Substrat GaN autoportant semi-polaire
En termes de croissance des dispositifs à plus longue longueur d'onde tels que les émetteurs jaunes ou même rouges, y compris les LED et les LD, (11-22) le substrat GaN semi-polaire sera le matériau le plus prometteur, bien qu'il reste encore de nombreux défis énormes. Peut-être que ces problèmes peuvent être résolus en améliorant la technologie de croissance et la conception structurelle. De plus, le GaN semi-polaire cultivé avec (11-22) directement sur du saphir plat sera un grand avantage pour l'application commerciale de cette technologie.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- La description
- Demande
Description
1. Substrat de GaN semi-polaire dopé Si (10-11)
| Article | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° |
| (10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
2. Substrat de GaN autoportant semi-polaire non dopé (10-11)
| Article | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° |
| (10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
3. Substrat de GaN semi-isolant autoportant (10-11)
| Article | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5° |
| (10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2° | |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Résistivité (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
4. Substrat de GaN autoportant semi-polaire (11–22) dopé au Si
| Article | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
5. Substrat de GaN semi-polaire autonome non dopé (11-22)
| Article | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Type de Conduction | De type N |
| Résistivité (300K) | < 0,1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
6. Substrat autoportant semi-isolant semi-polaire (11-22) GaN
| Article | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| Dimension | 5 × 10 mm2 |
| Épaisseur | 350 ±25µm 430 ±25µm |
| Orientation | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Type de Conduction | Semi-isolant |
| Résistivité (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| ARC | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Rugosité de surface | Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ; |
| Dos : finement moulu ou poli. | |
| Densité de Dislocation | De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2 |
| Densité des macro-défauts | 0cm-2 |
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des bords) |
| Paquet | chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100 |
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère que tu comprends!
