, kami mempunyai sejarah untuk mengawal kecacatan makro. Sebelum tahun 2000, kami telah berdedikasi penyelidikan bahan GaN. Pada tahun 2007, kami menawarkan FS GaN pada kuantiti yang kecil. Pada tahun 2009, kami menawarkan substrat FS GaN pada pengeluaran besar-besaran, dan kami menggredkan kepadatan kecacatan makro: Gred B: (5-10) cm-2atau gred A <5 cm-2. Pada tahun 2011, kami mempunyai peningkatan besar: untuk saiz besar (2"), kami boleh mengawalnya dengan kecacatan makro (0-2) cm-2. Spesifikasi substrat GaN a-plane (11-20) adalah seperti berikut:

Penerangan

1. Substrat Kristal GaN Muka Si-doped

Perkara PAM-FS-GAN AN
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430±25 µm
orientasi Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-M 0 ±0.5°
Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan: Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105 kepada 5 x 106 cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

2. Substrat GaN Berdiri Bebas Tidak Berdod

Perkara PAM-FS-GAN AU
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430±25 µm
orientasi Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-M 0 ±0.5°
Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan: Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105 kepada 5 x 106 cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

3. Substrat GaN Separa penebat Berdiri Bebas

Perkara PAM-FS-GAN A-SI
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430±25 µm
orientasi Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-M 0 ±0.5°
Satu satah (11-20) bersudut terkeluar ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran Separa Penebat
Kerintangan (300K) > 10 6Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan: Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 105 kepada 5 x 106 cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 sm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout