Wafer InSb
Indium antimonide (InSb) mempunyai mobiliti elektron dan kelajuan tepu tertinggi di kalangan semua semikonduktor, jadi ia boleh digunakan dalam penggunaan kuasa rendah dan peranti frekuensi yang sangat tinggi. Sebagai pengeluar wafer InSb semikonduktor kompaun, Ganwafer menyediakan substrat antimonida indium kumpulan III-V LEC yang ditanam
Terdapat banyak aplikasi berpotensi wafer kompaun indium antimonide kerana suhu penghablurannya yang rendah, jurang jalur yang sempit, mobiliti pembawa yang tinggi, proses kristal tunggal indium antimonida ketulenan tinggi yang agak mudah, struktur kristal indium antimonide yang lengkap, dan keseragaman parameter elektrik yang baik. Wafer indium antimonide kini digunakan dalam transistor kesan medan (FET), menjadikan peranti digital penggunaan kuasa rendah dan tindak balas pantas. Lebih lanjut mengenai wafer antimoni indium sila hubungi kami.
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
Wafer antimonida indium kristal tunggal sedia epi masih merupakan salah satu semikonduktor utama yang digunakan untuk fabrikasi komponen elektronik untuk elektronik keadaan pepejal. Wafer InSb digunakan untuk fabrikasi fotosel linear dan tatasusunan yang dikendalikan dalam panjang gelombang 3–5mm, dan digunakan sebagai unsur fotosensitif dalam sistem penglihatan haba.
Selain itu, tatasusunan fokus berdasarkan filem nipis antimonida indium digunakan sebagai peranti khas untuk navigasi bawaan udara dan sistem sasaran ketepatan, kepala pengesan inframerah antipesawat, pengesan inframerah marin dan lain-lain.
1. Spesifikasi Wafer InSb
| Perkara | Spesifikasi |
| Diameter Wafer | 2″50.5±0.5mm 3″76.2±0.4mm 4″1000.0±0.5mm |
| Crystal Orientation | 2″(111)AorB±0.1° 3″(111)AorB±0.1° 4″(111)AorB±0.1° |
| ketebalan | 2″625±25um 3″ 800atau900±25um 4″1000±25um |
| panjang rata utama | 2″16±2mm 3″22±2mm 4″32.5±2.5mm |
| panjang rata menengah | 2″8±1mm 3″11±1mm 4″18±1mm |
| kemasan permukaan | P/E, P/P |
| Pakej | Epi-Ready, Bekas wafer tunggal atau kaset CF |
2. Parameter Elektrik dan Doping Wafer Indium Antimonide jenis N dan P
| Jenis pengaliran | n-jenis | n-jenis | n-jenis | n-jenis | jenis-p |
| Dopant | Undoped | Telurium | telurium rendah | telurium tinggi | Genmanium |
| EPD cm-2 | 2″3″4″≤50 | 2″≤100 | |||
| Mobiliti cm² V-1s-1 | ≥4*105 | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | Tidak Dinyatakan | 8000-4000 |
| Kepekatan Pembawa cm-3 | 5*1013-3*1014 | (1-7)*1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 | 5*1014-3*1015 |
.jpg)
3. Penyelidikan tentang Penggilapan Kimia Wafer InSb
Penggilapan mekanikal akan menyebabkan kerosakan mekanikal pada permukaan wafer InSb pada tahap tertentu, meningkatkan kekasaran permukaan wafer dan menjejaskan prestasi peranti akhir. Penggilap kimia boleh menghilangkan calar permukaan substrat InSb dan mengurangkan kekasaran permukaan. Substrat indium antimonida jenis n atau p digilap secara mekanikal dan digilap lagi dengan larutan Br_2-MeOH kepekatan rendah. Bandingkan topografi, variasi ketebalan jumlah (TTV), kekasaran, komposisi permukaan dan kekotoran wafer InSb yang digilap dan tidak digilap, keputusan menunjukkan bahawa apabila menggilap wafer InSb dengan larutan Br_2-MeOH kepekatan rendah, kadar kakisan adalah stabil, mudah untuk mengawal, dan boleh menghilangkan calar permukaan dengan berkesan dan mendapatkan permukaan cermin yang licin. Kekasaran permukaan wafer selepas penggilap kimia ialah 6.443nm, TTV ialah 3.4μm, dan nisbah atom In/Sb adalah hampir kepada 1. Berbanding dengan penyelesaian goresan CP4-A dan CP4-B tradisional, kepekatan rendah Br_2- Larutan MeOH lebih sesuai untuk penggilap kimia wafer InSb.
