Safir/Silikon üzerinde AlN
High-quality aluminum nitride (AlN) template on sapphire and silicon substrate, which can be offered by manufacturer of AlN-on-sapphire template – Ganwafer, is a key to obtain high-efficiency UV optoelectronic devices. At present, most of the methods for film forming have been applied to the preparation of AlN thin films on sapphire or silicon. Among them, the more mature methods are chemical vapor deposition (CVD), reactive molecular beam epitaxy (MBE), plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD), laser chemical vapor deposition (LCVD), metal organic compound chemical vapor deposition (MOCVD), pulsed laser deposition (PLD), magnetron reactive sputtering (MRS), ion implantation (II), and etc. More specifications of AlN on sapphire wafer or on silicon wafer please see below:
- Açıklama
- Sorgu
Tanım
1. AlN Şablonları için Gofret Listesi
Safir üzerinde Katkısız AlN Şablonu, 2″, AlN katmanı 2um veya 4um – tek tarafı cilalı veya çift tarafı cilalı
Silikon üzerinde katkısız AlN Şablonu, 2″, AlN katmanı 1um – tek tarafı cilalı
Safir üzerinde Katkısız AlN Şablonu, 4″, AlN katman1um – tek tarafı cilalı veya çift tarafı cilalı
Undoped AlN Template on Silicon, 4″, AlN layer1um – single side polished (GANW190813-ALN)
(111) Si üzerinde 2″ 25nm AlN
(111) Si üzerinde 6″ 25nm AlN
4″ Silikon üzerinde Katkısız AlN Şablonu ( Si <111>, P tipi, B katkılı ) 4″x 500 nm
2. AlN'nin Safir Yüzey Üzerindeki Özellikleri
2.1 2″ Boyut AlN kaplı Safir Yüzey
| madde | GANW-AlNT-SI |
| Çap | 50,8 mm ± 1 mm |
| AlN Kalınlığı: | 2um veya 4um |
| iletim tipi | Yarı yalıtım |
| Oryantasyon | C ekseni (0001) +/- 1 ° |
| Oryantasyon Düz | Bir uçak |
| XRD FWHM (0002) | <150 arksn. |
| (10-12) XRD FWHM | <450 arksn. |
| yapı | 1-5um AlN/AlN tamponu/Safir |
| substrat: | safir,430+/-25um |
| Kenar Hariç Tutma | ≤2,5 mm |
| Crack yoluyla | Hiçbiri |
| Kullanılabilir Yüzölçümü | ≥90% |
| Yüzey | Tek tarafı cilalı, Epi-hazır |
| Ambalaj: nitrojen atmosferi altında, 100 temiz oda ortamında. | |
Sapphire Wafer Substrat üzerinde 2.2 4″ Boyut AlN
| madde | GANW-AlNT-S 190822 |
| Çap | Çap.100mm ± 1mm |
| iletim tipi | Yarı yalıtım |
| Kalınlık: | 1um |
| substrat: | Safir |
| Oryantasyon : | C ekseni (0001) +/- 1 ° |
| Oryantasyon Düz | Bir uçak |
| XRD FWHM (0002) | <1000 arksn. |
| Yüzey Pürüzlülüğü | <2nm |
| Kullanılabilir Yüzölçümü | ≥90% |
| Polonya Durumu | Tek tarafı cilalı veya çift tarafı cilalı. |
| Paket | Sınıf 100 temiz oda ortamında, nitrojen atmosferi altında tek gofret kabı. |
3. Safirde AlN'nin Epitaksiyel Büyümesi
Şimdiye kadar, UV bölgesinde yüksek şeffaflığı ve uygun maliyetli olması nedeniyle, safir substrat AlN heteroepitaksiyel için hala ilk tercihtir. Bununla birlikte, AlN/safir kafes uyumsuzluğu ve termal genleşme katsayısı uyumsuzluğu ciddidir, bu nedenle safir çıkık yoğunluğundaki AlN, özellikle diş açma çıkığı yoğunluğu (TDD), üstesinden gelmemiz için büyük bir zorluktur.
(MOCVD) ve migrasyonla geliştirilmiş MOCVD (MEMOCVD) gibi safir büyümesi üzerinde AlN'nin TDD'sinin azaltılmasında birçok teknoloji önerilmiş ve büyük ilerleme kaydedilmiştir. Ek olarak, mikro şerit desenli safir veya AlN/safir şablon üzerindeki epitaksiyel lateral aşırı büyüme (ELO) teknolojisi de TDD'yi önemli ölçüde azaltan yaygın ilgi görmüştür.
4. Kaplama ile Silikon üzerinde AlN Şablonu
(111) Si üzerinde 4-1 2″ 25nm AlN
(111) Si üzerinde 4-2 6″ 25nm AlN
4-3 2″ Silikon üzerinde Katkısız AlN Şablonu ( Si <111> N tipi ) 2″x 500 nm
4-4 Silikon Üzerindeki AlN Şablonunun Detay Spesifikasyonu
Nominal AlN kalınlığı: 500nm ± %10, bir tarafı kaplamalı, katkısız AlN film
Arka yüzey: silikon N tipi
AlN oryantasyonu: C-düzlemi (0001)
Gofret tabanı: Silikon [111] N tipi, 2″ çap x 0,5 mm, bir tarafı cilalı
4″ Silikon üzerinde Katkısız AlN Şablonu ( Si <111>, P tipi, B katkılı ) 4″x 500 nm
Lütfen aklınızda bulundurun:
For AlN-on-Silicon template, Ganwafer currently possesses two ways: one way is to grow AlN on silicon by MOCVD; another way is to coat AlN thin film on silicon substrate. Anyway, the AlN thickness should be around 200nm. If too thick the epitaxial layer, the BOW would be big. When epitaxial growth of AlN/Silicon wafer, it is better to choose silicon (111) substrate wafer since the resistivity will be higher.
