GaN pada GaN
GaN (Gallium Nitride) on GaN wafer is the best solution because of zero lattice mismatch between substrate and epi layers. The lower defect in GaN / GaN film provides extended device durability. The lattice and thermal expansion coefficient of GaN-on-GaN wafer are perfectly matched. Therefore, a very thick GaN layer can be epitaxially grown on a bulk GaN substrate, enabling the fabrication of high breakdown voltage devices. Ganwafer, a GaN on GaN wafer manufacturer, offers 2” and 4” GaN on GaN epi wafer in wide bandgap (WBG) semiconductors:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
1. Lapisan N+ GaN pada Substrat N+ GaN
| Perkara 1 | Spesifikasi |
| wafer GaN | 100 mm atau 50.8mm, N+ GaN Wafer |
| Pertumbuhan 1Epi | N+,10-15um, Nd: 1E15-1E16 |
2. Lapisan N+/P+ GaN pada Substrat N+ GaN
| Perkara 2 | Spesifikasi |
| wafer GaN | 100 mm atau 50.8mm, N+ GaN Wafer |
| Pertumbuhan 1Epi | N+, 10-15um, Nd:1E15-1E16 |
| Pertumbuhan 2Epi | 0.5-2um, jenis P, Na:1E17-1E19 |
| Pertumbuhan 3Epi | 0.1um, jenis P, GaN, Na:-8E19 |
3. Lapisan N+GaN pada Substrat GaN Separa penebat
| Perkara 3 | Spesifikasi |
| wafer GaN | 100 mm atau 50.8mm, Wafer GaN separa penebat |
| Pertumbuhan 1Epi | N+,10-15um,Nd:1E15-1E16 |
4. Teknologi Menegak Wafer GaN/GaN
Teknologi GaN menegak menggunakan sepenuhnya sifat GaN kerana ia berdasarkan pertumbuhan homoepitaxial GaN pada substrat GaN. Ciri-ciri jelas teknologi GaN menegak:
Pertumbuhan homoepitaxial pada substrat GaN memperoleh spektrum terbaik dari sudut potong ini, menghasilkan morfologi terbaik dan prestasi peranti terbaik. Penggunaan fleksibel substrat GaN pukal daripada boleh menghasilkan n-GaN berdop ultra-rendah. Mengawal doping Mg adalah untuk menggredkan simpang pn semasa proses pertumbuhan. Menjana simpang pn tajam seperti yang diperlukan ialah proses pertumbuhan semula terancang untuk kekasaran permukaan dengan kekasaran permukaan yang sangat rendah. Dalam kes p GaN/n GaN menegak, kedua-dua substrat dan lapisan epitaxial adalah GaN dengan ketumpatan kecacatan yang sangat rendah.
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!
