Substrat GaN Berdiri Bebas Separa Penebat

Substrat GaN Berdiri Bebas Separa Penebat

Substrat GaN (Gallium Nitride) Berdiri Bebas Separa penebat adalah terutamanya untuk peranti RF berdasarkan struktur HEMT. PAM-XIAMEN, pengeluar substrat GaN berdiri bebas separa penebat, telah membentuk teknologi pembuatan untuk wafer substrat separa penebat GaN berdiri bebas. Wafer substrat adalah untuk UHB-LED dan LD. Substrat GaN kami yang ditanam oleh epitaksi fasa wap hidrida (HVPE) mempunyai ketumpatan kecacatan yang rendah dan ketumpatan kecacatan makro yang kurang atau bebas. Lebih banyak spesifikasi substrat separa penebat GaN, sila lihat di bawah:

Penerangan

1. Spesifikasi Substrat GaN Berdiri Bebas Separa penebat

1.1 4″ Substrat Wafer GaN Separa Penebat

Perkara PAM-FS-GaN100-SI
Jenis pengaliran Separa Penebat
Saiz 4″(100)+/-1mm
ketebalan 480+/-50um
orientasi C-paksi (0001) +/- 0.5 °
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5°
Negara Flat utama 32+/-1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3°
Menengah Flat Negara 16 +/- 1mm
Kerintangan (300K) >10^6Ω·sm
kehelan Ketumpatan <5×106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
BOW <=+/-30um
kemasan permukaan Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm.Epi-sedia digilap
Permukaan Belakang: 1. Tanah halus
2. Digilap
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%

 

1.2 2″ Substrat Berdiri Bebas GaN Separa Tertebat

Perkara PAM-FS-GaN50-SI
Jenis pengaliran Separa Penebat
Saiz 2 "(50.8) +/- 1mm
ketebalan 400+/-50um
orientasi Sudut luar paksi C(0001) ke arah paksi A 0.35°+/-0.15°
Lokasi Flat utama (10-10)+/-0.5°
Negara Flat utama 16 +/- 1mm
Menengah Flat Lokasi (1-210)+/-3°
Menengah Flat Negara 8 +/- 1mm
Kerintangan (300K) >10^6Ω·sm
kehelan Ketumpatan <5×106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
BOW <=+/-20um
kemasan permukaan Permukaan Hadapan: Ra<=0.3nm. Epi-siap digilap
Permukaan Belakang: 1. Tanah halus
2. Digilap.
Kawasan yang boleh digunakan ≥ 90%

 

2. Lengkung Goyang XRD-Bahan GaN-LAPORAN UJIAN

Laporan ujian boleh menunjukkan kualiti wafer dan kesesuaian antara perihalan dan data wafer. Selepas proses pembuatan, kami akan menguji pencirian wafer:

* Uji kekasaran permukaan wafer dengan mikroskop daya atom;

* Uji jenis kekonduksian oleh instrumen spektrum Rom;

* Uji kerintangan wafer dengan peralatan ujian kerintangan bukan sentuhan;

* Uji ketumpatan mikropaip wafer dengan mikroskop polarisasi.

Kami akan membersihkan dan membungkus wafer dalam persekitaran bersih 100 kelas selepas ujian. Jika kualiti wafer tidak memenuhi spesifikasi tersuai, kami akan menanggalkannya selepas ujian.

Lebar penuh separuh ketinggian (FWHM) ialah lebar lengkung spektrum yang diukur antara titik tersebut pada paksi Y. Rajah berikut menunjukkan Lengkung Goyang XRD Bahan GaN yang diuji:

XRD Rocking Curves of GaN Material

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout