Semi-conducteur composé

Compound semiconductor materials, like GaAs compound, GaSb compound, InAs compound, InSb compound, InP compound, are provided with high electron mobility.
Compound semiconductor is compounds formed by two or more elements in a definite atomic ratio, and have certain semiconductor properties such as a forbidden band width and an energy band structure. The industry chain can be divided into wafer preparation, chip design, chip manufacturing, and chip packaging and testing. Wafer preparation is further subdivided into two parts: compound semiconductor substrate preparation and compound semiconductor epitaxial wafer preparation.
L'épitaxie en phase vapeur organométallique (MOVPE) est la technique la plus populaire pour la fonderie de semi-conducteurs composés pour former des films minces semi-conducteurs composés pour les dispositifs. De plus, des technologies telles que MBE, HVPE, LPE, MOMBE et ALD peuvent être utilisées pour la croissance de matériaux semi-conducteurs composés.
À l'heure actuelle, avec la maturité progressive de la technologie ALD, la qualité et la fiabilité des dispositifs basés sur des structures HMET et des structures MOSFET sur semi-conducteur composé de type n, de type p ou de type semi-isolant ont été grandement améliorées, améliorant encore le taux d'occupation des semi-conducteurs composés. marché des matériaux dans le domaine des applications haute fréquence et haute tension.
Regarding compound semiconductor applications, the semi-conductors are mainly used in following fields:
Dispositifs optoélectroniques : les principales applications optoélectroniques du substrat semi-conducteur composé comprennent les cellules solaires, l'éclairage à semi-conducteur, les lasers et les détecteurs, etc. ;
Radiofréquence micro-ondes : l'application principale des tranches semi-conductrices composées est les amplificateurs de puissance radiofréquence ;
Dispositifs de puissance : les tranches composées sont principalement utilisées dans les dispositifs de commutation haute tension. Par rapport aux dispositifs de traitement Si traditionnels, les dispositifs semi-conducteurs composés ont une densité de puissance plus élevée, une perte d'énergie plus faible et une meilleure stabilité à haute température.