Silikon HEMT Gofret üzerinde GaN

Silikon HEMT Gofret üzerinde GaN

Ganwafer offers GaN (Gallium Nitride) on Silicon (Si) Epitaxy HEMT wafer and GaN template on Si substrate. According to different applications, GaN on Silicon HEMT wafer can be classified into GaN-on-Silicon wafer for D-mode, GaN on Silicon substrate for E-mode and GaN on Silicon wafer for RF application. GaN based power electronic devices are still very expensive compared with Si devices. One of the ways to solve the cost problem is to fabricate GaN based heterostructures by epitaxy on Si substrate, and then to fabricate GaN based devices by complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology, so that the cost performance of the devices is better than that of Si devices. However, it is much more difficult to grow GaN on Silicon substrates than on SiC and sapphire substrates. The lattice mismatch ratio of GaN (0001) and Silicon (111) is as high as 16.9%, and the thermal expansion coefficient mismatch (thermal mismatch) is as high as 56%. These are main epitaxial challenges of GaN on Silicon, which may be able to be solved by introducing a buffer layer to GaN on Silicon wafer substrate. As a leading GaN on Silicon HEMT wafer manufacturer, we continuously develop our existing GaN on Silicon technology to gain a better wafer to you. And now please see below GaN on Si wafer specification:

Tanım

1. Silikon HEMT Gofret üzerinde GaN, D-MODE

1.1 Silikon üzerinde GaN HEMT Gofret Spesifikasyonu, D-MODE

Gofret boyutu 2 ″, 4 ″, 6 ″, 8 ″
AlGaN / GaN HEMT yapısı 1.2 bakınız
Taşıyıcı yoğunluğu > 9E12 cm2
Salon hareketliliği /
Levha Direnci /
5x5um2 AFM RMS (nm) <0.25nm
Yay (um) <= 30um
kenar dışlama <5mm
SiN pasivasyon katmanı 0 ° 5nm
u-GaN kapak katmanı 2nm
Al kompozisyonu % 20-30
AlGaN bariyer tabakası /
GaN kanalı /
AlGaN tamponu /
AIN /
Yüzey malzemesi Silikon substrat
Si gofret kalınlığı (μm) 675um (2 ″), 1000um (4 ″), 1300um (6 ″), 1500um (8 ″)

 

1.2 Silikon üzerinde GaN HEMT Gofret Yapısı, D-MODE

2. Silikon HEMT Epitaksi üzerinde GaN, E-MODE

Gofret boyutu 2 ″, 4 ″, 6 ″, 8 ″
AlGaN / GaN HEMT yapısı 1.2 bakınız
Artık 2DEG yoğunluğu (Vg=0 V) <1e18/cm3
5x5um2 AFM RMS (nm) <0.25nm
Yay (um) <= 30um
kenar dışlama <5mm
p-GaN /
u-GaN kapak katmanı /
Al kompozisyonu % 20-30
AlGaN bariyer tabakası /
GaN kanalı /
AlGaN tamponu /
Yüzey malzemesi Silikon substrat
Si gofret kalınlığı (μm) 675um (2 ″), 1000um (4 ″), 1300um (6 ″), 1500um (8 ″)

 

3. RF Uygulaması için Silikon Üzerine Galyum Nitrür HEMT Gofret

Gofret boyutu 2 ″, 4 ″, 6 ″, 8 ″
AlGaN / GaN HEMT yapısı 1.2 bakınız
Taşıyıcı yoğunluğu > 9E12 cm2
Salon hareketliliği /
Levha Direnci /
5x5um2 AFM RMS (nm) <0.25nm
Yay (um) <= 30um
kenar dışlama <5mm
SiN pasivasyon katmanı 0 ° 5nm
u-GaN kapak katmanı /
Al kompozisyonu % 20-30
AlGaN bariyer tabakası /
GaN kanalı /
AlGaN tamponu /
AIN /
Yüzey malzemesi Silikon substrat
Si substrat direnci (Ω cm) > 3000
Si gofret kalınlığı (μm) 1000um(2″), 1000um(4″), 1300um(6″), 1500um(8″)

 

    sepetinize eklendi:
    Çıkış