Substrat GaN Berdiri Bebas Semipolar

Substrat GaN Berdiri Bebas Semipolar

Dari segi pertumbuhan peranti dengan panjang gelombang yang lebih panjang seperti pemancar kuning atau merah termasuk LED dan LD, substrat GaN separa kutub (11-22) akan menjadi bahan yang paling menjanjikan, walaupun masih terdapat banyak cabaran besar. Mungkin masalah ini boleh diselesaikan dengan menambah baik teknologi pertumbuhan dan reka bentuk struktur. Di samping itu, GaN semipolar yang ditanam dengan (11-22) secara langsung pada nilam rata akan menjadi kelebihan besar untuk aplikasi komersial teknologi ini.

PAM-XIAMEN menawarkan Substrat pukal GaN Semipolar Berdiri Bebas termasuk Si doped, tidak didop dan separa penebat dengan orientasi (10-11) dan (11-22) masing-masing. Spesifikasi terperinci substrat GaN semipolar adalah seperti di bawah:

Penerangan

1. Si doped Semipolar (10-11) Substrat GaN Berdiri Bebas

Perkara PAM-FS-GAN(10-11)-N
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
(10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

2. Semipolar Tidak Didop (10-11) Substrat GaN Menyokong Kendiri

Perkara PAM-FS-GAN(10-11)-U
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
(10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

3. Semi-penebat Separa Kutub Berdiri Bebas (10-11) GaN Substrat

Perkara PAM-FS-GAN(10-11)-SI
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (10-11) satah luar sudut ke arah paksi A 0 ±0.5°
(10-11) satah luar sudut ke arah paksi-C -1 ±0.2°
Jenis pengaliran Separa Penebat
Kerintangan (300K) >106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

4. Si doped Semipolar (11–22) Substrat GaN Berdiri Bebas

Perkara PAM-FS-GAN(11-22)- N
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.05 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

5. Separa Kutub Berdiri Bebas Tanpa dop (11-22) Substrat GaN

Perkara PAM-FS-GAN(11-22)- U
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Jenis pengaliran N-jenis
Kerintangan (300K) < 0.1 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

6. Separa penebat Separa Kutub (11-22) Substrat Berdiri Bebas GaN

Perkara PAM-FS-GAN(11-22)- SI
dimensi 5 x 10 mm2
ketebalan 350 ±25 µm 430 ±25 µm
orientasi (11-22) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(11-22) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Jenis pengaliran Separa Penebat
Kerintangan (300K) > 106 Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
BOW -10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Kekasaran permukaan Bahagian hadapan: Ra<0.2nm, epi-sedia;
Bahagian belakang: Dikisar Halus atau digilap.
kehelan Ketumpatan Daripada 1 x 10 5 hingga 5 x 10 6cm-2
Ketumpatan Kecacatan Makro 0 cm-2
Kawasan Boleh Digunakan > 90% (pengecualian tepi)
Pakej setiap satu dalam bekas wafer tunggal, di bawah atmosfera nitrogen, dibungkus dalam bilik bersih kelas 100

 

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout