Substrat GaN autoportant de type N

Substrat GaN autoportant de type N

Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:

Description

1. Spécification du substrat autoportant GaN de type N

1.1 Substrat autoportant au GaN dopé de type N de 4 ″

Article GANW-FS-GaN100-N+
Type de Conduction Type N/dopé Si
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.05Ω · cm
Densité de Dislocation <5×10^6cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0,3 nm.Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli
Surface utile ≥ 90%

 

1.2 4″ GaN non dopé, type N

Article GANW-FS-GaN100-N-
Type de Conduction Type N/non dopé
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm
Densité de Dislocation <5×10^6cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0,3 nm.Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli
Surface utile ≥ 90%

 

Film GaN dopé Si 1.3 2″

Article GANW-FS-GaN50-N+
Type de Conduction Type N/dopé Si
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.05Ω · cm
Densité de Dislocation <5×10^6cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0,3 nm. Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli
Surface utile ≥ 90%

 

1.4 2″ Couche mince de GaN de type N non dopé

Article GANW-FS-GaN50-N-
Type de Conduction Type N/non dopé
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5°
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3°
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm
Densité de Dislocation <5×10^6cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Surface avant : Ra<=0,3 nm. Epi-ready poli
- Surface arrière : 1. Sol fin
- 2. Poli
Surface utile ≥ 90%

 

2. Application du substrat GaN

À l'heure actuelle, l'application du GaN est encore dominée par l'armée et a progressivement commencé à se déplacer vers des domaines commerciaux, tels que les véhicules sans pilote, les stations de base de communication sans fil, etc. Et il existe de larges perspectives d'application dans les LED à lumière blanche, à court terme. lasers à longueur d'onde, détecteurs d'ultraviolets et appareils haute température haute puissance. La plus grande application des substrats GaN (comme les couches minces GaN semi-isolantes / type P / type N) appartient actuellement aux lasers, qui sont principalement utilisés dans la production de diodes laser bleues. Ces produits ont été utilisés comme composants clés dans les disques Blu-ray et les HD-DVD. De plus, ces lasers fabriqués sur un substrat GaN avec contact ohmique sont également très appropriés pour l'affichage par projection, l'impression de haute précision et les champs de détection optique.

De plus, il existe un marché potentiel des plaquettes de GaN dans les détecteurs optiques, qui comprennent principalement la détection de flamme, la surveillance de l'ozone, la surveillance de la pollution, l'analyse du sang, la surveillance de la désinfection des lampes au mercure, les détecteurs laser et d'autres applications qui nécessitent des caractéristiques de zone aveugle solaire.

Il est prévisible qu'avec la maturité progressive de la technologie des substrats GaN, les substrats GaN à faible coût et de haute qualité devraient être largement utilisés dans les domaines des dispositifs microélectroniques à semi-conducteurs et des dispositifs optoélectroniques.

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