GaN pada SiC HEMT Wafer

GaN pada SiC HEMT Wafer

PAM-XIAMEN menawarkan GaN pada SiC (Silicon Carbide) HEMT Wafer dan GaN pada templat epitaksi SiC.

Oleh kerana kekonduksian haba silikon karbida adalah lebih tinggi daripada GaN, Si dan nilam, ketidakpadanan kekisi antara SiC dan GaN adalah sangat kecil. Substrat SiC boleh meningkatkan ciri pelesapan haba dan mengurangkan suhu simpang peranti. Walau bagaimanapun, kebolehbasahan GaN dan SiC adalah lemah, jadi sukar untuk mendapatkan pertumbuhan epitaxial GaN yang lancar pada substrat SiC. Aktiviti migrasi AlN pada matriks SiC adalah kecil dan kebolehbasahan dengan matriks SiC adalah baik. Oleh itu, AlN biasanya digunakan sebagai lapisan nukleasi GaN pada wafer SiC untuk meningkatkan kualiti kristal GaN dengan mengoptimumkan keadaan pertumbuhan lapisan nukleasi AlN. Disebabkan oleh ketidakpadanan kekisi kecil, setelah masalah lapisan pembasahan dan retak diselesaikan oleh teknologi proses GaN pada SiC kami, kualiti GaN pada substrat silikon karbida adalah lebih baik daripada pada substrat Si dan nilam. Oleh itu, prestasi pengangkutan heterostruktur GaN 2DEG pada substrat SiC adalah lebih baik.

GaN pada spesifikasi wafer SiC HEMT:

Penerangan

1. Wafer HEMT AlGaN / GaN-on-SiC untuk Aplikasi RF

Saiz wafer 2”, 3”, 4”, 6”
Struktur HEMT AlGaN/GaN Rujuk 1.2
Ketumpatan pembawa 6E12~2E13 cm2
Mobiliti dewan 1300~2200 cm2v-1s-1
XRD(102)FWHM <300arc.sec
XRD(002)FWHM <260arc.sec
Kerintangan Lembaran 200~450 ohm/persegi
AFM RMS (nm) sebanyak 5x5um2 <0.25nm
Tunduk(um) <=35um
Pengecualian tepi <2mm
Lapisan pasif SiN 0~30nm
Lapisan penutup GaN 2nm
Al komposisi 20-30%
Dalam komposisi 17% untuk InAlN
AlGaN /
interlayer AlN /
saluran GaN /
Penampan GaN yang didopkan Fe 1.6um
Lapisan penimbal AlN /
Bahan substrat Substrat SiC

 

2. Spesifikasi GaN pada Templat SiC

2″ atau 4” GaN pada substrat SiC 4H atau 6H

1) Penampan GaN yang tidak didop atau penimbal AlN tersedia;
2) n-jenis(Si doped atau undoped), p-jenis atau separa penebat lapisan epitaxial GaN tersedia;
3) Struktur konduktif menegak pada SiC jenis-n atau separa penebat;
4) AlGaN – tebal 20-60nm, (20%-30%Al), penimbal terdop Si;
5) Lapisan jenis-n GaN pada wafer 350µm+/-25um tebal 2” atau 4”.
6) Satu atau dua bahagian digilap, sedia epi, Ra<0.5um
7) Nilai biasa pada XRD:
 Wafer ID  ID substrat  XRD (102)  XRD (002) ketebalan
#2153 X-70105033 (dengan AlN) 298 167 679um

    telah ditambahkan pada troli anda:
    Checkout