GaN de type P sur gabarit en saphir ou en silicium
Ganwafer’s Template Products consist of crystalline layers of gallium nitride (GaN), which are deposited on sapphire/silicon(111) substrates. It includes P type/n type/ semi-insulating GaN/Sapphire or silicon template, available diameters from 2″ up to 6″,and consist of a thin layer of crystalline GaN grown on a sapphire/silicon substrate. Epi-ready templates now available.
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Description
1. Spécifications du modèle GaN sur saphir
1.1 Substrats GaN/saphir dopés au Mg de 4 pouces
| Article | GANW-T-GaN-100-P |
| Dimension | 100 ±0,1 mm |
| Épaisseur | 5 ±1 μm |
| Orientation du GaN | Plan C (0001) hors angle vers l'axe A 0,2 ±0,1° |
| Plan d'orientation du GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Type de Conduction | De type P, |
| Résistivité (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentration porteuse | >6X1016CM-3(concentration de dopage≥10x1020cm-3 |
| Mobilité | ~ 10cm2 / V·s |
| Densité de Dislocation | < 5x108cm-2 (estimé par FWHMs de XRD) |
| Structure | 2~2.5 μm pGaN/2~2.5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN couche tampon/430±25μm |
| Orientation du saphir | Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,2 ±0,1° |
| Orientation Plat de Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosité de surface: | Face avant : Ra<0,5 nm, prêt pour l'épi ; |
| Face arrière : gravée ou polie. | |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords et macro défauts) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
1.2 Substrats GaN/saphir dopés au Mg de 2 pouces
| Article | GANW-T-GaN-50-P |
| Dimension | 50,8 ± 0,1 mm |
| Épaisseur | 5 ±1 μm |
| Orientation du GaN | Plan C (0001) hors angle vers l'axe A 0,2 ±0,1° |
| Plan d'orientation du GaN | (1-100) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Type de Conduction | De type P, |
| Résistivité (300K) | ~ 10 Ω·cm |
| Concentration porteuse | >6X1016CM-3(concentration de dopage≥10x1020cm-3 |
| Mobilité | ~ 10cm2 / V·s |
| Densité de Dislocation | < 5x108cm-2 (estimé par FWHMs de XRD) |
| Structure | 2~2.5 μm pGaN/2~2.5 μm pGaN uGaN/50nm uGaN couche tampon/430±25μm |
| Orientation du saphir | Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,2 ±0,1° |
| Orientation Plat de Saphir | (11-20) 0 ±0,2°, 16 ±1 mm |
| Rugosité de surface: | Face avant : Ra<0,5 nm, prêt pour l'épi ; |
| Face arrière : gravée ou polie. | |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords et macro défauts) |
2. Spécification du GaN de type P sur le modèle de silicium
| Description | Type | dopant | substrat | Taille | Épaisseur de GaN | Surface |
| Modèle GaN sur plaquette de silicium 4″, film GaN | Type P | mg dopée | Substrats Si (111) | 4 " | 2um | poli d'un seul côté |
| Modèle GaN sur plaquette de silicium 2″, film GaN | Type P | mg dopée | Substrats Si (111) | 2 " | 2um | poli d'un seul côté |
3. 2″ Dia, GaN de type P sur silicium
2 dia, GaN sur silicium
Épaisseur de la couche de GaN : 2um
Couche GaN : type P, dopée Mg.
Structure : GaN sur silicium (111).
Substrat : Silicium(111), type p, 430+/-25um
XRD(102)<700arc.sec
XRD(002)<500arc.sec
Poli d'un seul côté, prêt pour l'épi, Ra<0.5nm
Concentration de porteur : 5E17~5E18
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
