Substrat GaN Berdiri Bebas Jenis N
Ganwafer has established a series manufacturing technology for GaN substrates of various orientations, crystalline GaN Wafer and electrical conductivity and related III-N materials. More specifications of N-type GaN substrate please see below:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
1. Spesifikasi Substrat Berdiri Bebas GaN Jenis N
1.1 4″ N-Type -Doped GaN Substrat Berdiri Bebas
| Perkara | GANW-FS-GaN100-N+ |
| Jenis pengaliran | N jenis/Si didopkan |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50 |
| orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5 ° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 32+/-1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 16 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | <0.05Ω · cm |
| kehelan Ketumpatan | <5×10^6sm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
1.2 4″ Low Doped GaN, N Type
| Perkara | GANW-FS-GaN100-N- |
| Jenis pengaliran | N type/low doped |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50 |
| orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5 ° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 32+/-1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 16 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | <0.5Ω · cm |
| kehelan Ketumpatan | <5×10^6sm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan:Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
Filem GaN Si-Doped 1.3 2″
| Perkara | GANW-FS-GaN50-N+ |
| Jenis pengaliran | N jenis/Si didopkan |
| Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| ketebalan | 400+/-50 |
| orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5 ° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 16 +/- 1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | <0.05Ω · cm |
| kehelan Ketumpatan | <5×10^6sm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <= 15um |
| BOW | <=+/-20um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm. Epi-siap digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
1.4 2″ Low Doped N Type GaN Thin Film
| Perkara | GANW-FS-GaN50-N- |
| Jenis pengaliran | N type/low doped |
| Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| ketebalan | 400+/-50 |
| orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5 ° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 16 +/- 1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | <0.5Ω · cm |
| kehelan Ketumpatan | <5×10^6sm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <= 15um |
| BOW | <=+/-20um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm. Epi-siap digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
2. Pemakaian Substrat GaN
Pada masa ini, aplikasi GaN masih dikuasai oleh tentera, dan ia secara beransur-ansur mula bergerak ke arah bidang komersial, seperti kenderaan tanpa pemandu, stesen pangkalan komunikasi tanpa wayar, dll. Dan terdapat prospek aplikasi yang luas dalam LED cahaya putih, pendek- laser panjang gelombang, pengesan ultraviolet, dan peranti kuasa tinggi suhu tinggi. Aplikasi terbesar substrat GaN (seperti separa penebat / jenis P / filem nipis GaN jenis N) pada masa ini adalah milik laser, yang digunakan terutamanya dalam pengeluaran diod laser biru. Produk ini telah digunakan sebagai komponen utama dalam Cakera Blu-ray dan HD-DVD. Di samping itu, laser yang direka pada substrat GaN dengan sentuhan ohmik juga sangat sesuai untuk paparan unjuran, percetakan berketepatan tinggi dan medan penderiaan optik.
Selain itu, terdapat potensi pasaran wafer GaN dalam pengesan optik, yang terutamanya termasuk penderiaan nyalaan, pemantauan ozon, pemantauan pencemaran, analisis darah, pemantauan pembasmian kuman lampu merkuri, pengesan laser dan aplikasi lain yang memerlukan ciri zon buta suria.
Adalah boleh dijangka bahawa dengan kematangan teknologi substrat GaN secara beransur-ansur, substrat GaN berkualiti tinggi kos rendah dijangka digunakan secara meluas dalam bidang peranti mikroelektronik semikonduktor dan peranti optoelektronik.
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!
