Substrato de GaN Independente Tipo N
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
- Descrição
- Investigação
Descrição
1. Especificação do Substrato Autônomo Tipo N GaN
Substrato independente de GaN dopado de 1,1 4″ tipo N
| Item | GANW-FS-GaN100-N+ |
| Tipo de condução | Tipo N/Si dopado |
| Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
| Espessura | 480+/-50 |
| Orientação | C-eixo (0001) +/- 0,5 ° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 16 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | <0.05Ω · cm |
| Densidade deslocamento | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabamento de superfície | Superfície frontal: Ra <= 0,3 nm. Polido pronto para Epi |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido |
| Área Útil | ≥ 90% |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| Item | GANW-FS-GaN100-N- |
| Tipo de condução | N type/low doped |
| Tamanho | 4″(100)+/-1mm |
| Espessura | 480+/-50 |
| Orientação | C-eixo (0001) +/- 0,5 ° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 32+/-1mm |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 16 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | <0.5Ω · cm |
| Densidade deslocamento | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <=30um |
| ARCO | <=+/-30um |
| Acabamento de superfície | Superfície frontal: Ra <= 0,3 nm. Polido pronto para Epi |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido |
| Área Útil | ≥ 90% |
Filme GaN dopado com Si de 1,3 2″
| Item | GANW-FS-GaN50-N+ |
| Tipo de condução | Tipo N/Si dopado |
| Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro |
| Espessura | 400+/-50 |
| Orientação | C-eixo (0001) +/- 0,5 ° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | <0.05Ω · cm |
| Densidade deslocamento | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Acabamento de superfície | Superfície Frontal: Ra<=0,3nm. Polido Epi-pronto |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido |
| Área Útil | ≥ 90% |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| Item | GANW-FS-GaN50-N- |
| Tipo de condução | N type/low doped |
| Tamanho | 2 "(50,8) +/- um milímetro |
| Espessura | 400+/-50 |
| Orientação | C-eixo (0001) +/- 0,5 ° |
| Primária Plano Local | (10-10)+/-0,5° |
| Comprimento Plano primária | 16 +/- 1 milímetro |
| Secundário Plano Local | (1-210)+/-3° |
| Comprimento Plano secundário | 8 +/- 1 milímetro |
| Resistividade (300K) | <0.5Ω · cm |
| Densidade deslocamento | <5×10^6cm-2 |
| FWHM | <=100arc.s |
| TTV | <= 15um |
| ARCO | <=+/-20um |
| Acabamento de superfície | Superfície Frontal: Ra<=0,3nm. Polido Epi-pronto |
| - | Superfície traseira: 1. Terreno fino |
| - | 2. Polido |
| Área Útil | ≥ 90% |
2. Aplicação de Substrato GaN
Atualmente, a aplicação do GaN ainda é dominada pelos militares, e gradualmente começou a se mover para campos comerciais, como veículos não tripulados, estações base de comunicação sem fio, etc. lasers de comprimento de onda, detectores ultravioleta e dispositivos de alta potência de alta temperatura. A maior aplicação de substratos de GaN (como filme fino semi-isolante / tipo P / tipo N de GaN) pertence atualmente aos lasers, que são usados principalmente na produção de diodos de laser azul. Esses produtos têm sido usados como componentes-chave em discos Blu-ray e HD-DVDs. Além disso, esses lasers fabricados em substrato GaN com contato ôhmico também são muito adequados para exibição de projeção, impressão de alta precisão e campos de detecção óptica.
Além disso, há um mercado potencial de wafer de GaN em detectores ópticos, que incluem principalmente detecção de chama, monitoramento de ozônio, monitoramento de poluição, análise de sangue, monitoramento de desinfecção de lâmpada de mercúrio, detectores a laser e outras aplicações que exigem características de zona cega solar.
É previsível que, com a maturidade gradual da tecnologia de substrato de GaN, substratos de GaN de baixo custo e alta qualidade sejam amplamente utilizados nas áreas de dispositivos microeletrônicos semicondutores e dispositivos optoeletrônicos.
Observação:
O governo chinês anunciou novos limites à exportação de materiais de gálio (como GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiais de germânio usados para fabricar chips semicondutores. A partir de 1º de agosto de 2023, a exportação desses materiais só será permitida se obtivermos uma licença do Ministério do Comércio chinês. Espero sua compreensão!
