Substrat GaN Berdiri Bebas Semipolar
Dari segi pertumbuhan peranti dengan panjang gelombang yang lebih panjang seperti pemancar kuning atau merah termasuk LED dan LD, substrat GaN separa kutub (11-22) akan menjadi bahan yang paling menjanjikan, walaupun masih terdapat banyak cabaran besar. Mungkin masalah ini boleh diselesaikan dengan menambah baik teknologi pertumbuhan dan reka bentuk struktur. Di samping itu, GaN semipolar yang ditanam dengan (11-22) secara langsung pada nilam rata akan menjadi kelebihan besar untuk aplikasi komersial teknologi ini.
Ganwafer offers Freestanding Semipolar GaN bulk Substrate including Si doped, low doped and semi-insulating one with orientation (10-11) and (11-22) respectively. The detail specification of semipolar GaN substrate is as below:
- Penerangan
- Siasatan
Penerangan
1. Si doped Semipolar (10-11) Substrat GaN Berdiri Bebas
| Perkara | GANW-FS-GAN(10-11)-N |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5° |
| (10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | N-jenis |
| Kerintangan (300K) | < 0.05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
2. Semipolar Tidak Didop (10-11) Substrat GaN Menyokong Kendiri
| Perkara | GANW-FS-GAN(10-11)-U |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5° |
| (10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | N-jenis |
| Kerintangan (300K) | < 0.1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
3. Semi-penebat Separa Kutub Berdiri Bebas (10-11) GaN Substrat
| Perkara | GANW-FS-GAN(10-11)-SI |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5° |
| (10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | Separa Penebat |
| Kerintangan (300K) | >106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
4. Si doped Semipolar (11–22) Substrat GaN Berdiri Bebas
| Perkara | GANW-FS-GAN(11-22)- N |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | N-jenis |
| Kerintangan (300K) | < 0.05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
5. Separa Kutub Berdiri Bebas Tanpa dop (11-22) Substrat GaN
| Perkara | GANW-FS-GAN(11-22)- U |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | N-jenis |
| Kerintangan (300K) | < 0.1 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
6. Separa penebat Separa Kutub (11-22) Substrat Berdiri Bebas GaN
| Perkara | GANW-FS-GAN(11-22)- SI |
| dimensi | 5 x 10 mm2 |
| ketebalan | 350 ±25 µm 430 ±25 µm |
| orientasi | (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° |
| (11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° | |
| Jenis pengaliran | Separa Penebat |
| Kerintangan (300K) | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10 µm |
| BOW | -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm |
| Kekasaran permukaan | Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia; |
| Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap. | |
| kehelan Ketumpatan | Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2 |
| Ketumpatan Kecacatan Makro | 0 cm-2 |
| Kawasan Boleh Digunakan | > 90% (pengecualian tepi) |
| Pakej | setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100 |
Catatan：
Kerajaan China telah mengumumkan had baharu untuk pengeksportan bahan Gallium (seperti GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs dan GaSb) dan bahan Germanium yang digunakan untuk membuat cip semikonduktor. Mulai 1 Ogos 2023 dan seterusnya, mengeksport bahan ini hanya dibenarkan jika kami mendapat lesen daripada Kementerian Perdagangan China. Harap untuk pemahaman anda!
