Substrat GaN autoportant semi-polaire

Substrat GaN autoportant semi-polaire

En termes de croissance des dispositifs à plus longue longueur d'onde tels que les émetteurs jaunes ou même rouges, y compris les LED et les LD, (11-22) le substrat GaN semi-polaire sera le matériau le plus prometteur, bien qu'il reste encore de nombreux défis énormes. Peut-être que ces problèmes peuvent être résolus en améliorant la technologie de croissance et la conception structurelle. De plus, le GaN semi-polaire cultivé avec (11-22) directement sur du saphir plat sera un grand avantage pour l'application commerciale de cette technologie.

PAM-XIAMEN propose des substrats massifs GaN semi-polaires autoportants, notamment des substrats dopés Si, non dopés et semi-isolants avec orientation (10-11) et (11-22) respectivement. La spécification détaillée du substrat GaN semi-polaire est la suivante :

Description

1. Substrat de GaN semi-polaire dopé Si (10-11)

Article PAM-FS-GAN(10-11)-N
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5°
(10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2°
Type de Conduction De type N
Résistivité (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

 

2. Substrat de GaN autoportant semi-polaire non dopé (10-11)

Article PAM-FS-GAN(10-11)-U
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5°
(10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2°
Type de Conduction De type N
Résistivité (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

 

3. Substrat de GaN semi-isolant autoportant (10-11)

Article PAM-FS-GAN(10-11)-SI
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (10-11) angle hors plan vers l'axe A 0 ±0,5°
(10-11) angle hors plan vers l'axe C -1 ±0,2°
Type de Conduction Semi-isolant
Résistivité (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

 

4. Substrat de GaN autoportant semi-polaire (11–22) dopé au Si

Article PAM-FS-GAN(11-22)-N
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Type de Conduction De type N
Résistivité (300K) < 0,05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

 

5. Substrat de GaN semi-polaire autonome non dopé (11-22)

Article PAM-FS-GAN(11-22)- U
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Type de Conduction De type N
Résistivité (300K) < 0,1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

6. Substrat autoportant semi-isolant semi-polaire (11-22) GaN

Article PAM-FS-GAN(11-22)-SI
Dimension 5 × 10 mm2
Épaisseur 350 ±25µm 430 ±25µm
Orientation (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Type de Conduction Semi-isolant
Résistivité (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de surface Face avant : Ra<0,2 nm, prêt pour l'épi ;
Dos : finement moulu ou poli.
Densité de Dislocation De 1 x 10 5 à 5 x 10 6cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Paquet chacun dans un seul conteneur de plaquettes, sous atmosphère d'azote, emballé en salle blanche de classe 100

 

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