Substrato de GaN Independente Tipo N

Descrição

1. Especificação do Substrato Autônomo Tipo N GaN

Substrato independente de GaN dopado de 1,1 4″ tipo N

1,2 4″ GaN não dopado, tipo N

Filme GaN dopado com Si de 1,3 2″

Filme fino de 1,4 2″ tipo N não dopado GaN

2. Aplicação de Substrato GaN

Atualmente, a aplicação do GaN ainda é dominada pelos militares, e gradualmente começou a se mover para campos comerciais, como veículos não tripulados, estações base de comunicação sem fio, etc. lasers de comprimento de onda, detectores ultravioleta e dispositivos de alta potência de alta temperatura. A maior aplicação de substratos de GaN (como filme fino semi-isolante / tipo P / tipo N de GaN) pertence atualmente aos lasers, que são usados ​​principalmente na produção de diodos de laser azul. Esses produtos têm sido usados ​​como componentes-chave em discos Blu-ray e HD-DVDs. Além disso, esses lasers fabricados em substrato GaN com contato ôhmico também são muito adequados para exibição de projeção, impressão de alta precisão e campos de detecção óptica.

Além disso, há um mercado potencial de wafer de GaN em detectores ópticos, que incluem principalmente detecção de chama, monitoramento de ozônio, monitoramento de poluição, análise de sangue, monitoramento de desinfecção de lâmpada de mercúrio, detectores a laser e outras aplicações que exigem características de zona cega solar.

É previsível que, com a maturidade gradual da tecnologia de substrato de GaN, substratos de GaN de baixo custo e alta qualidade sejam amplamente utilizados nas áreas de dispositivos microeletrônicos semicondutores e dispositivos optoeletrônicos.