AlN sur saphir/silicium
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- La description
- Demande
Description
1. Liste des plaquettes pour les modèles AlN
Gabarit AlN non dopé sur saphir, 2″, couche AlN 2um ou 4um – simple face polie ou double face polie
Gabarit AlN non dopé sur silicium, 2″, couche AlN 1um – poli sur une face
Gabarit AlN non dopé sur saphir, 4″, AlN layer1um – simple face polie ou double face polie
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25nm AlN sur (111) Si
6″ 25nm AlN sur (111) Si
Modèle AlN non dopé sur silicium 4″ (Si <111>, type P, dopé B) 4″x 500 nm
2. Spécifications d'AlN sur substrat saphir
2.1 Substrat en saphir revêtu d'AlN de taille 2 "
| Article | GANW-AlNT-SI |
| Diamètre | 50,8 mm ± 1 mm |
| Épaisseur d'AlN : | 2um ou 4um |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Orientation | C-axe (0001) +/- 1 ° |
| Orientation plat | Un avion |
| XRD de FWHM (0002) | <150 secondes d'arc. |
| XRD FWHM de (10-12) | <450 secondes d'arc. |
| Structure | 1-5um AlN/AlN tampon/saphir |
| substrat: | saphir, 430+/-25um |
| Exclusion de bord | ≤2.5mm |
| À travers la fissure | Aucun |
| Surface utilisable | ≥90% |
| Surface | Poli d'un seul côté, prêt pour l'épilation |
| Conditionnement : sous atmosphère d'azote, dans un environnement de 100 salles blanches. | |
2.2 AlN de taille 4″ sur substrat de plaquette de saphir
| Article | GANW-AlNT-S 190822 |
| Diamètre | Dia.100mm ± 1mm |
| Type de Conduction | Semi-isolante |
| Épaisseur: | 1um |
| substrat: | Saphir |
| Orientation: | C-axe (0001) +/- 1 ° |
| Orientation plat | Un avion |
| XRD de FWHM (0002) | <1000 secondes d'arc. |
| Rugosité de surface | <2nm |
| Surface utilisable | ≥90% |
| État polonais | Poli simple face ou poli double face. |
| Paquet | Conteneur à plaquette unique, sous atmosphère d'azote, dans un environnement de salle blanche de classe 100. |
3. Croissance épitaxiale d'AlN sur saphir
Jusqu'à présent, en raison de sa grande transparence et de sa rentabilité dans la région UV, le substrat en saphir reste le premier choix pour l'hétéroépitaxie AlN. Cependant, l'inadéquation du réseau AlN / saphir et l'inadéquation du coefficient de dilatation thermique sont sérieuses, de sorte que l'AlN sur la densité de dislocation du saphir, en particulier la densité de dislocation de filetage (TDD), est un grand défi à surmonter pour nous.
De nombreuses technologies ont été proposées et de grands progrès ont été réalisés dans la réduction du TDD d'AlN sur la croissance du saphir, comme (MOCVD) et le MOCVD amélioré par la migration (MEMOCVD). En outre, la technologie de surcroissance latérale épitaxiale (ELO) sur le saphir à motifs micro-rayures ou le modèle AlN/saphir a également attiré l'attention, ce qui a considérablement réduit le TDD.
4. Modèle d'AlN sur silicium par revêtement
4-1 2″ 25nm AlN sur (111) Si
4-2 6″ 25nm AlN sur (111) Si
4-3 Modèle AlN non dopé sur silicium 2″ (type Si <111> N) 2″x 500 nm
4-4 Spécification détaillée du modèle AlN sur silicium
Épaisseur nominale d'AlN : 500 nm ± 10 %, film d'AlN non dopé revêtu d'un côté
Surface arrière : silicone de type N
Orientation AlN : plan C (0001)
Base de plaquette : silicium [111] type N, 2″ dia x 0,5 mm, un côté poli
Modèle AlN non dopé sur silicium 4″ (Si <111>, type P, dopé B) 4″x 500 nm
Se il vous plaît Note:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.
