INSB Wafer

Wafer InSb

Indium antimonide (InSb) mempunyai mobiliti elektron dan kelajuan tepu tertinggi di kalangan semua semikonduktor, jadi ia boleh digunakan dalam penggunaan kuasa rendah dan peranti frekuensi yang sangat tinggi. Sebagai pengeluar wafer InSb semikonduktor kompaun, PAM-XIAMEN menyediakan substrat antimonida indium kumpulan III-V LEC yang ditanam

Terdapat banyak aplikasi berpotensi wafer kompaun indium antimonide kerana suhu penghablurannya yang rendah, jurang jalur yang sempit, mobiliti pembawa yang tinggi, proses kristal tunggal indium antimonida ketulenan tinggi yang agak mudah, struktur kristal indium antimonide yang lengkap, dan keseragaman parameter elektrik yang baik. Wafer indium antimonide kini digunakan dalam transistor kesan medan (FET), menjadikan peranti digital penggunaan kuasa rendah dan tindak balas pantas. Lebih lanjut mengenai wafer antimoni indium sila hubungi kami.

Penerangan

Wafer antimonida indium kristal tunggal sedia epi masih merupakan salah satu semikonduktor utama yang digunakan untuk fabrikasi komponen elektronik untuk elektronik keadaan pepejal. Wafer InSb digunakan untuk fabrikasi fotosel linear dan tatasusunan yang dikendalikan dalam panjang gelombang 3–5mm, dan digunakan sebagai unsur fotosensitif dalam sistem penglihatan haba.

Selain itu, tatasusunan fokus berdasarkan filem nipis antimonida indium digunakan sebagai peranti khas untuk navigasi bawaan udara dan sistem sasaran ketepatan, kepala pengesan inframerah antipesawat, pengesan inframerah marin dan lain-lain.

1. Spesifikasi Wafer InSb

Perkara Spesifikasi
Diameter Wafer 2″50.5±0.5mm
3″76.2±0.4mm
4″1000.0±0.5mm
Crystal Orientation 2″(111)AorB±0.1°
3″(111)AorB±0.1°
4″(111)AorB±0.1°
ketebalan 2″625±25um
3″ 800atau900±25um
4″1000±25um
panjang rata utama 2″16±2mm
3″22±2mm
4″32.5±2.5mm
panjang rata menengah 2″8±1mm
3″11±1mm
4″18±1mm
kemasan permukaan P/E, P/P
Pakej Epi-Ready, Bekas wafer tunggal atau kaset CF

 

2. Parameter Elektrik dan Doping Wafer Indium Antimonide jenis N dan P

Jenis pengaliran n-jenis n-jenis n-jenis n-jenis jenis-p
Dopant Undoped Telurium telurium rendah telurium tinggi Genmanium
EPD cm-2 2″3″4″≤50 2″≤100
Mobiliti cm² V-1s-1 ≥4*105 ≥2.5*104 ≥2.5*105 Tidak Dinyatakan 8000-4000
Kepekatan Pembawa cm-3 5*1013-3*1014 (1-7)*1017 4*1014-2*1015 ≥1*1018 5*1014-3*1015

3. Penyelidikan tentang Penggilapan Kimia Wafer InSb

Penggilapan mekanikal akan menyebabkan kerosakan mekanikal pada permukaan wafer InSb pada tahap tertentu, meningkatkan kekasaran permukaan wafer dan menjejaskan prestasi peranti akhir. Penggilap kimia boleh menghilangkan calar permukaan substrat InSb dan mengurangkan kekasaran permukaan. Substrat indium antimonida jenis n atau p digilap secara mekanikal dan digilap lagi dengan larutan Br_2-MeOH kepekatan rendah. Bandingkan topografi, variasi ketebalan jumlah (TTV), kekasaran, komposisi permukaan dan kekotoran wafer InSb yang digilap dan tidak digilap, keputusan menunjukkan bahawa apabila menggilap wafer InSb dengan larutan Br_2-MeOH kepekatan rendah, kadar kakisan adalah stabil, mudah untuk mengawal, dan boleh menghilangkan calar permukaan dengan berkesan dan mendapatkan permukaan cermin yang licin. Kekasaran permukaan wafer selepas penggilap kimia ialah 6.443nm, TTV ialah 3.4μm, dan nisbah atom In/Sb adalah hampir kepada 1. Berbanding dengan penyelesaian goresan CP4-A dan CP4-B tradisional, kepekatan rendah Br_2- Larutan MeOH lebih sesuai untuk penggilap kimia wafer InSb.

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout