Substrat GaN Berdiri Bebas Separa Penebat
Semi-insulating Freestanding GaN (Gallium Nitride) Substrate is mainly for RF device based on HEMT structure. Ganwafer, a semi-insulating freestanding GaN substrate manufacturer, has formed the manufacturing technology for freestanding GaN semi-insulating substrate wafer. The substrate wafer is for UHB-LED and LD. Our GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) has low defect density and less or free macro defect density. More specification of GaN semi-insulating substrate, please see below:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
1. Spesifikasi Substrat GaN Berdiri Bebas Separa penebat
1.1 4″ Substrat Wafer GaN Separa Penebat
| Perkara | GANW-FS-GaN100-SI |
| Jenis pengaliran | Separa Penebat |
| Saiz | 4″(100)+/-1mm |
| ketebalan | 480+/-50um |
| orientasi | C-paksi (0001) +/- 0.5 ° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 32+/-1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 16 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | >10^6Ω·sm |
| kehelan Ketumpatan | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| BOW | <=+/-30um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
1.2 2″ Substrat Berdiri Bebas GaN Separa Tertebat
| Perkara | GANW-FS-GaN50-SI |
| Jenis pengaliran | Separa Penebat |
| Saiz | 2 "(50.8) +/- 1mm |
| ketebalan | 400+/-50um |
| orientasi | Sudut luar paksi C(0001) ke arah paksi A 0.35°+/-0.15° |
| Lokasi Flat utama | (10-10)+/-0.5° |
| Negara Flat utama | 16 +/- 1mm |
| Menengah Flat Lokasi | (1-210)+/-3° |
| Menengah Flat Negara | 8 +/- 1mm |
| Kerintangan (300K) | >10^6Ω·sm |
| kehelan Ketumpatan | <5×106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <= 15um |
| BOW | <=+/-20um |
| kemasan permukaan | Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm. Epi-siap digilap |
| — | Permukaan Belakang: 1. Tanah halus |
| — | 2. Digilap. |
| Kawasan yang boleh digunakan | ≥ 90% |
2. Lengkung Goyang XRD-Bahan GaN-LAPORAN UJIAN
Laporan ujian boleh menunjukkan kualiti wafer dan kesesuaian antara perihalan dan data wafer. Selepas proses pembuatan, kami akan menguji pencirian wafer:
* Uji kekasaran permukaan wafer dengan mikroskop daya atom;
* Uji jenis kekonduksian oleh instrumen spektrum Rom;
* Uji kerintangan wafer dengan peralatan ujian kerintangan bukan sentuhan;
* Uji ketumpatan mikropaip wafer dengan mikroskop polarisasi.
Kami akan membersihkan dan membungkus wafer dalam persekitaran bersih 100 kelas selepas ujian. Jika kualiti wafer tidak memenuhi spesifikasi tersuai, kami akan menanggalkannya selepas ujian.
Lebar penuh separuh ketinggian (FWHM) ialah lebar lengkung spektrum yang diukur antara titik tersebut pada paksi Y. Rajah berikut menunjukkan Lengkung Goyang XRD Bahan GaN yang diuji:
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!
