AlN na szafirze/krzemie

AlN na szafirze/krzemie

High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:

Opis

1. Lista opłatków dla szablonów AlN

Niedomieszkowany szablon AlN na szafirze, 2″, warstwa AlN 2um lub 4um – jednostronnie polerowany lub dwustronny polerowany
Szablon AlN niedomieszkowany na silikonie, 2″, warstwa AlN 1um – jednostronnie polerowany
Niedomieszkowany szablon AlN na szafirowym, 4″, AlN layer1um – jednostronnie polerowany lub dwustronny polerowany
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)

2″ 25nm AlN na (111) Si
6″ 25nm AlN na (111) Si
Szablon AlN niedomieszkowany na 4″ krzemie ( Si <111>, typ P, domieszkowany B) 4″ x 500 nm

2. Specyfikacje AlN na podłożu szafirowym

2.1 Podłoże szafirowe powlekane AlN o rozmiarze 2 "

Artykuł GANW-AlNT-SI
Średnica 50,8 mm ± 1 mm
Grubość AlN: 2um lub 4um
przewodzenie Rodzaj Półizolacyjne
Orientacja Oś C (0001) +/- 1 °
Orientacja Płaska Samolot
XRD FWHM z (0002) <150 sek.
XRD FWHM (10-12) <450 sek.
Struktura 1-5um Bufor AlN/AlN/Szafir
Podłoże: szafir, 430 +/- 25um
Wykluczenie krawędzi ≤2,5 mm
Przez pęknięcie Żaden
Powierzchnia użytkowa ≥90%
Powierzchnia Jednostronnie polerowane, gotowe na Epi
Pakowanie: w atmosferze azotu, w środowisku 100 clean room.

 

2,2 4″ AlN na podłożu z wafla szafirowego

Artykuł GANW-AlNT-S  190822
Średnica Średnica 100mm ± 1mm
przewodzenie Rodzaj Naczepa izolacyjnej
Grubość: 1um
Podłoże: Szafir
Orientacja : Oś C (0001) +/- 1 °
Orientacja Płaska Samolot
XRD FWHM z (0002) <1000 sek.
Chropowatość powierzchni <2nm
Powierzchnia użytkowa ≥90%
Polski stan Polerowana jednostronnie lub polerowana dwustronnie.
Pakiet Pojedynczy pojemnik na wafle, w atmosferze azotu, w pomieszczeniu czystym klasy 100.

 

3. Wzrost epitaksjalny AlN na szafirze

Jak dotąd, ze względu na wysoką przezroczystość i opłacalność w zakresie UV, podłoże szafirowe jest nadal pierwszym wyborem dla heteroepitaksjalnych AlN. Jednak niedopasowanie AlN/szafir sieciowy i niedopasowanie współczynnika rozszerzalności cieplnej są poważne, więc AlN w gęstości dyslokacji szafiru, zwłaszcza gęstości dyslokacji gwintowania (TDD), jest dla nas wielkim wyzwaniem do pokonania.

Zaproponowano wiele technologii i poczyniono ogromne postępy w zmniejszaniu TDD AlN przy wzroście szafiru, takie jak (MOCVD) i MOCVD o wzmocnionej migracji (MEMOCVD). Ponadto technologia epitaksjalnego przerostu bocznego (ELO) na szafirowym szablonie z mikropaskami lub AlN/szafirowym szablonie również przyciągnęła powszechną uwagę, co znacznie zmniejszyło TDD.

4. Szablon AlN na krzemie przez powłokę

4-1 2″ 25nm AlN na (111) Si
4-2 6″ 25nm AlN na (111) Si
4-3 Szablon AlN niedomieszkowany na 2” krzemie (typ Si <111>N) 2”x 500 nm
4-4 Szczegółowa specyfikacja szablonu AlN na krzemie
Nominalna grubość AlN: 500 nm ± 10%, jednostronnie powlekana, niedomieszkowana folia AlN
Tylna powierzchnia: silikon typu N
Orientacja AlN: płaszczyzna C (0001)
Podstawa waflowa: Silicon [111] typ N, średnica 2″ x 0,5 mm, jednostronnie polerowana
Szablon AlN niedomieszkowany na 4″ krzemie ( Si <111>, typ P, domieszkowany B) 4″ x 500 nm

Proszę zanotować:

For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.

    został dodany do Twojego koszyka:
    Zamówienie