Les substrats de nitrure de gallium (GaN) sont développés par la technologie d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE). Nous offrons les substrats de nitrure de gallium pur standard de l'industrie selon les besoins et les spécifications du client. Les substrats GaN sont fabriqués par un petit nombre d'entreprises à des prix excessifs par rapport à la production en volume. Les dispositifs à base de GaN sont presque entièrement développés sur des substrats étrangers tels que le saphir (Al2O3) et le substrat SiC.
Ganwafer is a leading Freestanding GaN Substrate Manufacturer that produces gallium nitride semiconductor substrate that offers great potential for high-performance devices. Ganwafer has established the gallium nitride semiconductor technology for free standing GaN single crystal substrate wafer and related III-N Materials, including GaN substrates of various orientations and electrical conductivity, crystalline GaN Wafer, which is for UHB-LED and LD. Our gallium nitride wafers have low defect density.
Nos substrats cristallins GaN autonomes de qualité supérieure sont disponibles avec une faible densité de dislocation et des surfaces uniformes sans défauts interrompus. Ils sont largement utilisés pour diverses applications telles que l'éclairage à semi-conducteurs, les dispositifs d'alimentation, les stations de base sans fil, l'accès haut débit sans fil, les capteurs de pression, les capteurs de chaleur, l'électronique automobile, etc.
En tant que fournisseur de substrat GaN indépendant réputé et professionnel, nous livrons les produits directement de l'usine. Nous veillons à ce que nos clients estimés puissent obtenir la meilleure offre sur des substrats de cristal de nitrure de gallium en vrac de haute qualité. Nos clients mondiaux sont hautement reconnus par notre équipe comme leur fournisseur préféré de substrats cristallins GaN en raison de notre service client supérieur. N'hésitez pas à nous contacter pour plus d'informations sur notre produit GaN autonome.
