Wafer InP
Indium phosphide (InP) is one of the important III-V compound semiconductors. It has the advantages of high electron mobility, good radiation resistance, and high band gap, which means that this material can amplify higher frequencies or signals with shorter wavelengths. Therefore, satellite receivers and amplifiers made of indium phosphide chips can work at extremely high frequencies above 100 GHz with high stability. Compared with gallium arsenide semiconductor materials, single crystal indium phosphide for sale from Ganwafer has a higher breakdown electric field and thermal conductivity, and higher electron mobility. More about our InP semiconductor wafer please see as follows:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
Pada masa ini, saiz utama substrat kristal tunggal InP ialah 2-4 inci. Daripada bahan mentah kepada jongkong, indium phosphide dipotong menjadi wafer 2 inci atau 4 inci. Kadar hasil biasanya kira-kira 28%, dan ambang teknikal pada umumnya tidak tinggi. Semakin besar saiz wafer indium phosphide, semakin tinggi nilainya.
1. Spesifikasi Terperinci Wafer Indium Phosphide
1.1. Spesifikasi Wafer Kristal Tunggal InP (Indium Phosphide) 4″
| Perkara | Spesifikasi | |||
| Dopant | N-jenis | N-jenis | Jenis-P | jenis SI |
| Jenis pengaliran | doped rendah | Sulfur | Zink | lron |
| Diameter Wafer | 4 " | |||
| wafer Orientation | (100) ± 0.5 ° | |||
| Ketebalan Wafer | 600±25um | |||
| Negara Flat utama | 16±2mm | |||
| Menengah Flat Negara | 8±1mm | |||
| Konsentrasi Pembawa | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| Mobility | (3.5-4)x103cm2/vs | (1.5-3.5)x103cm2/vs | 50-70x103cm2/Vs | >1000cm2/vs |
| kerintangan | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000sm-2 | <500sm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <15um | |||
| BOW | <15um | |||
| WARP | <15um | |||
| Penandaan laser | atas permintaan | |||
| Kemasan suface | P/E, P/P | |||
| Epi bersedia | yes | |||
| Pakej | bekas wafer tunggal atau kaset | |||
1.2. Spesifikasi Substrat Wafer Indium Phosphide 3″
| Perkara | Spesifikasi | |||
| Dopant | N-jenis | N-jenis | Jenis-P | jenis SI |
| Jenis pengaliran | doped rendah | Sulfur | Zink | lron |
| Diameter Wafer | 3 " | |||
| wafer Orientation | (100) ± 0.5 ° | |||
| Ketebalan Wafer | 600±25um | |||
| Negara Flat utama | 16±2mm | |||
| Menengah Flat Negara | 8±1mm | |||
| Konsentrasi Pembawa | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| Mobility | (3.5-4)x103cm2/vs | (1.5-3.5)x103cm2/vs | 50-70x103cm2/Vs | >1000cm2/vs |
| kerintangan | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000sm-2 | <500sm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <12um | |||
| BOW | <12um | |||
| WARP | <15um | |||
| Penandaan laser | atas permintaan | |||
| Kemasan suface | P/E, P/P | |||
| Epi bersedia | yes | |||
| Pakej | bekas wafer tunggal atau kaset | |||
1.3. 2″ Spesifikasi Substrat Wafer InP
| Perkara | Spesifikasi | |||
| Dopant | N-jenis | N-jenis | Jenis-P | jenis SI |
| Jenis pengaliran | doped rendah | Sulfur | Zink | lron |
| Diameter Wafer | 2 " | |||
| wafer Orientation | (100) ± 0.5 ° | |||
| Ketebalan Wafer | 350±25um | |||
| Negara Flat utama | 16±2mm | |||
| Menengah Flat Negara | 8±1mm | |||
| Konsentrasi Pembawa | 3x1016cm-3 | (0.8-6)x1018cm-3 | (0.6-6)x1018cm-3 | N / A |
| Mobility | (3.5-4)x103cm2/vs | (1.5-3.5)x103cm2/vs | 50-70x103cm2/Vs | >1000cm2/vs |
| kerintangan | N / A | N / A | N / A | N / A |
| EPD | <1000sm-2 | <500sm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <10 pagi | |||
| BOW | <10 pagi | |||
| WARP | <12um | |||
| Penandaan laser | atas permintaan | |||
| Kemasan suface | P/E, P/P | |||
| Epi bersedia | yes | |||
| Pakej | bekas wafer tunggal atau kaset | |||
2. Pengelasan dan Penggunaan Indium Phosphide
Mengikut prestasi kekonduksian, substrat InP terbahagi terutamanya kepada substrat separa konduktif dan separa penebat.
Substrat semikonduktor dikelaskan kepada substrat semikonduktor jenis N dan jenis P. Biasanya In2S3 dan Sn digunakan sebagai dopan untuk substrat jenis-N, dan ZnP2 digunakan sebagai dopan untuk substrat jenis-p. Tujuan penggunaan pelbagai dopan adalah untuk menyediakan substrat jenis kekonduksian yang berbeza untuk pembuatan peranti, khususnya seperti berikut:
* InP S-doped jenis N bukan sahaja digunakan untuk diod laser, tetapi juga untuk pengesan foto. Untuk mengelakkan arus bocor yang dijana oleh kehelan, semikonduktor indium fosfida bebas kehelan yang didopkan dengan S adalah perlu. Oleh kerana sulfur mempunyai kesan pengerasan kekotoran yang jelas dalam substrat InP, kristal tunggal pukal indium fosfida bebas kehelan mudah tumbuh.
* Indium phosphide (InP) berdop Zn jenis-P digunakan terutamanya untuk diod laser berkuasa tinggi. Zn juga mempunyai kesan pengerasan kekotoran yang kuat, jadi ia juga boleh menjadikan nisbah kehelan rendah. Dislokasi yang rendah adalah sangat penting untuk meningkatkan hayat laser.
* Substrat InP separa penebat dikelaskan kepada substrat separa penebat terdop dan substrat separa penebat bukan terdop mengikut sama ada didop atau tidak. Substrat separuh penebat terdop biasanya menggunakan Fe2P sebagai dopan. Substrat separuh penebat tanpa dop diperbuat daripada substrat kristal tunggal InP ketulenan tinggi melalui penyepuhlindapan suhu tinggi. Substrat semikonduktor indium fosfida separa penebat digunakan terutamanya untuk membuat peranti frekuensi radio.
