Wafer CdZnTe
Cadmium zinc telluride (short for CdZnTe or CZT) wafer is an important II-VI group semiconductor material, which can be offered by CdZnTe wafer manufacturer – Ganwafer mainly for infrared thin film epitaxial growth and radiation detection. The band gap of CdZnTe is large, and low-energy infrared light cannot excite the electron conduction band transition in the valence band, so it does not produce intrinsic absorption of infrared light. Moreover, the dielectric constant of cadmium zinc telluride ingot is small, and the extinction coefficient is small when infrared is transmitted, so the infrared transmittance of CZT wafer is high. More important, the CZT lattice constant can be adjusted with different Zn content to meet the growth requirements of HgCdTe (MCT) epitaxial films with different compositions. More info about CdZnTe wafer please see below:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
1. Spesifikasi Wafer Kadmium Zinc Telluride (CZT).
1.1 CdZnTe untuk Pertumbuhan Epitaxial HgCdTe
| CdZnTe Untuk pertumbuhan epitaxial, HgCdTe: | |
| Saiz substrat CZT | 20×20 +/-0.1mm atau lebih besar |
| struktur CZT | tanpa kembar dibatalkan |
| Ketebalan CZT | 1000 +/- 50 |
| Pengagihan Zink | 4.5% atau tersuai |
| “y” % wafer kepada wafer | <4% +/- 1% |
| “y” % dalam wafer | <4% +/- 0.5% |
| orientasi | (211)B,(111)B |
| DCRC FWHM | <= 50 lengkok.saat |
| Kepekatan pembawa | - |
| Penghantaran IR % (2-20)um | >60% |
| Saiz mendakan | <5um |
| Ketumpatan mendakan | <1E4 cm-2 |
| Ketumpatan lubang goresan | <=1E5 cm-2 |
| Permukaan, muka B | EPI sedia |
| Permukaan, muka A | Digilap kasar |
| Kekasaran permukaan | Ra<20A atau adat |
| Saiz mendakan | <5um |
| Pengenalan muka | Muka |
Apabila komposisi Zn ialah 0.04, wafer Cd0.96Zn0.04Te sesuai untuk filem HgCdTe epitaxial kerana pemalar kekisi dan sifat kimianya dipadankan dengan HgCdTe – bahan pengesan inframerah.
1.2 Wafer CdZnTe untuk Pengesanan Sinaran
Substrat CdZnTe dengan komposisi Zn=0.1~0.2 boleh disediakan dengan atau tanpa kenalan. Substrat CZT ialah bahan pengesan sinaran nuklear yang baru muncul dalam beberapa tahun kebelakangan ini. Terdapat banyak sifat zink telluride kadmium yang sangat baik untuk aplikasi ini: jurang jalur yang besar, mudah untuk mengawal penjanaan arus haba; nombor atom purata yang besar, keupayaan kuat untuk menghentikan sinar, kekuatan mekanikal yang baik, mudah untuk pengeluaran peranti; kerintangan yang tinggi, pengesan yang dihasilkan masih boleh mengekalkan arus bocor yang rendah di bawah voltan pincang tinggi. Oleh itu, bunyi pengesan dikurangkan. Berbanding dengan pengesan sinaran nuklear natrium iodida scintillator tradisional, ia mempunyai resolusi tenaga yang lebih tinggi.
Di samping itu, pengesan sinar-X dan sinar-Y yang diperbuat daripada kristal telluride zink kadmium boleh berfungsi pada suhu bilik, menghapuskan masalah menambah nitrogen cecair. Selain itu, pengesan x-ray zink telluride kadmium boleh diproses dengan mudah menjadi pengesan tatasusunan piksel, dan dengan litar bacaan isyarat bersepadu silikon terjepit, ia boleh dijadikan peranti pengimejan radiografik yang padat, cekap dan beresolusi tinggi, yang boleh digunakan secara meluas dalam analisis pendarfluor sinar-X, pemantauan sisa nuklear, ujian keselamatan lapangan terbang dan pelabuhan, pengesanan kecacatan industri, diagnosis perubatan, penyelidikan astrofizik, dll.
1.3 Substrat Telurida Zink Kadmium untuk Peranti Inframerah dan Fotoelektrik
Dengan menambahkan jumlah vanadium (V) atau indium (In) yang sesuai kepada telurida zink kadmium, telurida zink kadmium menjadi bahan fotorefraktif semikonduktor dekat-inframerah yang sangat baik. Permintaan yang kukuh untuk pemprosesan maklumat optik dalam jalur inframerah dekat telah mendorong pembangunan jenis bahan fotorefraktif dekat inframerah baharu. Didopkan dengan jumlah vanadium atau indium yang betul semasa pertumbuhan CdZnTe, vanadium atau indium menjadi pusat tahap tenaga dalam sensitif fotorefraktif, supaya bahan wafer CdZnTe mempunyai pekali fotoelektrik yang besar dalam jalur inframerah dekat, yang boleh digunakan untuk membuat jalur gelombang inframerah dekat memori holografik optik masa nyata dan peranti perkongsian fasa optik.
Oleh kerana kadmium zink telluride mempunyai ketransmisian inframerah yang tinggi (~65%) dalam jalur inframerah, wafer zink telluride kadmium boleh digunakan untuk membuat kanta inframerah, prisma dan komponen optik inframerah lain. Selain itu, prestasi fotoelektrik cemerlang kristal CdZnTe menjadikannya sesuai untuk pembangunan peranti optoelektronik seperti modulator fotoelektrik dan sel suria filem nipis.
2. Penggunaan Wafer CdZnTe
Ringkasnya, wafer CdZnTe boleh digunakan untuk:
* pertumbuhan filem epitaxial HgCdTe berkualiti tinggi;
* bahan tingkap laser inframerah dengan prestasi cemerlang;
* pengeluaran pengesan sinar-X dan sinar-γ;
* penghasilan wafer epitaxial CdTe/ZnTe superlattice kuantum;
* sel suria;
* modulator fotoelektrik, dsb.
