GaN epi on sapphire or silicon template is available with N-type, P-type, and semi-insulating type. Our gallium nitride (GaN) template is available in diameters from 2” up to 6”, and consists of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. GaN films on sapphire and silicon from Ganwafer have extremely high breakdown voltage and industry-leading low defect control, which is used in power and electronic devices. Moreover, GaN on silicon wafer will be perfect for the outbreak of the 5G market and lead the future trend of the RF industry.
Dans des études antérieures sur le GaN sur un substrat en saphir, des preuves de la formation de microfissures dans le substrat en saphir pendant la croissance du GaN ont été trouvées. Mais on pensait que la formation de macrofissures s'étendant à la surface du GaN provenait uniquement d'un décalage thermique. Plus tard, lorsque les couches de GaN sur le saphir ont dépassé 100 mm, il a été découvert qu'il existait un processus de relaxation efficace pour la matrice de GaN sur le saphir. La croissance d'une matrice GaN sur saphir sans fissures approchant 2 pouces de diamètre a été démontrée. Il a été constaté que des fissures sont généralement déjà formées lors de la croissance de la matrice GaN / saphir en raison de la contrainte de traction formée au début de la nucléation. Cette formation précoce de fissures sur GaN sur matrice saphir peut avoir des effets néfastes ; des microfissures dans le substrat en saphir peuvent servir de points de rupture initiaux ultérieurs pour soulager la contrainte accrue due aux différents coefficients de dilatation thermique des couches et du substrat pendant le refroidissement. Même si des conditions de croissance peuvent être trouvées qui conduisent à la cicatrisation des fissures pendant la croissance, cela reste vrai. La diffusivité des films de GaN développés sur la surface du saphir est considérée comme un paramètre important pour la cicatrisation de telles fissures.
