N型自立型GaN基板
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
- 説明
- 問い合わせ
説明
1.N型GaN自立基板の仕様
1.14インチN型ドープGaN自立基板
| アイテム | GANW-FS-GaN100-N+ |
| 伝導型 | N型/ Siドープ |
| サイズ | 4インチ（100）+/- 1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50 |
| 方向付け | C軸（0001）+/- 0.5° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | <0.05Ω・cmで |
| 転位密度 | <5×10 ^ 6cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm.Epi対応研磨済み |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.洗練された |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| アイテム | GANW-FS-GaN100-N- |
| 伝導型 | N type/low doped |
| サイズ | 4インチ（100）+/- 1mm |
| 厚さ | 480 +/- 50 |
| 方向付け | C軸（0001）+/- 0.5° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 32 +/- 1mm |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | <0.5Ω・cmで |
| 転位密度 | <5×10 ^ 6cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <= 30um |
| 弓 | <= +/- 30um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm.Epi対応研磨済み |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.洗練された |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
1.32インチSiドープGaN膜
| アイテム | GANW-FS-GaN50-N+ |
| 伝導型 | N型/ Siドープ |
| サイズ | 2」（50.8）+/- 1ミリメートル |
| 厚さ | 400 +/- 50 |
| 方向付け | C軸（0001）+/- 0.5° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | <0.05Ω・cmで |
| 転位密度 | <5×10 ^ 6cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <=15μmから |
| 弓 | <= +/- 20um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm。 エピレディポリッシュ |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.洗練された |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| アイテム | GANW-FS-GaN50-N- |
| 伝導型 | N type/low doped |
| サイズ | 2」（50.8）+/- 1ミリメートル |
| 厚さ | 400 +/- 50 |
| 方向付け | C軸（0001）+/- 0.5° |
| プライマリフラット場所 | （10-10）+/- 0.5° |
| プライマリフラット長 | 16 +/- 1ミリメートル |
| セカンダリフラット場所 | （1-210）+/- 3° |
| セカンダリフラット長 | 8 +/- 1ミリメートル |
| 抵抗率（300K） | <0.5Ω・cmで |
| 転位密度 | <5×10 ^ 6cm-2 |
| FWHM | <= 100arc.sec |
| TTV | <=15μmから |
| 弓 | <= +/- 20um |
| 表面仕上げ | 前面：Ra <= 0.3nm。 エピレディポリッシュ |
| — | 裏面：1。細かい地面 |
| — | 2.洗練された |
| 使用可能エリア | ≥90％ |
2.GaN基板の応用
現在、GaNの用途は依然として軍隊によって支配されており、無人機や無線通信基地局などの商用分野に徐々に移行し始めています。また、白色光LEDには、幅広い用途の見通しがあります。波長レーザー、紫外線検出器、および高温高出力デバイス。 GaN基板の最大の用途（半絶縁/ Pタイプ/ NタイプのGaN薄膜など）は現在、主に青色レーザーダイオードの製造に使用されるレーザーに属しています。 これらの製品は、Blu-rayディスクおよびHD-DVDの主要コンポーネントとして使用されています。 さらに、オーミック接触を備えたGaN基板上に製造されたこれらのレーザーは、投影表示、高精度印刷、および光センシング分野にも非常に適しています。
さらに、光検出器には潜在的なGaNウェーハ市場があり、主に火炎検知、オゾン監視、汚染監視、血液分析、水銀ランプ消毒監視、レーザー検出器、およびソーラーブラインドゾーン特性を必要とするその他のアプリケーションが含まれます。
GaN基板技術の成熟に伴い、半導体マイクロエレクトロニクスデバイスやオプトエレクトロニクスデバイスの分野で、低コスト、高品質のGaN基板が広く利用されることが期待されています。
述べる：
中国政府は、半導体チップの製造に使用されるガリウム材料（GaAs、GaN、Ga2O3、GaP、InGaAs、GaSbなど）およびゲルマニウム材料の輸出に対する新たな制限を発表しました。 2023 年 8 月 1 日以降、これらの材料の輸出は中国商務省から許可を取得した場合にのみ許可されます。 ご理解いただければ幸いです。
