Wafer InP

Wafer InP

Indium fosfida (InP) adalah salah satu semikonduktor sebatian III-V yang penting. Ia mempunyai kelebihan mobiliti elektron yang tinggi, rintangan sinaran yang baik, dan jurang jalur yang tinggi, yang bermaksud bahawa bahan ini boleh menguatkan frekuensi atau isyarat yang lebih tinggi dengan panjang gelombang yang lebih pendek. Oleh itu, penerima satelit dan penguat yang diperbuat daripada cip indium phosphide boleh berfungsi pada frekuensi yang sangat tinggi melebihi 100 GHz dengan kestabilan yang tinggi. Berbanding dengan bahan semikonduktor gallium arsenide, indium phosphide kristal tunggal untuk dijual daripada PAM-XIAEMN mempunyai medan elektrik pecahan yang lebih tinggi dan kekonduksian terma, dan mobiliti elektron yang lebih tinggi. Lebih lanjut mengenai wafer semikonduktor InP kami sila lihat seperti berikut:

Penerangan

Pada masa ini, saiz utama substrat kristal tunggal InP ialah 2-4 inci. Daripada bahan mentah kepada jongkong, indium phosphide dipotong menjadi wafer 2 inci atau 4 inci. Kadar hasil biasanya kira-kira 28%, dan ambang teknikal pada umumnya tidak tinggi. Semakin besar saiz wafer indium phosphide, semakin tinggi nilainya.

1. Spesifikasi Terperinci Wafer Indium Phosphide

1.1. Spesifikasi Wafer Kristal Tunggal InP (Indium Phosphide) 4″

Perkara Spesifikasi
Dopant N-jenis N-jenis Jenis-P jenis SI
Jenis pengaliran Undoped Sulfur Zink lron
Diameter Wafer 4 "
wafer Orientation (100) ± 0.5 °
Ketebalan Wafer 600±25um
Negara Flat utama 16±2mm
Menengah Flat Negara 8±1mm
Konsentrasi Pembawa ≤3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/vs (1.5-3.5)x103cm2/vs 50-70x103cm2/Vs >1000cm2/vs
kerintangan N / A N / A N / A N / A
EPD <1000sm-2 <500sm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <15um
Penandaan laser atas permintaan
Kemasan suface P/E, P/P
Epi bersedia yes
Pakej bekas wafer tunggal atau kaset

 

1.2. Spesifikasi Substrat Wafer Indium Phosphide 3″

Perkara Spesifikasi
Dopant N-jenis N-jenis Jenis-P jenis SI
Jenis pengaliran Undoped Sulfur Zink lron
Diameter Wafer 3 "
wafer Orientation (100) ± 0.5 °
Ketebalan Wafer 600±25um
Negara Flat utama 16±2mm
Menengah Flat Negara 8±1mm
Konsentrasi Pembawa ≤3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/vs (1.5-3.5)x103cm2/vs 50-70x103cm2/Vs >1000cm2/vs
kerintangan N / A N / A N / A N / A
EPD <1000sm-2 <500sm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
Penandaan laser atas permintaan
Kemasan suface P/E, P/P
Epi bersedia yes
Pakej bekas wafer tunggal atau kaset

1.3. 2″ Spesifikasi Substrat Wafer InP

Perkara Spesifikasi
Dopant N-jenis N-jenis Jenis-P jenis SI
Jenis pengaliran Undoped Sulfur Zink lron
Diameter Wafer 2 "
wafer Orientation (100) ± 0.5 °
Ketebalan Wafer 350±25um
Negara Flat utama 16±2mm
Menengah Flat Negara 8±1mm
Konsentrasi Pembawa 3x1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
Mobility (3.5-4)x103cm2/vs (1.5-3.5)x103cm2/vs 50-70x103cm2/Vs >1000cm2/vs
kerintangan N / A N / A N / A N / A
EPD <1000sm-2 <500sm-2 <1x103cm-2 <5x103cm-2
TTV <10 pagi
BOW <10 pagi
WARP <12um
Penandaan laser atas permintaan
Kemasan suface P/E, P/P
Epi bersedia yes
Pakej bekas wafer tunggal atau kaset

 

2. Pengelasan dan Penggunaan Indium Phosphide

Mengikut prestasi kekonduksian, substrat InP terbahagi terutamanya kepada substrat separa konduktif dan separa penebat.
Substrat semikonduktor dikelaskan kepada substrat semikonduktor jenis N dan jenis P. Biasanya In2S3 dan Sn digunakan sebagai dopan untuk substrat jenis-N, dan ZnP2 digunakan sebagai dopan untuk substrat jenis-p. Tujuan penggunaan pelbagai dopan adalah untuk menyediakan substrat jenis kekonduksian yang berbeza untuk pembuatan peranti, khususnya seperti berikut:
* InP S-doped jenis N bukan sahaja digunakan untuk diod laser, tetapi juga untuk pengesan foto. Untuk mengelakkan arus bocor yang dijana oleh kehelan, semikonduktor indium fosfida bebas kehelan yang didopkan dengan S adalah perlu. Oleh kerana sulfur mempunyai kesan pengerasan kekotoran yang jelas dalam substrat InP, kristal tunggal pukal indium fosfida bebas kehelan mudah tumbuh.
* Indium phosphide (InP) berdop Zn jenis-P digunakan terutamanya untuk diod laser berkuasa tinggi. Zn juga mempunyai kesan pengerasan kekotoran yang kuat, jadi ia juga boleh menjadikan nisbah kehelan rendah. Dislokasi yang rendah adalah sangat penting untuk meningkatkan hayat laser.
* Substrat InP separa penebat dikelaskan kepada substrat separa penebat terdop dan substrat separa penebat bukan terdop mengikut sama ada didop atau tidak. Substrat separuh penebat terdop biasanya menggunakan Fe2P sebagai dopan. Substrat separuh penebat tanpa dop diperbuat daripada substrat kristal tunggal InP ketulenan tinggi melalui penyepuhlindapan suhu tinggi. Substrat semikonduktor indium fosfida separa penebat digunakan terutamanya untuk membuat peranti frekuensi radio.

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout