CZ Silikon Gofret

CZ Silikon Gofret

CZ silicon (Si) wafer produced by  Ganwafer is grown by Czochralski (CZ) method, which is the mainstream technology for monocrystalline silicon growth with low cost established in the 1950s. In Czochralski method, the raw poly-silicon block is put into a quartz crucible, heated and melted in a single crystal furnace, and then a rod-shaped seed (seed crystal) with a diameter of only 10 mm is immersed in the melt. At a suitable temperature, the silicon atoms in the melt will be arranged along the silicon atoms of the seed and form regular crystals at the solid-liquid interface to become single crystals. Czochralski method can be used to manufacture 2 “, 4”, 8”, 12“ semiconductor polished wafers, epitaxial wafers, SOI and other semiconductor silicon wafers, mainly used in logic, memory chips and low-power integrated circuit components.

Tanım

1. CZ Silikon Gofret Özellikleri

1.1 12 inç CZ Silikon Gofret

12 inç CZ Silikon Gofret
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 300.0±0.3mm, 12" 300.0±0.3mm, 12" 300.0±0.3mm, 12"
İletkenlik tipi İçsel N Tipi P Tipi
takviyenin katkısız Fosfor Bor
Oryantasyon [111]±0.5° [100]±0.5° (100) ± 0.5 °
Kalınlığı 500±15μm 500±25μm 775±25μm
özdirenç >10,000Ωcm 0-10Ωcm 1-10Ωcm
RRV <%40 (ASTM F81 Planı C)
YARI STD Çentik YARI STD Çentik YARI STD Çentik YARI STD Çentik
Yüzey 1SP, SSP
Tek Yüz Epil Hazır Cilalı,
Arka Tarafı Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
Kenar Yuvarlatılmış YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar
Parçacık <20 sayım @0.3μm
pürüzlülük <1nm
TTV <10um <10um <10um
Yay / Çözgü <30um <40um <40um
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
Yüzey Metal Kirliliği
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm2
Çıkığı Yoğunluk YARI STD YARI STD 500 maks/ cm2
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok
Lazer Mark YARI STD Lazer Serileştirilmiş Seçenek:
sığ lazer
Daire Boyunca
Ön Tarafta

 

TTV<6μm ile 1.2 8 inç CZ Silikon Gofret

TTV<6μm ile 8 inç CZ Silikon Gofret
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 200.0±0.5mm, 8″ 200.0±0.5mm, 8″ 200.0±0.2mm, 8"
İletkenlik tipi P Tipi P Tipi P Tipi
takviyenin Bor Bor Bor
Oryantasyon [111]±0.5° [100]±0.5° (111)±0.5°
Kalınlığı 1.000±15μm 725±50μm 1.000±25 μm
özdirenç <1Ωcm 10-40Ωcm <100 Ωcm
RRV <%40 (ASTM F81 Planı C)
YARI STD Çentik YARI STD Çentik YARI STD Çentik YARI STD Çentik
Yüzey 1SP, SSP
Tek Yüz Epil Hazır Cilalı,
Arka Tarafı Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
Kenar Yuvarlatılmış YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar Pah genişliği 250-350μm YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar
Parçacık <10 sayı @0.3μm <20 sayım @0.3μm <10 sayı @0.3μm
pürüzlülük <1nm
TTV <6um <10um <6um
Yay / Çözgü <60um <40um <60um
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
Yüzey Metal Kirliliği
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm2
Çıkığı Yoğunluk YARI STD YARI STD < 10-2 cm-2
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok
Lazer Mark YARI STD Lazer Serileştirilmiş Seçenek:
sığ lazer
Daire Boyunca
Ön Tarafta

 

Parçacıklı 1.3 6 inç CZ Silikon Gofret <20 sayı @0.3μm

Parçacık <20 sayım @0.3μm ile 6 inç CZ Silikon Gofret
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 6″(150.0±0.5mm)
İletkenlik tipi P Tipi P Tipi P Tipi
takviyenin Bor Bor Bor
Oryantasyon <111>±0.5° [111]±1° (100) ± 0.5 °
Kalınlığı 675±25μm 675±10μm
1.000±25µm
675±25μm
özdirenç 0.1-13Ωcm 0.01-0.02 Ωcm 1-100Ωcm
RRV <%40 (ASTM F81 Planı C)
Birincil Daire YARI STD YARI STD YARI STD
İkincil Düz YARI STD YARI STD YARI STD
Yüzey 1SP, SSP
Tek Tarafı Cilalı, Epilasyona Hazır
Arka Taraf Asitle Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
1SP, SSP
Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
Kenar Yuvarlatılmış YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar
Parçacık <20 sayım @0.3μm ≤10@≥0.3μm
pürüzlülük <0.5nm <1nm <0.5nm
TTV <10um <10um <12um
Yay / Çözgü <30um <40um <60um
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
Yüzey Metal Kirliliği
Na, Al, K, Fe, Ni, Cu, Zn
≤5E10 atom/cm2
Çıkığı Yoğunluk YARI STD YARI STD 500 maks/ cm2
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok Hepsi yok Arka tarafta kararma, portakal kabuğu, kirlilik, pus, mikro çizik, talaşlar, kenar talaşları, çatlak, kaz ayağı, iğne deliği, çukurlar, göçük, dalgalılık, leke ve iz: hepsi yok
Lazer Mark YARI STD YARI STD YARI STD

 

1.4 4 inç CZ Silikon Gofret

4 inç CZ Silikon Gofret
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 4″(100.0±0.5mm)
İletkenlik tipi P veya N tipi P Tipi -
takviyenin Bor veya Fosfor Bor -
Oryantasyon <100>±0.5° - (100) veya (111)±0.5°
Kalınlığı 525±25μm 525±25μm 300±25μm
özdirenç 1-20Ωcm 0,002 – 0,003Ωcm 5-10Ohmcm
RRV <%40 (ASTM F81 Planı C)
Birincil Daire YARI STD Daireler YARI STD Daireler 32,5+/-2,5 mm, @110±1°
İkincil Düz YARI STD Daireler YARI STD Daireler 18±2mm, @90°±5° ile Birincil Daireye
Yüzey Tek Yüz Epil Hazır Cilalı,
Arka Tarafı Kazınmış
Kenar Yuvarlatılmış YARI Standart Başına Yuvarlatılmış Kenar
Parçacık <20 sayım @0.3μm
pürüzlülük <0.5nm
TTV <10um
Yay / Çözgü <40um
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
Yüzey Metal Kirliliği
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm2
Çıkığı Yoğunluk 500 maks/ cm2
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok
Lazer Mark Daire Boyunca
Ön Tarafta, Lazer Serileştirilmiş Seçenek:
sığ lazer

 

1.5 2 inç CZ Si Gofret

2 inç CZ Silikon Gofret
madde Parametreler
Malzeme Monokristal Silikon
sınıf birinci sınıf
Büyüme Yöntemi CZ
Çap 2"(50,8±0,5 mm)
İletkenlik tipi P veya N tipi - P Tipi
takviyenin Bor veya Fosfor - Bor
Oryantasyon <100> (100) veya (111)± 0,5° -
Kalınlığı 150±25μm 275±25μm -
özdirenç 1-200Ωcm - 0.01-0.02Ωcm
RRV <%40 (ASTM F81 Planı C)
Birincil Daire YARI STD Daireler
İkincil Düz YARI STD Daireler
Yüzey Bir Tarafı Cilalı
Arka Taraf Asitle Kazınmış
Parçacık <20 sayım @0.3μm
pürüzlülük <0.5nm <0.5nm -
TTV <10um - <10um
Yay / Çözgü <30um <20uM -
TIR <5µm
Oksijen içeriği <2E16/cm3
Karbon İçeriği <2E16/cm3
OISF <50/cm²
STIR (15x15mm) <1.5µm
Yüzey Metal Kirliliği
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm²
çıkıklar Hiçbiri
Cipsler, çizikler, çarpmalar, pus, dokunma izleri, portakal kabuğu, çukurlar, çatlaklar, kir, kirlenme Hepsi yok

 

2. Silikon Gofretlerin Czochralski Sürecinde Azot

Azot, CZ silikon külçelerde çok önemli bir rol oynar ve az miktarda nitrojen katkısı, tek kristal silikonun performansı üzerinde faydalı bir etkiye sahip olacaktır. Aktif olarak nitrojen eklemek için birçok yöntem vardır: CZ silikon kristal büyütme işlemi sırasında nitrojen koruması kullanmak veya erimiş silikona silikon nitrür tozu eklemek; ve nitrojen iyon implantasyonu. Yaklaşık 1415 derecelik bir sıcaklıkta, silisyum eriyiği ve tek kristal silisyum içindeki nitrojenin doymuş çözünürlüğü 6×10'dur.18santimetre-3ve 4.5×1015santimetre-3, sırasıyla. Silisyumdaki nitrojenin denge ayrışma katsayısı 7×10 olduğundan-4, silikon CZ'nin büyümesi sırasında nitrojen konsantrasyonu genellikle 5×10'dan azdır15 santimetre-3.

Czochralski tek kristal silikonunda nitrojen ve oksijenin etkileşimi, orta-kızılötesi ve uzak-kızılötesi absorpsiyon spektrumlarında çoklu absorpsiyon zirveleri sergileyen bir nitrojen-oksijen kompleksi oluşturabilir. Azot-oksijen kompleksi bir tür sığ vericidir ve elektriksel aktiviteye sahiptir. Kızılötesi absorpsiyon ve özdirenç testleri birleştirildiğinde, tavlama işlemi sırasında nitrojen-oksijen kompleksinin kızılötesi absorpsiyon zirvesinin kaybolmasıyla, tek kristal silikon gofret yarı iletkeninin direncinin veya taşıyıcı konsantrasyonunun buna göre değişeceği bulunabilir. Azot-oksijen kompleksinin elektriksel aktivitesi, yüksek sıcaklıkta tavlama ile ortadan kaldırılabilir. CZ tek kristal Si gofretinde nitrojen dopingi, termal donörlerin ve yeni donörlerin oluşumu üzerinde engelleyici bir etkiye sahiptir.

Nitrojeni büyük boyutlu Czochralski silikonuna katmak, boşluk tipi kusurların boyutunu ve yoğunluğunu değiştirebilir, böylece boşluk tipi kusurlar yüksek sıcaklıkta tavlama ile kolayca ortadan kaldırılabilir. Ek olarak, nitrojen, CZ Si substratının çarpılma direncini artırabilir ve Czochralski prosesi silikon gofret üzerinde üretilen entegre devrelerin verimini artırabilir.

    sepetinize eklendi:
    Çıkış