AlN na Safír/Silikon
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Popis
- Poptávka
Popis
1. Seznam waferů pro šablony AlN
Nedopovaná šablona AlN na safíru, 2″, vrstva AlN 2um nebo 4um – jednostranně leštěná nebo oboustranně leštěná
Nedopovaná šablona AlN na silikonu, 2″, vrstva AlN 1um – jednostranně leštěná
Nedopovaná šablona AlN na safíru, 4″, vrstva AlN1um – jednostranně leštěná nebo oboustranně leštěná
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
2″ 25nm AlN na (111) Si
6″ 25nm AlN na (111) Si
Nedopovaná šablona AlN na 4″ křemíku ( Si <111>, typ P, dopovaný B) 4″ x 500 nm
2. Specifikace AlN na safírovém substrátu
2.1 2″ safírový substrát potažený AlN
Položka | GANW-AlNT-SI |
Průměr | 50,8 mm ± 1 mm |
Tloušťka AlN: | 2um nebo 4um |
vedení Type | Poloizolační |
Orientace | C-osy (0001) +/- 1 ° |
orientace bytu | Letadlo |
XRD FWHM (0002) | <150 obloukových sekund. |
XRD FWHM z (10-12) | <450 arcsec. |
Struktura | 1-5um AlN/AlN buffer/Safír |
Podklad: | safír, 430+/-25um |
Vyloučení okrajů | ≤ 2,5 mm |
Přes Crack | Nikdo |
Využitelná Surface Area | ≥90% |
Povrch | Jedna strana leštěná, Epi-ready |
Balení: pod dusíkovou atmosférou, v prostředí 100 čisté místnosti. |
2.2 4″ velikost AlN na safírovém waferovém substrátu
Položka | GANW-AlNT-S 190822 |
Průměr | Průměr 100 mm ± 1 mm |
vedení Type | Semi-izolační |
Tloušťka: | 1 um |
Podklad: | Safír |
Orientace : | C-osy (0001) +/- 1 ° |
orientace bytu | Letadlo |
XRD FWHM (0002) | <1000 arcsec. |
Drsnost povrchu | <2nm |
Využitelná Surface Area | ≥90% |
Polský stav | Jednostranně leštěné nebo oboustranně leštěné. |
Balíček | Jedna nádoba na oplatky, pod dusíkovou atmosférou, v prostředí třídy 100 v čisté místnosti. |
3. Epitaxní růst AlN na Sapphire
Safírový substrát je zatím díky své vysoké průhlednosti a hospodárnosti v UV oblasti stále první volbou pro AlN heteroepitaxní. Nesoulad AlN/safírové mřížky a nesoulad koeficientu tepelné roztažnosti jsou však vážné, takže AlN na hustotě dislokace safíru, zejména hustotě dislokace závitů (TDD), je pro nás velkou výzvou, kterou musíme překonat.
Bylo navrženo mnoho technologií a bylo dosaženo velkého pokroku ve snižování TDD AlN na růst safíru, jako je (MOCVD) a MOCVD se zvýšenou migrací (MEMOCVD). Kromě toho přilákala širokou pozornost také technologie epitaxního laterálního přerůstání (ELO) na safírovém safírovém mikroproužku nebo templátu AlN/safír, což významně snížilo TDD.
4. Šablona AlN na Silicon by Coating
4-1 2″ 25nm AlN na (111) Si
4-2 6″ 25nm AlN na (111) Si
4-3 nedopovaná šablona AlN na 2″ křemíku (typ Si <111> N) 2″ x 500 nm
4-4 Detailní specifikace šablony AlN na křemíku
Nominální tloušťka AlN: 500nm ±10%, jednostranně potažený, nedopovaný film AlN
Zadní povrch: silikon typu N
Orientace AlN: rovina C (0001)
Základna destičky: Silikon [111] typ N, 2″ průměr x 0,5 mm, jedna strana leštěná
Nedopovaná šablona AlN na 4″ křemíku ( Si <111>, typ P, dopovaný B) 4″ x 500 nm
Upozornění:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.