Pemendapan Filem Nipis dan Metalisasi pada Wafer Silikon

Pemendapan Filem Nipis dan Metalisasi pada Wafer Silikon

PAM-XIAMEN, sebuah syarikat pembuatan pemendapan logam, menawarkan perkhidmatan pemendapan filem logam pada silikon dengan pelbagai teknik pemendapan filem nipis logam, seperti penyejatan, percikan, LPCVD, ALD dan lain-lain. Semua pemendapan logam pada wafer silikon dibekalkan pada tahap tegasan yang berbeza dengan keseragaman ketebalan yang tinggi. Proses pemendapan logam membentuk sesentuh di kawasan doped antara semikonduktor dan laluan pengalir. Untuk perkhidmatan pemendapan logam kami, kami menggunakan bahan logam dan ITO (indium tin oksida) untuk menyediakan elektrod bagi substrat silikon, dan menggunakan bahan bukan logam untuk mengembangkan lapisan dielektrik korban dan penebat pada substrat silikon.

Penerangan

Semasa proses pemendapan logam, terdapat beberapa keperluan penting untuk peranti mikroelektronik bersepadu, yang harus diikuti:

Ketulenan logam hendaklah setinggi cukup;

Ia adalah mungkin untuk mengintegrasikan lapisan bertindan;

Kapasiti tampung semasa hendaklah tinggi;

Rintangan sentuhan antara logam dan semikonduktor hendaklah rendah;

Proses metalizing haruslah mudah;

Bahan untuk metalisasi hendaklah tahan kakisan dan mempunyai jangka hayat yang panjang;

Bahan untuk pemendapan haruslah lekatan yang sangat baik pada oksida silikon.

Ambil parameter teknikal berikut bagi wafer silikon logam pemendapan kami sebagai contoh:

1. Parameter Teknikal Pemendapan Logam pada Semikonduktor

4″ Si Substrat + SiO2 + TiO2 + Pt
Perkara Parameter
Bahan Silikon monokristalin
gred Gred Perdana
Menghubungi pertumbuhan CZ
diameter 100.0±0.3mm, 4″ 100 ±0.3mm, 4″
Jenis kekonduksian Jenis N Jenis N
Dopant Fosforus Tidak Didop
orientasi <100>±0.5° [111]±0.5°
ketebalan 300±25μm (Jumlah Ketebalan) 525±25μm
kerintangan 1-10Ωcm n / a
Flat Utama Rumah Pangsa SEMI STD Rumah Pangsa SEMI STD
Flat menengah Rumah Pangsa SEMI STD Rumah Pangsa SEMI STD
kemasan permukaan Satu Bahagian Digilap
Tepi Bulat Tepi Bulat Per SEMI Standard
Si Sub/SiO2/TiO2/Pt Jumlah Ketebalan 300μm
Si Ketebalan Substrat 289μm
Lapisan Tengah Pertama SiO2 Ketebalan 10,000 Angstrom
Ketebalan Ti Lapisan Tengah Kedua 500 Angstrom
Lapisan Atas Pt 5000 Angstrom
Si Ketebalan Substrat 525μm
Ketebalan SiO2 Lapisan Tengah Pertama 300 Angstrom
Ketebalan Ti Lapisan Tengah Kedua 20 Angstrom
Lapisan Atas Pt Angstrom
Zarah SEMI STD
TTV <10 pagi  
Bow / Warp <30um  
TIR <5µm
Kandungan Oksigen <2E16/sm3
Kandungan Karbon <2E16/sm3
OISF <50/sm²
KACAU (15x15mm) <1.5µm
MCC Sepanjang Hayat N / A
Pencemaran Logam Permukaan
Fe,Zn, Cu,Ni, K,Cr
≤5E10 atom/cm2
kehelan Ketumpatan SEMI STD
Cip, calar, benjolan, jerebu, kesan sentuhan, kulit oren, lubang, retak, kotoran, pencemaran Semua Tiada
laser Mark SEMI STD

 

2. Teknik Pemendapan Logam

2.1 Tekanan Atmosfera CVD (APCVD)

APCVD ialah salah satu kaedah CVD untuk pemendapan oksida terdop atau tidak terdod. Disebabkan oleh suhu rendah dalam proses, ketumpatan rendah dan liputan sederhana oksida termendap akan diperolehi. Output tinggi substrat pemendapan logam adalah kelebihan besar proses APCVD.

2.2 CVD Tekanan Rendah (LPCVD)

Dalam kaedah LPCVD, vakum digunakan. Silikon nitrida (Si3N4), silikon oksinitrida (SiON), silikon dioksida (SiO2) dan filem nipis tungsten boleh didepositkan pada substrat silikon dengan kaedah ini, mendapatkan wafer berlogam dengan keakuran tinggi.

2.3 Pemendapan Lapisan Atom (ALD)

ALD ialah proses CVD yang dipertingkatkan sesuai untuk mendepositkan filem nipis logam pada substrat Si. Menggunakan ALD boleh mendepositkan struktur 3D dengan sangat seragam. Kedua-dua filem penebat dan konduktif boleh ditanam pada substrat yang berbeza (konduktor, polimer, dll.).

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout