Templat GaN Epi

Templat nitrida III, termasuk pertumbuhan epitaxial GaN pada substrat SiC/Si/nilam, AlGaN pada nilam/silikon, AlN pada nilam/silikon dan InGaN pada nilam, boleh dibekalkan untuk penyelidik mengembangkan disulfida logam peralihan dua dimensi dan mengukur sifat elektrik.

Semikonduktor nitrida Kumpulan III (termasuk GaN, InGaN, AIN dan aloi pelbagai unsurnya) dikenali sebagai generasi ketiga bahan semikonduktor dengan jurang jalur lebar, kekonduksian terma yang tinggi, rintangan kakisan dan sifat fizikal dan kimia yang sangat baik yang lain. Jadi terdapat aplikasi luas templat epi GaN dalam mikroelektronik dan optoelektronik. Walau bagaimanapun, disebabkan kekurangan bahan substrat homogen, nitrida kumpulan III biasanya ditanam pada substrat nilam, SiC dan Si.

PAM-XIAMEN, pengeluar wafer epi GaN, telah menggunakan banyak kaedah untuk mengembangkan templat epitaksi GaN. Secara amnya, lapisan epi GaN disediakan oleh pertumbuhan epitaxial pada bahan substrat. Kaedah pertumbuhan epitaxial GaN biasa termasuk epitaksi fasa wap organik logam (MOCVD) dan kaedah epitaksi fasa wap hidrida (HVPE), epitaksi rasuk molekul (MBE), dan lain-lain. Bahan substrat dan lapisan epitaxial membentuk bahan templat epiwafer GaN. Apabila unsur Al dan N hadir dalam lapisan epitaxial dalam proses epixial GaN, suhu pertumbuhan lapisan epitaxial adalah sangat tinggi, secara amnya melebihi 1200 ℃. Ini disebabkan oleh tenaga ikatan yang kuat antara atom Al dan atom N. Untuk ketumpatan kecacatan pertumbuhan epi GaN, untuk memenuhi keperluan penyediaan peranti, ketumpatan kecacatan dalam III nitrida biasanya diperlukan kurang daripada 109cm-2.

telah ditambahkan pada troli anda:
Checkout