Pemendapan Filem Nipis dan Metalisasi pada Wafer Silikon
Ganwafer, a metal deposition manufacturing company, offers metal film deposition services on silicon by various metal thin film deposition techniques, such as evaporating, sputtering, LPCVD, ALD and etc. All the metal deposition on silicon wafer is supplied at different stress level with high thickness uniformity. The metal deposition process forms contacts in doped area between the semiconductor and conducting path. For our metal deposition service, we use metal and ITO (indium tin oxides) material to prepare electrodes for silicon substrate, and use non-metallic materials to grow sacrificial and insulating dielectric layers on silicon substrate.
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
Semasa proses pemendapan logam, terdapat beberapa keperluan penting untuk peranti mikroelektronik bersepadu, yang harus diikuti:
Ketulenan logam hendaklah setinggi cukup;
Ia adalah mungkin untuk mengintegrasikan lapisan bertindan;
Kapasiti tampung semasa hendaklah tinggi;
Rintangan sentuhan antara logam dan semikonduktor hendaklah rendah;
Proses metalizing haruslah mudah;
Bahan untuk metalisasi hendaklah tahan kakisan dan mempunyai jangka hayat yang panjang;
Bahan untuk pemendapan haruslah lekatan yang sangat baik pada oksida silikon.
Ambil parameter teknikal berikut bagi wafer silikon logam pemendapan kami sebagai contoh:
1. Parameter Teknikal Pemendapan Logam pada Semikonduktor
4″ Si Substrat + SiO2 + TiO2 + Pt | ||
Perkara | Parameter | |
Bahan | Silikon monokristalin | |
gred | Gred Perdana | |
Menghubungi pertumbuhan | CZ | |
diameter | 100.0±0.3mm, 4″ | 100 ±0.3mm, 4″ |
Jenis kekonduksian | Jenis N | Jenis N |
Dopant | Fosforus | Tidak Didop |
orientasi | <100>±0.5° | [111]±0.5° |
ketebalan | 300±25μm (Jumlah Ketebalan) | 525±25μm |
kerintangan | 1-10Ωcm | n / a |
Flat Utama | Rumah Pangsa SEMI STD | Rumah Pangsa SEMI STD |
Flat menengah | Rumah Pangsa SEMI STD | Rumah Pangsa SEMI STD |
kemasan permukaan | Satu Bahagian Digilap | |
Tepi Bulat | Tepi Bulat Per SEMI Standard | |
Si Sub/SiO2/TiO2/Pt | Jumlah Ketebalan 300μm Si Ketebalan Substrat 289μm Lapisan Tengah Pertama SiO2 Ketebalan 10,000 Angstrom Ketebalan Ti Lapisan Tengah Kedua 500 Angstrom Lapisan Atas Pt 5000 Angstrom |
Si Ketebalan Substrat 525μm Ketebalan SiO2 Lapisan Tengah Pertama 300 Angstrom Ketebalan Ti Lapisan Tengah Kedua 20 Angstrom Lapisan Atas Pt Angstrom |
Zarah | SEMI STD | |
TTV | <10 pagi | |
Bow / Warp | <30um | |
TIR | <5µm | |
Kandungan Oksigen | <2E16/sm3 | |
Kandungan Karbon | <2E16/sm3 | |
OISF | <50/sm² | |
KACAU (15x15mm) | <1.5µm | |
MCC Sepanjang Hayat | N / A | |
Pencemaran Logam Permukaan Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr |
≤5E10 atom/cm2 | |
kehelan Ketumpatan | SEMI STD | |
Cip, calar, benjolan, jerebu, kesan sentuhan, kulit oren, lubang, retak, kotoran, pencemaran | Semua Tiada | |
laser Mark | SEMI STD |
2. Teknik Pemendapan Logam
2.1 Tekanan Atmosfera CVD (APCVD)
APCVD ialah salah satu kaedah CVD untuk pemendapan oksida terdop atau tidak terdod. Disebabkan oleh suhu rendah dalam proses, ketumpatan rendah dan liputan sederhana oksida termendap akan diperolehi. Output tinggi substrat pemendapan logam adalah kelebihan besar proses APCVD.
2.2 CVD Tekanan Rendah (LPCVD)
Dalam kaedah LPCVD, vakum digunakan. Silikon nitrida (Si3N4), silikon oksinitrida (SiON), silikon dioksida (SiO2) dan filem nipis tungsten boleh didepositkan pada substrat silikon dengan kaedah ini, mendapatkan wafer berlogam dengan keakuran tinggi.
2.3 Pemendapan Lapisan Atom (ALD)
ALD ialah proses CVD yang dipertingkatkan sesuai untuk mendepositkan filem nipis logam pada substrat Si. Menggunakan ALD boleh mendepositkan struktur 3D dengan sangat seragam. Kedua-dua filem penebat dan konduktif boleh ditanam pada substrat yang berbeza (konduktor, polimer, dll.).