CZ Silikon Gofret
CZ silicon (Si) wafer produced by Ganwafer is grown by Czochralski (CZ) method, which is the mainstream technology for monocrystalline silicon growth with low cost established in the 1950s. In Czochralski method, the raw poly-silicon block is put into a quartz crucible, heated and melted in a single crystal furnace, and then a rod-shaped seed (seed crystal) with a diameter of only 10 mm is immersed in the melt. At a suitable temperature, the silicon atoms in the melt will be arranged along the silicon atoms of the seed and form regular crystals at the solid-liquid interface to become single crystals. Czochralski method can be used to manufacture 2 “, 4”, 8”, 12“ semiconductor polished wafers, epitaxial wafers, SOI and other semiconductor silicon wafers, mainly used in logic, memory chips and low-power integrated circuit components.
- Açıklama
- Sorgu
Tanım
1. CZ Silikon Gofret Özellikleri
1.1 12 inç CZ Silikon Gofret
12 inç CZ Silikon Gofret | |||
madde | Parametreler | ||
Malzeme | Monokristal Silikon | ||
sınıf | birinci sınıf | ||
Büyüme Yöntemi | CZ | ||
Çap | 300.0±0.3mm, 12" | 300.0±0.3mm, 12" | 300.0±0.3mm, 12" |
İletkenlik tipi | İçsel | N Tipi | P Tipi |
takviyenin | düşük katkılı | Fosfor | Bor |
Oryantasyon | [111]±0.5° | [100]±0.5° | (100) ± 0.5 ° |
Kalınlığı | 500±15μm | 500±25μm | 775±25μm |
özdirenç | >10,000Ωcm | 0-10Ωcm | 1-10Ωcm |
RRV | <%40 (ASTM F81 Planı C) | ||
YARI STD Çentik | YARI STD Çentik | YARI STD Çentik | YARI STD Çentik |
Yüzey | 1SP, SSP Tek Yüz Epil Hazır Cilalı, Arka Tarafı Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
Kenar Yuvarlatılmış | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar |
Parçacık | <20 sayım @0.3μm | ||
pürüzlülük | <1nm | ||
TTV | <10um | <10um | <10um |
Yay / Çözgü | <30um | <40um | <40um |
TIR | <5µm | ||
Oksijen içeriği | <2E16/cm3 | ||
Karbon İçeriği | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
STIR (15x15mm) | <1.5µm | ||
Yüzey Metal Kirliliği Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 atom/cm2 | ||
Çıkığı Yoğunluk | YARI STD | YARI STD | 500 maks/ cm2 |
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme | Hepsi yok | ||
Lazer Mark | YARI STD | Lazer Serileştirilmiş Seçenek: sığ lazer |
Daire Boyunca Ön Tarafta |
TTV<6μm ile 1.2 8 inç CZ Silikon Gofret
TTV<6μm ile 8 inç CZ Silikon Gofret | |||
madde | Parametreler | ||
Malzeme | Monokristal Silikon | ||
sınıf | birinci sınıf | ||
Büyüme Yöntemi | CZ | ||
Çap | 200.0±0.5mm, 8″ | 200.0±0.5mm, 8″ | 200.0±0.2mm, 8" |
İletkenlik tipi | P Tipi | P Tipi | P Tipi |
takviyenin | Bor | Bor | Bor |
Oryantasyon | [111]±0.5° | [100]±0.5° | (111)±0.5° |
Kalınlığı | 1.000±15μm | 725±50μm | 1.000±25 μm |
özdirenç | <1Ωcm | 10-40Ωcm | <100 Ωcm |
RRV | <%40 (ASTM F81 Planı C) | ||
YARI STD Çentik | YARI STD Çentik | YARI STD Çentik | YARI STD Çentik |
Yüzey | 1SP, SSP Tek Yüz Epil Hazır Cilalı, Arka Tarafı Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
Kenar Yuvarlatılmış | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | Pah genişliği 250-350μm | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar |
Parçacık | <10 sayı @0.3μm | <20 sayım @0.3μm | <10 sayı @0.3μm |
pürüzlülük | <1nm | ||
TTV | <6um | <10um | <6um |
Yay / Çözgü | <60um | <40um | <60um |
TIR | <5µm | ||
Oksijen içeriği | <2E16/cm3 | ||
Karbon İçeriği | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
STIR (15x15mm) | <1.5µm | ||
Yüzey Metal Kirliliği Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 atom/cm2 | ||
Çıkığı Yoğunluk | YARI STD | YARI STD | < 10-2 cm-2 |
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme | Hepsi yok | ||
Lazer Mark | YARI STD | Lazer Serileştirilmiş Seçenek: sığ lazer |
Daire Boyunca Ön Tarafta |
Parçacıklı 1.3 6 inç CZ Silikon Gofret <20 sayı @0.3μm
Parçacık <20 sayım @0.3μm ile 6 inç CZ Silikon Gofret | |||
madde | Parametreler | ||
Malzeme | Monokristal Silikon | ||
sınıf | birinci sınıf | ||
Büyüme Yöntemi | CZ | ||
Çap | 6″(150.0±0.5mm) | ||
İletkenlik tipi | P Tipi | P Tipi | P Tipi |
takviyenin | Bor | Bor | Bor |
Oryantasyon | <111>±0.5° | [111]±1° | (100) ± 0.5 ° |
Kalınlığı | 675±25μm | 675±10μm 1.000±25µm |
675±25μm |
özdirenç | 0.1-13Ωcm | 0.01-0.02 Ωcm | 1-100Ωcm |
RRV | <%40 (ASTM F81 Planı C) | ||
Birincil Daire | YARI STD | YARI STD | YARI STD |
İkincil Düz | YARI STD | YARI STD | YARI STD |
Yüzey | 1SP, SSP Tek Tarafı Cilalı, Epilasyona Hazır Arka Taraf Asitle Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
1SP, SSP Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
Kenar Yuvarlatılmış | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar |
Parçacık | <20 sayım @0.3μm | ≤10@≥0.3μm | |
pürüzlülük | <0.5nm | <1nm | <0.5nm |
TTV | <10um | <10um | <12um |
Yay / Çözgü | <30um | <40um | <60um |
TIR | <5µm | ||
Oksijen içeriği | <2E16/cm3 | ||
Karbon İçeriği | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
STIR (15x15mm) | <1.5µm | ||
Yüzey Metal Kirliliği Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn |
≤5E10 atom/cm2 | ||
Çıkığı Yoğunluk | YARI STD | YARI STD | 500 maks/ cm2 |
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme | Hepsi yok | Hepsi yok | Arka tarafta kararma, portakal kabuğu, kirlilik, pus, mikro çizik, talaşlar, kenar talaşları, çatlak, kaz ayağı, iğne deliği, çukurlar, göçük, dalgalılık, leke ve iz: hepsi yok |
Lazer Mark | YARI STD | YARI STD | YARI STD |
1.4 4 inç CZ Silikon Gofret
4 inç CZ Silikon Gofret | |||
madde | Parametreler | ||
Malzeme | Monokristal Silikon | ||
sınıf | birinci sınıf | ||
Büyüme Yöntemi | CZ | ||
Çap | 4″(100.0±0.5mm) | ||
İletkenlik tipi | P veya N tipi | P Tipi | - |
takviyenin | Bor veya Fosfor | Bor | - |
Oryantasyon | <100>±0.5° | - | (100) veya (111)±0.5° |
Kalınlığı | 525±25μm | 525±25μm | 300±25μm |
özdirenç | 1-20Ωcm | 0,002 – 0,003Ωcm | 5-10Ohmcm |
RRV | <%40 (ASTM F81 Planı C) | ||
Birincil Daire | YARI STD Daireler | YARI STD Daireler | 32,5+/-2,5 mm, @110±1° |
İkincil Düz | YARI STD Daireler | YARI STD Daireler | 18±2mm, @90°±5° ile Birincil Daireye |
Yüzey | Tek Yüz Epil Hazır Cilalı, Arka Tarafı Kazınmış |
||
Kenar Yuvarlatılmış | YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar | ||
Parçacık | <20 sayım @0.3μm | ||
pürüzlülük | <0.5nm | ||
TTV | <10um | ||
Yay / Çözgü | <40um | ||
TIR | <5µm | ||
Oksijen içeriği | <2E16/cm3 | ||
Karbon İçeriği | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
STIR (15x15mm) | <1.5µm | ||
Yüzey Metal Kirliliği Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 atom/cm2 | ||
Çıkığı Yoğunluk | 500 maks/ cm2 | ||
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme | Hepsi yok | ||
Lazer Mark | Daire Boyunca Ön Tarafta, Lazer Serileştirilmiş Seçenek: sığ lazer |
1.5 2 inç CZ Si Gofret
2 inç CZ Silikon Gofret | |||
madde | Parametreler | ||
Malzeme | Monokristal Silikon | ||
sınıf | birinci sınıf | ||
Büyüme Yöntemi | CZ | ||
Çap | 2"(50,8±0,5 mm) | ||
İletkenlik tipi | P veya N tipi | - | P Tipi |
takviyenin | Bor veya Fosfor | - | Bor |
Oryantasyon | <100> | (100) veya (111)± 0,5° | - |
Kalınlığı | 150±25μm | 275±25μm | - |
özdirenç | 1-200Ωcm | - | 0.01-0.02Ωcm |
RRV | <%40 (ASTM F81 Planı C) | ||
Birincil Daire | YARI STD Daireler | ||
İkincil Düz | YARI STD Daireler | ||
Yüzey | Bir Tarafı Cilalı Arka Taraf Asitle Kazınmış |
||
Parçacık | <20 sayım @0.3μm | ||
pürüzlülük | <0.5nm | <0.5nm | - |
TTV | <10um | - | <10um |
Yay / Çözgü | <30um | <20uM | - |
TIR | <5µm | ||
Oksijen içeriği | <2E16/cm3 | ||
Karbon İçeriği | <2E16/cm3 | ||
OISF | <50/cm² | ||
STIR (15x15mm) | <1.5µm | ||
Yüzey Metal Kirliliği Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 atom/cm² | ||
çıkıklar | Hiçbiri | ||
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme | Hepsi yok |
2. Silikon Gofretlerin Czochralski Sürecinde Azot
Azot, CZ silikon külçelerde çok önemli bir rol oynar ve az miktarda nitrojen katkısı, tek kristal silikonun performansı üzerinde faydalı bir etkiye sahip olacaktır. Aktif olarak nitrojen eklemek için birçok yöntem vardır: CZ silikon kristal büyütme işlemi sırasında nitrojen koruması kullanmak veya erimiş silikona silikon nitrür tozu eklemek; ve nitrojen iyon implantasyonu. Yaklaşık 1415 derecelik bir sıcaklıkta, silisyum eriyiği ve tek kristal silisyum içindeki nitrojenin doymuş çözünürlüğü 6×10'dur.18santimetre-3ve 4.5×1015santimetre-3, sırasıyla. Silisyumdaki nitrojenin denge ayrışma katsayısı 7×10 olduğundan-4, silikon CZ'nin büyümesi sırasında nitrojen konsantrasyonu genellikle 5×10'dan azdır15 santimetre-3.
Czochralski tek kristal silikonunda nitrojen ve oksijenin etkileşimi, orta-kızılötesi ve uzak-kızılötesi absorpsiyon spektrumlarında çoklu absorpsiyon zirveleri sergileyen bir nitrojen-oksijen kompleksi oluşturabilir. Azot-oksijen kompleksi bir tür sığ vericidir ve elektriksel aktiviteye sahiptir. Kızılötesi absorpsiyon ve özdirenç testleri birleştirildiğinde, tavlama işlemi sırasında nitrojen-oksijen kompleksinin kızılötesi absorpsiyon zirvesinin kaybolmasıyla, tek kristal silikon gofret yarı iletkeninin direncinin veya taşıyıcı konsantrasyonunun buna göre değişeceği bulunabilir. Azot-oksijen kompleksinin elektriksel aktivitesi, yüksek sıcaklıkta tavlama ile ortadan kaldırılabilir. CZ tek kristal Si gofretinde nitrojen dopingi, termal donörlerin ve yeni donörlerin oluşumu üzerinde engelleyici bir etkiye sahiptir.
Nitrojeni büyük boyutlu Czochralski silikonuna katmak, boşluk tipi kusurların boyutunu ve yoğunluğunu değiştirebilir, böylece boşluk tipi kusurlar yüksek sıcaklıkta tavlama ile kolayca ortadan kaldırılabilir. Ek olarak, nitrojen, CZ Si substratının çarpılma direncini artırabilir ve Czochralski prosesi silikon gofret üzerinde üretilen entegre devrelerin verimini artırabilir.