Un sustrato de GaN independiente de cara
We offer a-plane Freestanding GaN Substrate including Si-doped, low doped and semi-insulating one. For Freestanding GaN, we have a history to control macro defects. Before 2000, we have dedicated research of GaN material. In 2007, we offer FS GaN on small quantity. In 2009, we offer FS GaN substrate on mass production, and we grade macro defects density: B grade: (5-10) cm-2o grado A <5 cm-2. En 2011, tenemos una gran mejora: para tamaño grande (2”), podemos controlarlos con defectos macro (0-2) cm-2. La especificación del sustrato GaN de un plano (11-20) es la siguiente:
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Descripción
1. Sustrato de cristal de GaN de cara dopada con Si
Artículo | GANW-FS-GAN A-N |
Dimensión | 5x10mm2 |
Espesor | 350 ±25 µm 430±25 µm |
Orientación | Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje M 0 ±0,5° |
Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
Tipo de conducción | N-tipo |
Resistividad (300K) | < 0,05 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 micras |
ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
densidad de dislocaciones | Desde 1x105 a 5x106 cm-2 |
Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
2. Low Doped Freestanding A Plane GaN Substrate
Artículo | GANW-FS-GAN A-U |
Dimensión | 5x10mm2 |
Espesor | 350 ±25 µm 430±25 µm |
Orientación | Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje M 0 ±0,5° |
Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
Tipo de conducción | N-tipo |
Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm |
TTV | ≤ 10 micras |
ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
densidad de dislocaciones | Desde 1x105 a 5x106 cm-2 |
Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
3. Sustrato de GaN plano A semiaislante autónomo
Artículo | GANW-FS-GAN A-SI |
Dimensión | 5x10mm2 |
Espesor | 350 ±25 µm 430±25 µm |
Orientación | Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje M 0 ±0,5° |
Un plano (11-20) fuera de ángulo hacia el eje C -1 ±0,2° | |
Tipo de conducción | Semi-aislante |
Resistividad (300K) | > 10 6Ω·cm |
TTV | ≤ 10 micras |
ARCO | -10 µm ≤ ARCO ≤ 10 µm |
Rugosidad de la superficie: | Lado frontal: Ra<0.2nm, epi-ready; |
Reverso: Rectificado fino o pulido. | |
densidad de dislocaciones | Desde 1x105 a 5x106 cm-2 |
Densidad de macrodefectos | 0cm-2 |
Área utilizable | > 90% (exclusión de bordes) |
Paquete | cada uno en un solo recipiente de oblea, bajo atmósfera de nitrógeno, empacado en sala limpia clase 100 |
Observación:
El gobierno chino ha anunciado nuevos límites a la exportación de materiales de galio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs y GaSb) y materiales de germanio utilizados para fabricar chips semiconductores. A partir del 1 de agosto de 2023, la exportación de estos materiales solo está permitida si obtenemos una licencia del Ministerio de Comercio de China. ¡Esperando que lo entiendas!